【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及陶瓷材料，特別是涉及一種利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法。
技術介紹
1、氧化鋯陶瓷由于其良好的生物相容性、耐磨性、相變增韌效應等被廣泛用于牙科、骨植入假體等方面，特別是在骨植入假體行業的應用近年來得到研究人員的廣泛關注。
2、不同燒結溫度對氧化鋯陶瓷相組成及力學性能的影響差別很大。尤其是1300℃左右的氧化鋯是很難燒結致密的。如何實現在較低溫度的燒結維持自身導電性又具有一定強度、韌性的氧化鋯陶瓷存在較大難度。
3、兩步燒結法目前被認為是在保證致密化的同時抑制晶粒長大的有效手段。它的原理是：將試樣首先加熱到一個較高的溫度，短時保溫，使體系獲得足夠晶界擴散的熱力學驅動力，然后快速降溫至較低的溫度，從而抑制晶界的遷移，利用晶界擴散達到致密化的目的。目前的兩步燒結采用的溫度均達到了1450℃，雖然為了避免晶粒的異常長大，高溫階段保溫時間很短，但溫度如此之高，仍避免不了有些異常長大晶粒的出現，從而影響氧化鋯陶瓷的機械性能。
技術實現思路
1、本專利技術要解決的技術問題是提供一種晶粒更細、機械性能和抗水熱老化性能更優異的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法。
2、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，包括以下步驟：
3、s10，通過水熱法制備得到氧化鋯粉體；
4、s20，將所述氧化鋯粉體與水和分散劑混合，制得漿料，對所述漿料進行成型處理，依次進行造粒、成型、排膠和燒結，得到初級陶瓷；
5、s3
6、s40，對步驟s30中處理后的陶瓷加熱至1250-1400℃進行第二次燒結，降至900-1100℃；
7、s50，重復第二次燒結工藝進行第三、第四次燒結，得到氧化鋯陶瓷。
8、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其中所述步驟s30和s40中，加熱過程的升溫速率為2-8℃/min。
9、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其中所述步驟s30和s40中，降溫后進行保溫。
10、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其中所述保溫時間為3-10h。
11、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其中所述步驟s30和s40中，加熱至高溫后，進行0-10min的保溫。
12、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其中所述步驟s10中通過水熱法制備得到氧化鋯粉體，包括以下步驟：
13、s11，將可溶性鋯鹽配置成鋯離子濃度為0.2-0.8mol/l的溶液，在壓力0.2-0.6mpa，溫度150-250℃條件下水熱反應10-80h；
14、s12，在步驟s11所得溶液中加入為鋯元素質量1-25％的y2o3，然后調節溶液的ph為8.0-10.5，至沉淀完全；
15、s13，將上述含有沉淀物溶液水洗至ph為7.5-8.5，烘干即得氧化鋯粉體。
16、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其中所述鋯鹽為氧化鋯或氯氧化鋯。
17、本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法與現有技術不同之處在于，本專利技術利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法的高溫燒結溫度顯著低于傳統燒結及兩步燒結溫度，故短時間的保溫不會促進晶粒的異常長大，主要是重新補充給體系促進晶界擴散的熱力學驅動力，快速降至900-1100℃，繼續長時間的保溫，以促進致密化的進行。本專利技術的制備方法屬于高低溫燒結循環的燒結手段，但相比現有技術的優勢是降低了每次燒結的高溫溫度，因此避免了高溫溫度過高引起的性能不佳的問題。
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1.一種利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟S30和S40中，加熱過程的升溫速率為2-8℃/min。
3.根據權利要求1所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟S30和S40中，降溫后進行保溫。
4.根據權利要求3所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述保溫時間為3-10h。
5.根據權利要求1所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟S30和S40中，加熱至高溫后，進行0-10min的保溫。
6.根據權利要求1所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟S10中通過水熱法制備得到氧化鋯粉體，包括以下步驟：
7.根據權利要求6所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述鋯鹽為氧化鋯或氯氧化鋯。
【技術特征摘要】
1.一種利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟s30和s40中，加熱過程的升溫速率為2-8℃/min。
3.根據權利要求1所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所述步驟s30和s40中，降溫后進行保溫。
4.根據權利要求3所述的利用多次燒結工藝制備氧化鋯陶瓷的方法，其特征在于：所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張云龍，曹玉超，吳夢飛，李志敏，張紀鋒，
申請(專利權)人：北京安頌科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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