【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體設備，尤其涉及鈣鈦礦樣品承載裝置。
技術介紹
1、鈣鈦礦作為一種優異的半導體材料，具有優良的光學、電學性能，在太陽能電池、光電催化、光電存儲等領域都有著重要的應用。原子層沉積技術(ald)是一種制備高質量薄膜的方法，該方法可以在納米或亞納米尺度上對材料的厚度進行控制，有效避免了材料晶體缺陷、失調等問題。原子層沉積技術可以在納米或亞納米尺度上進行厚度控制，以制備出高質量的鈣鈦礦薄膜。
2、相關技術中，鈣鈦礦產品尺寸越來越大，所以導致所要鍍膜的樣品尺寸也愈發加大，在對于大面積鈣鈦礦產品的鍍膜工藝實驗前，樣品的放置和取樣也較為困難。由于人員無法進到腔體內部，取樣只能從反應內腔的開口處進行，但由于樣品是和載物板緊貼狀態，樣品在抽取過程中，可能會與載物板之間產生摩擦導致樣品被損壞，且為了減小摩擦，取樣時會將樣品端略微抬起以將樣品整個緩慢抽出腔室，但一旦受力不均會就會導致樣品碎裂。
技術實現思路
1、本申請提供了一種鈣鈦礦樣品承載裝置，解決了相關技術中需將樣品端略微抬起才能將樣品整個緩慢抽出腔室，且一旦受力不均會就會導致樣品碎裂的技術問題。
2、本申請實施例提供的一種鈣鈦礦樣品承載裝置，所述支架設置在反應腔中，所述支架包括：
3、載物托盤，用于承載所述鈣鈦礦樣品，所述載物托盤具有內腔，且所述載物托盤的上表面設有多個出氣孔，所述載物托盤的側面設有輸氣孔，所述出氣孔和所述輸氣孔與所述內腔連通；
4、進氣機構，用于通入氣體，所述進氣
5、在一些實施方式中，多個所述出氣孔按矩陣排列，且所述矩陣的尺寸與所述鈣鈦礦樣品的尺寸相同。
6、在一些實施方式中，相鄰的兩個所述出氣孔之間的間距為3cm-8cm，所述出氣孔的直徑為0.3cm-0.8cm。
7、在一些實施方式中，所述支架包括兩個以上的載物托盤和連接柱，兩個以上的所述載物托盤沿豎向間隔設置，相鄰的兩個所述載物托盤之間通過所述連接柱相連，所述連接柱與所述出氣孔錯位設置，且最下層的所述載物托盤放置于所述反應腔的底面。
8、在一些實施方式中，所述載物托盤的側面設有兩個以上輸氣孔，且每個所述載物托盤的所述輸氣孔均對應設置，以形成兩列以上輸氣孔，所述進氣機構包括兩個以上進氣組件，兩個以上所述進氣組件與兩列以上所述輸氣孔一一對應，所述進氣組件與對應的一列所述輸氣孔連通。
9、在一些實施方式中，所述進氣組件包括主管和與所述主管側面連通的支管，所述主管安裝于所述反應腔的底面，用于通入氣體，所述支管與對應的一列所述輸氣孔連通。
10、在一些實施方式中，所述主管側面連通設置有兩個以上所述支管，所述支管與所述載物托盤一一對應，且所述支管與對應的所述載物托盤上的輸氣孔連接。
11、在一些實施方式中，所述主管豎直安裝于所述反應腔的底面，且與所述載物托盤之間具有間隙，所述支管與對應的所述載物托盤平行設置。
12、在一些實施方式中，多個所述出氣孔噴出的氣體的總流量為10sccm-5000sccm。
13、在一些實施方式中，所述反應腔具有開口，所述輸氣孔設置于所述載物托盤朝向所述開口的側面，且所述進氣機構靠近所述開口設置。
14、本申請有益效果如下：
15、本申請提供的一種鈣鈦礦樣品承載裝置，設置在反應腔中，鈣鈦礦樣品放置于鈣鈦礦樣品承載裝置的載物托盤上，當需將鈣鈦礦樣品取出或放入反應腔時，進氣組件將氣體由輸氣孔通入載物托盤的內腔中，氣體再由出氣孔噴出，以在載物托盤的上表面形成了一層氣膜，該氣膜可大大減小鈣鈦礦樣品和載物托盤之間的摩擦力，從而可改善鈣鈦礦樣品和載物板之間摩擦較大導致樣品被損壞的情況，且取樣時將鈣鈦礦樣品直接抽出即可，也無需抬起鈣鈦礦樣品，避免鈣鈦礦樣品受力不均導致損壞。
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1.一種鈣鈦礦樣品承載裝置，所述支架設置在反應腔中，其特征在于，所述支架包括：
