【技術實現步驟摘要】
本公開涉及真空鍍膜，具體地，涉及一種真空鍍膜系統及真空鍍膜方法。
技術介紹
1、真空鍍膜過程可以描述為在真空環境下，將沉積材料蒸發或升華為氣態粒子，輸送氣態粒子至基片表面，粒子在基片表面成核、生長，實現薄膜原子的重構，或者原子間產生新的化學鍵合。真空鍍膜系統在諸如薄膜電池制造等工藝中應用廣泛。
2、然而相關技術中的真空鍍膜系統，存在薄膜生長過程控制不及時的問題，導致產品性能或者良品率低。
技術實現思路
1、本公開的目的是提供一種真空鍍膜系統及真空鍍膜方法，以解決相關技術中存在的問題。
2、為了實現上述目的，本公開實施例的第一部分提供一種真空鍍膜系統，該系統包括：
3、真空腔體，設置于真空腔體內部用于帶動基片移動的傳送裝置，以及設置于真空腔體內部用于加熱基片的加熱器；
4、所述真空腔體內還設置有沿基片移動方向的多個蒸發鍍膜腔室，以及與每個蒸發鍍膜腔室配合的鍍膜檢測組件，所述蒸發鍍膜腔室內設置有蒸發源；
5、控制器，所述控制器用于至少根據目標鍍膜檢測組件檢測得到的目標鍍膜信息，確定與所述目標鍍膜檢測組件配合的目標蒸發鍍膜腔室的目標鍍膜結果，并基于所述目標鍍膜結果對所述目標蒸發鍍膜腔室的蒸發源進行控制，所述目標鍍膜檢測組件為所述真空腔體內的任一個鍍膜檢測組件。
6、在一些實施方式中，所述目標鍍膜檢測組件包括用于檢測所述基片預設位置鍍膜信息的鍍膜檢測裝置。
7、在一些實施方式中，所述目標蒸發鍍膜腔室內設置的
8、所述目標鍍膜檢測組件包括用于檢測所述基片中線位置鍍膜信息的第一鍍膜檢測裝置，以及用于檢測所述基片邊緣位置鍍膜信息的第二鍍膜檢測裝置；
9、所述控制器還用于至少根據第一鍍膜檢測裝置檢測得到的第一鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的第一目標鍍膜結果，以及至少根據所述第二鍍膜檢測裝置檢測得到的第二鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的第二目標鍍膜結果，并基于所述第一目標鍍膜結果以及所述第二目標鍍膜結果，對目標蒸發鍍膜腔室的大分子蒸發源進行控制。
10、本公開實施例的第二部分提供一種真空鍍膜方法，該方法應用于第一部分任一項的真空鍍膜系統中的控制器，該真空鍍膜方法包括：
11、獲取目標鍍膜檢測組件檢測得到的目標鍍膜信息；
12、至少根據所述目標鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的目標鍍膜結果；
13、根據所述目標鍍膜結果，對所述目標蒸發鍍膜腔室的蒸發源進行控制。
14、在一些實施方式中，所述至少根據所述目標鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的目標鍍膜結果，包括：
15、在所述目標蒸發鍍膜腔室為沿基片移動方向的第一個蒸發鍍膜腔室時，將所述目標鍍膜信息確定為所述目標蒸發鍍膜腔室的目標鍍膜結果；
16、在所述目標蒸發鍍膜腔室為除去所述第一個蒸發鍍膜腔室之外的任一個蒸發鍍膜腔室時，根據所述目標鍍膜信息以及所述目標蒸發鍍膜腔室的前一個蒸發鍍膜腔室的鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的目標鍍膜結果。
17、在一些實施方式中，所述目標鍍膜結果包括大分子蒸發源對應的目標大分子鍍膜結果以及小分子蒸發源對應的目標小分子鍍膜結果，所述根據所述目標鍍膜結果，對所述目標蒸發鍍膜腔室的蒸發源進行控制，包括：
18、基于所述目標大分子鍍膜結果，確定大分子蒸發源的蒸發穩定性；
19、在確定所述大分子蒸發源蒸發穩定的情況下，獲取所述目標小分子鍍膜結果與對應的標準鍍膜結果之間的差值；
20、在所述差值大于預設差值閾值的情況下，輸出用于對所述目標蒸發鍍膜腔室的小分子蒸發源進行控制的控制信息。
21、在一些實施方式中，所述方法還包括：
22、在確定所述大分子蒸發源蒸發不穩定的情況下，輸出用于對所述目標蒸發鍍膜腔室的所述大分子蒸發源進行控制的控制信息。
23、在一些實施方式中，所述目標蒸發鍍膜腔室內設置的蒸發源包括大分子蒸發源以及小分子蒸發源，所述目標鍍膜檢測組件包括用于檢測所述基片中線位置鍍膜信息的第一鍍膜檢測裝置，以及用于檢測所述基片邊緣位置鍍膜信息的第二鍍膜檢測裝置，所述方法還包括：
24、至少根據第一鍍膜檢測裝置檢測得到的第一鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的第一目標鍍膜結果，以及至少根據所述第二鍍膜檢測裝置檢測得到的第二鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的第二目標鍍膜結果；
