半導體裝置制造方法及圖紙

技術編號：40245145 閱讀：14 留言：0更新日期：2024-02-02 22:41

本發明專利技術提供半導體裝置。提供能夠提升特性的半導體裝置。根據實施方式，半導體裝置包括第1～第3電極以及第1～第3氮化物區域。第1氮化物區域包含Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1?x1</subgt;N(0≤x1<1)。第2氮化物區域包含Al<subgt;x2</subgt;Ga<subgt;1?x2</subgt;N(x1<x2≤1)或者In<subgt;y</subgt;Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;(1?y?z)</subgt;N(0<y≤1、0≤z<1、y+z≤1)。第3氮化物區域包含Al<subgt;x3</subgt;Ga<subgt;1?x3</subgt;N(x1<x3<x2)。第3氮化物區域包括第7部分區域。第7部分區域處于第1氮化物區域的第3部分區域與第3電極之間。

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【技術實現步驟摘要】

本專利技術的實施方式涉及半導體裝置。

技術介紹

1、例如，在晶體管等半導體裝置中，期望提升特性。

技術實現思路

1、本專利技術的實施方式提供能夠提升特性的半導體裝置。

2、根據本專利技術的實施方式，半導體裝置包括第1電極、第2電極、第3電極、第1氮化物區域、第2氮化物區域以及第3氮化物區域。從所述第1電極向所述第2電極的方向沿著第1方向。所述第3電極的所述第1方向上的位置處于所述第1電極的所述第1方向上的位置與所述第2電極的所述第1方向上的位置之間。所述第1氮化物區域包含alx1ga1-x1n(0≤x1<1)。所述第1氮化物區域包括第1部分區域、第2部分區域、第3部分區域、第4部分區域以及第5部分區域。從所述第1部分區域向所述第1電極的方向沿著與所述第1方向交叉的第2方向。從所述第2部分區域向所述第2電極的方向沿著所述第2方向。從所述第3部分區域向所述第3電極的方向沿著所述第2方向。所述第4部分區域的所述第1方向上的位置處于所述第1部分區域的所述第1方向上的位置與所述第3部分區域的所述第1方向上的位置之間。所述第5部分區域的所述第1方向上的位置處于所述第3部分區域的所述第1方向上的所述位置與所述第2部分區域的所述第1方向上的位置之間。所述第2氮化物區域包含alx2ga1-x2n(x1<x2≤1)或者inyalzga(1-y-z)n(0<y≤1、0≤z<1、y+z≤1)。所述第2氮化物區域包括第6部分區域。從所述第4部分區域向所述第6部分區域的方向

3、根據上述結構的半導體裝置，能夠提供能夠提升特性的半導體裝置。

本文檔來自技高網...

【技術保護點】

1.一種半導體裝置，具備：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

【技術特征摘要】

1.一種半導體裝置，具備：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

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【專利技術屬性】
技術研發人員：梶原瑛祐，新留彩，藏口雅彥，
申請(專利權)人：株式會社東芝，
類型：發明
國別省市：

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