2.根據權利要求1所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，多個所述出氣孔按矩陣排列，且所述矩陣的尺寸與所述鈣鈦礦樣品的尺寸相同。
3.根據權利要求2所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，相鄰的兩個所述出氣孔之間的間距為3cm-8cm，所述出氣孔的直徑為0.3cm-0.8cm。
4.根據權利要求1-3任一項所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，所述支架包括兩個以上的載物托盤和連接柱，兩個以上的所述載物托盤沿豎向間隔設置，相鄰的兩個所述載物托盤之間通過所述連接柱相連，所述連接柱與所述出氣孔錯位設置，且最下層的所述載物托盤放置于所述反應腔的底面。
5.根據權利要求4所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，所述載物托盤的側面設有兩個以上輸氣孔，且每個所述載物托盤的所述輸氣孔均對應設置，以形成兩列以上輸氣孔，所述進氣機構包括兩個以上進氣組件，兩個以上所述進氣組件與兩列以上所述輸氣孔一一對應，所述進氣組件與對應的一列所述輸氣孔連通。
6.根據權利要求5所述鈣鈦礦樣品
7.根據權利要求6所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，所述主管側面連通設置有兩個以上所述支管，所述支管與所述載物托盤一一對應，且所述支管與對應的所述載物托盤上的輸氣孔連接。
8.根據權利要求7所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，所述主管豎直安裝于所述反應腔的底面，且與所述載物托盤之間具有間隙，所述支管與對應的所述載物托盤平行設置。
9.根據權利要求1所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，多個所述出氣孔噴出的氣體的總流量為10sccm-5000sccm。
10.根據權利要求1所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，所述反應腔具有開口，所述輸氣孔設置于所述載物托盤朝向所述開口的側面，且所述進氣機構靠近所述開口設置。
...【技術特征摘要】
1.一種鈣鈦礦樣品承載裝置，所述支架設置在反應腔中，其特征在于，所述支架包括：
2.根據權利要求1所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，多個所述出氣孔按矩陣排列，且所述矩陣的尺寸與所述鈣鈦礦樣品的尺寸相同。
3.根據權利要求2所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，相鄰的兩個所述出氣孔之間的間距為3cm-8cm，所述出氣孔的直徑為0.3cm-0.8cm。
4.根據權利要求1-3任一項所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，所述支架包括兩個以上的載物托盤和連接柱，兩個以上的所述載物托盤沿豎向間隔設置，相鄰的兩個所述載物托盤之間通過所述連接柱相連，所述連接柱與所述出氣孔錯位設置，且最下層的所述載物托盤放置于所述反應腔的底面。
5.根據權利要求4所述鈣鈦礦樣品承載裝置，其特征在于，所述載物托盤的側面設有兩個以上輸氣孔，且每個所述載物托盤的所述輸氣孔均對應設置，以形成兩列以上輸氣孔，所述進氣機構包括兩個以上進氣組件，兩個以上所述進氣組件與兩列以上所述輸氣孔一一對...
【專利技術屬性】
技術研發人員：戴昕童，明帥強，李明，王浙加，張亦哲，李國慶，聞夢瑤，車睿遠，
申請(專利權)人：嘉興中科微電子儀器與設備工程中心，
類型：發明
國別省市：
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