【技術實現步驟摘要】
本申請涉及顯示領域，具體涉及一種存儲裝置及顯示器。
技術介紹
1、現有的半導體元件存儲裝置大致可以分為兩類，易失性設備和非易失性設備，易失性設備在斷電時會丟失存儲數據，非易失性設備在斷電時仍會保持存儲數據。易失性設備分為動態易失性存儲設備和靜態易失存儲設備。動態易失性存儲設備讀取數據時，電容器中的電荷會丟失，所以每次讀取數據時都需要進行另一次寫入操作；而且，當晶體管處于截止狀態時，由于漏電流(截止電流)在存儲元件中晶體管的源極和漏極之間流動，即使沒有導通晶體管，電荷也會流入或流出，從而使得數據保存期很短，故需要定期間隔進行下一次寫入操作(刷新操作)。此外，在斷電時存儲的數據會丟失，因此需要使用磁性材料或光學材料的附加存儲設備以長時間保持數據。
2、非易失性存儲設備是通過晶體管中的柵電極和溝道形成區之間的浮柵保持電荷來實現存儲數據，數據可以保持時間較長，即使在不供電情況下也能保持所存數據。但是，晶體管中的柵絕緣層由于在寫入時產生的隧穿電流而劣化，使得存儲元件在一定寫出操作次數之后，失去功能。為了減少此類問題，采用復雜的外圍電流來均等寫入操作次數的方法來改善，這種方法不能根本解決壽命衰減的問題。此外，向浮柵注入電荷和去除電荷需要高壓，且時間較長，故寫入和擦除數據速度較慢。也就是說，現有的存儲裝置無法在實現快速寫入的同時保證較長時間的存儲。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種存儲裝置及顯示器，可以解決現有存儲裝置無法在實現快速寫入的同時保證存儲時間長的問題。
3、信號輸入端和信號輸出端；
4、鎖存單元，連接在所述信號輸入端與所述信號輸出端之間，所述鎖存單元用于寫入及存儲數據；
5、控制單元，連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制單元包括第一晶體管、第二晶體管以及控制開關組件，所述第一晶體管和所述第二晶體管用于與所述鎖存單元電連接，所述控制開關組件用于與所述第一晶體管和所述第二晶體管電連接，以控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通或斷開；其中，所述第一晶體管的漏電流小于所述第二晶體管的漏電流，所述第二晶體管的遷移率大于所述第一晶體管的遷移率。
6、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一晶體管和所述第二晶體管串聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第一控制開關，所述第一控制開關的輸入端與所述第一晶體管的輸入端電連接，所述第一控制開關的輸出端與所述第一晶體管的輸出端電連接。
7、可選的，在本申請的一些實施例中，所述控制開關組件還包括第二控制開關，所述第二控制開關的輸入端與所述第二晶體管的輸入端電連接，所述第二控制開關的輸出端與所述第二晶體管的輸出端電連接。
8、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第三控制開關，所述第三控制開關的輸入端與所述信號輸入端電連接，所述第三控制開關的輸出端與所述第一晶體管的輸入端或者所述第二晶體管的輸入端電連接，以控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通或斷開。
9、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第三控制開關，所述第三控制開關的輸出端與所述鎖存單元電連接，所述第三控制開關的輸入端與所述第一晶體管的輸出端或者所述第二晶體管的輸出端電連接，以控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通或斷開。
10、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第四控制開關和第五控制開關，所述第四控制開關與所述第一晶體管串聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述第五控制開關與所述第二晶體管串聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間。
11、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一晶體管為氧化物晶體管；所述第二晶體管為單晶硅晶體管或者多晶硅晶體管。
12、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一晶體管的漏電流小于或者等于1*10-12a。
13、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二晶體管的遷移率大于或者等于10cm2/v·s。
14、相應的，本申請實施例還提供一種顯示器，所述顯示器包括上述任一項所述的存儲裝置。
15、本申請實施例中存儲裝置包括信號輸入端、信號輸出端、鎖存單元和控制單元，鎖存單元連接在信號輸入端與信號輸出端之間，鎖存單元用于寫入及存儲數據，控制單元連接在信號輸入端與鎖存單元之間，控制單元包括第一晶體管、第二晶體管以及控制開關組件，第一晶體管和第二晶體管用于與鎖存單元電連接，控制開關組件用于與第一晶體管和第二晶體管電連接，以控制第一晶體管和第二晶體管導通或斷開，其中，第一晶體管的漏電流小于第二晶體管的漏電流，第二晶體管的遷移率大于第一晶體管的遷移率。本申請通過在控制單元中同時設置第一晶體管和第二晶體管，并利用控制開關組件控制第一晶體管和第二晶體管導通或斷開，使得在寫入時能夠利用第二晶體管的高遷移率實現存儲裝置的快速寫入，在存儲時則能夠利用第一晶體管的低漏電流實現存儲裝置的存儲時間長，從而使得存儲裝置在實現快速寫入的同時能夠保證存儲時間長。
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1.一種存儲裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管串聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第一控制開關，所述第一控制開關的輸入端與所述第一晶體管的輸入端電連接，所述第一控制開關的輸出端與所述第一晶體管的輸出端電連接。
3.根據權利要求2所述的存儲裝置，其特征在于，所述控制開關組件還包括第二控制開關，所述第二控制開關的輸入端與所述第二晶體管的輸入端電連接，所述第二控制開關的輸出端與所述第二晶體管的輸出端電連接。
4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第三控制開關，所述第三控制開關的輸入端與所述信號輸入端電連接，所述第三控制開關的輸出端與所述第一晶體管的輸入端或者所述第二晶體管的輸入端電連接，以控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通或斷開。
5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存
6.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第四控制開關和第五控制開關，所述第四控制開關與所述第一晶體管串聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述第五控制開關與所述第二晶體管串聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間。
7.根據權利要求1至6任一項所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管為氧化物晶體管；所述第二晶體管為單晶硅晶體管或者多晶硅晶體管。
8.根據權利要求1至6任一項所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管的漏電流小于或者等于1*10-12A。
9.根據權利要求1至6任一項所述的存儲裝置，其特征在于，所述第二晶體管的遷移率大于或者等于10cm2/V·s。
10.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括權利要求1至9任一項所述的存儲裝置。
...【技術特征摘要】
1.一種存儲裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管串聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第一控制開關，所述第一控制開關的輸入端與所述第一晶體管的輸入端電連接，所述第一控制開關的輸出端與所述第一晶體管的輸出端電連接。
3.根據權利要求2所述的存儲裝置，其特征在于，所述控制開關組件還包括第二控制開關，所述第二控制開關的輸入端與所述第二晶體管的輸入端電連接，所述第二控制開關的輸出端與所述第二晶體管的輸出端電連接。
4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組件包括第三控制開關，所述第三控制開關的輸入端與所述信號輸入端電連接，所述第三控制開關的輸出端與所述第一晶體管的輸入端或者所述第二晶體管的輸入端電連接，以控制所述第一晶體管和所述第二晶體管導通或斷開。
5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管并聯連接在所述信號輸入端與所述鎖存單元之間，所述控制開關組...
【專利技術屬性】
技術研發人員：白亞梅，王添鴻，
申請(專利權)人：深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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