【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及顯示，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。
技術(shù)介紹
1、隨著顯示面板向著大尺寸、高分辨率、高頻率及自發(fā)光顯示模式(oled、miniled、microled)等方向發(fā)展，對(duì)于顯示面板的控制開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)顯示的薄膜晶體管(tft)的遷移率和穩(wěn)定性提出了越來(lái)越高的要求，而目前在顯示行業(yè)中，常用的非晶硅薄膜晶體管器件的遷移率低，開(kāi)態(tài)電流(ion)低，無(wú)法滿足高階顯示產(chǎn)品的需求(體現(xiàn)為lcd充電不足，或oled、miniled、micro?led亮度不足)，而金屬氧化物薄膜晶體管器件的遷移率高達(dá)非晶硅薄膜晶體管器件的10～100倍，可以滿足新型高階顯示產(chǎn)品的需求，因此金屬氧化物薄膜晶體管器件及其顯示面板越來(lái)越受到業(yè)界的重視。
2、在tft陣列基板的制作過(guò)程中，一般采用電導(dǎo)率較低的銅(cu)作為導(dǎo)電電極，以降低走線電阻。為了改善銅和下層基板的黏附力以及阻擋銅的擴(kuò)散，一般還會(huì)在銅的下層做一層薄薄的其他金屬，比如鉬(mo)鈦(ti)合金或者含有鉬(mo)、鈦(ti)中至少一者的合金材料。在金屬氧化物薄膜晶體管器件的制作過(guò)程中，由于氧化物半導(dǎo)體材料容易受硅氮化合物(sinx)沉積時(shí)的氫(h)等離子影響而變成導(dǎo)體，失去半導(dǎo)體特性。因此，金屬氧化物薄膜晶體管器件的保護(hù)層一般會(huì)采用硅氧化合物(siox)而不是sinx。但是，siox沉積時(shí)的富氧環(huán)境，會(huì)使得作為金屬氧化物薄膜晶體管器件的源漏電極的金屬銅被氧化，從而使得siox和金屬銅之間的界面粘附力差，在有應(yīng)力的情況下容易產(chǎn)生siox薄膜鼓包，甚至作為保護(hù)層的siox薄膜容
3、為了解決這一問(wèn)題，有些生產(chǎn)工藝會(huì)采用在銅電極的表面再沉積一層與siox粘附力較好且不容易被氧化的其他材料，比如moti合金或者ito薄膜，但這些改變或者需要增加曝光蝕刻工藝，或者需要對(duì)應(yīng)的cu蝕刻液改版，都會(huì)帶來(lái)明顯的生產(chǎn)成本的升高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于，提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以解決采用硅氧化合物作為氧化物半導(dǎo)體tft的保護(hù)層時(shí)，硅氧化合物和金屬銅之間的界面粘附力差，保護(hù)層容易破裂脫落，生產(chǎn)成本較高的技術(shù)問(wèn)題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供一種陣列基板，包括：襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的柵極層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏極層以及保護(hù)層；其中，所述源漏極層包括：金屬疊層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上；以及抗氧化保護(hù)層，設(shè)置于所述金屬疊層與所述保護(hù)層之間。
3、進(jìn)一步的，所述金屬疊層包括：第一金屬層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上；以及第二金屬層，設(shè)置于所述第一金屬層上。
4、進(jìn)一步的，所述第一金屬層所采用的材質(zhì)包括鉬和/或鈦元素；所述第二金屬層所采用的材質(zhì)為銅；所述抗氧化保護(hù)層所采用的材質(zhì)包括氫和/或氮元素；所述保護(hù)層所采用的材質(zhì)為硅氧化合物。
5、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)還提供一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟：
6、依次形成柵極層、柵極絕緣層以及半導(dǎo)體層于一襯底基板上；
7、形成一金屬疊層于所述半導(dǎo)體層上；
8、對(duì)所述金屬疊層的表面進(jìn)行等離子體處理，使所述金屬疊層的表面形成有抗氧化保護(hù)層；
9、對(duì)所述抗氧化保護(hù)層和所述金屬疊層進(jìn)行圖案化處理，形成源漏極層；以及
10、形成一保護(hù)層于所述源漏極層上。
11、進(jìn)一步的，在所述對(duì)所述金屬疊層的表面進(jìn)行等離子體處理的步驟中，在真空環(huán)境下，采用氨氣或者氫氣對(duì)所述圖案化的金屬疊層的表面進(jìn)行等離子體處理10～120s。
12、進(jìn)一步的，所述形成一金屬疊層于所述半導(dǎo)體層上的步驟包括：
13、形成一第一金屬層于所述襯底基板上；以及
14、形成一第二金屬層于所述第一金屬層上。
15、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)還提供一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟：
16、依次形成柵極層、柵極絕緣層以及半導(dǎo)體層于一襯底基板上；
17、形成一金屬疊層于所述半導(dǎo)體層上；
18、對(duì)所述金屬疊層進(jìn)行圖案化處理，形成圖案化的金屬疊層；
19、對(duì)所述圖案化的金屬疊層的表面進(jìn)行等離子體處理，使得所述圖案化的金屬疊層的表面形成抗氧化保護(hù)層，并形成源漏極層；以及
20、形成一保護(hù)層于所述源漏極層上。
21、進(jìn)一步的，在所述對(duì)所述圖案化的金屬疊層的表面進(jìn)行等離子體處理的步驟中，在真空環(huán)境下，采用氨氣或者氫氣對(duì)所述圖案化的金屬疊層的表面進(jìn)行等離子體處理10～120s。
22、進(jìn)一步的，所述形成一金屬疊層于所述半導(dǎo)體層上的步驟包括：
23、形成一第一金屬層于所述襯底基板上；以及
24、形成一第二金屬層于所述第一金屬層上。
25、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)還提供一種顯示面板，包括上述任意實(shí)施方式所述的陣列基板。
26、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)還提供一種顯示面板，包括前文所述的陣列基板。
27、本專利技術(shù)的技術(shù)效果在于，提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，將抗氧化保護(hù)層設(shè)置在第二金屬層與保護(hù)層之間，改善第二金屬層和保護(hù)層之間的界面粘附力，并且可以避免保護(hù)層容易鼓包和剝落不良的現(xiàn)象，從而提高陣列基板的生產(chǎn)良率。
28、進(jìn)一步的，采用氨氣或者氫氣對(duì)第二金屬層進(jìn)行等離子體處理，可以使得第二金屬層的金屬銅與氫結(jié)合，且在第二金屬層表面形成一層抗氧化的抗氧化保護(hù)層，使得后續(xù)的沉積在第二金屬層方的硅氧化合物的保護(hù)層不會(huì)將金屬銅氧化，改善銅和硅氧化合物之間的界面粘附力。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬疊層包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，
4.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，
7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，
10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬疊層包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，
4.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳偉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣州華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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