25、基于所述第一目標鍍膜結果以及所述第二目標鍍膜結果，確定大分子材料與小分子材料在所述基片上的分布情況；
26、在確定所述分布情況為分布不均勻時，輸出用于對所述目標蒸發鍍膜腔室的所述大分子蒸發源進行控制的控制信息。
27、在一些實施方式中，所述基于所述第一目標鍍膜結果以及所述第二目標鍍膜結果，確定所述大分子材料與小分子材料的分布情況，包括：
28、基于所述第一目標鍍膜結果以及所述第二目標鍍膜結果進行歸一化處理，得到歸一化結果；
29、基于所述歸一化結果與預設范圍，確定所述大分子材料與小分子材料的分布情況。
30、在一些實施方式中，所述基于所述歸一化結果與預設范圍，確定所述大分子材料與小分子材料的分布情況，包括：
31、若所述歸一化結果超出所述預設范圍，確定所述分布情況為分布不均勻。
32、采用上述技術方案，至少能夠達到如下的有益技術效果：
33、由于為每個蒸發鍍膜腔室設置有相互配合的鍍膜檢測組件，從而通過配合的鍍膜檢測組件便可以檢測對應的蒸發鍍膜腔室的鍍膜結果，進而便可以根據每個蒸發鍍膜腔室的鍍膜結果，對對應的蒸發鍍膜腔室的蒸發源進行分布控制，由于可以在每個鍍膜階段中分別對該階段的蒸發源進行控制，可以細化到每個鍍膜階段，對鍍膜工藝起到更加細致的控制，使得控制更加靈活準確，也即，可以在薄膜生產過程中精確控制薄膜在各個沉積階段的組分、厚度和均勻度，且在長期連續生產中過程始終受控。
34、本公開的其他特征和優點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。
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1.一種真空鍍膜系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于：
3.根據權利要求1所述的系統，其特征在于：所述目標蒸發鍍膜腔室內設置的蒸發源包括用于蒸發大分子材料的大分子蒸發源以及用于蒸發小分子材料的小分子蒸發源；
4.一種真空鍍膜方法，其特征在于，應用于權利要求1-3任一項的真空鍍膜系統中的控制器，所述方法包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述至少根據所述目標鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的目標鍍膜結果，包括：
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述目標鍍膜結果包括大分子蒸發源對應的目標大分子鍍膜結果以及小分子蒸發源對應的目標小分子鍍膜結果，所述根據所述目標鍍膜結果，對所述目標蒸發鍍膜腔室的蒸發源進行控制，包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述目標蒸發鍍膜腔室內設置的蒸發源包括大分子蒸發源以及小分子蒸發源，所述目標鍍膜檢測組件包括用于檢測所述基片中線位置鍍膜信息的第一鍍膜
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一目標鍍膜結果以及所述第二目標鍍膜結果，確定所述大分子材料與小分子材料的分布情況，包括：
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述基于所述歸一化結果與預設范圍，確定所述大分子材料與小分子材料的分布情況，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種真空鍍膜系統，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于：
3.根據權利要求1所述的系統，其特征在于：所述目標蒸發鍍膜腔室內設置的蒸發源包括用于蒸發大分子材料的大分子蒸發源以及用于蒸發小分子材料的小分子蒸發源；
4.一種真空鍍膜方法，其特征在于，應用于權利要求1-3任一項的真空鍍膜系統中的控制器，所述方法包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述至少根據所述目標鍍膜信息，確定所述目標蒸發鍍膜腔室的目標鍍膜結果，包括：
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述目標鍍膜結果包括大分子蒸發源對應的目標大分子鍍膜結果以及小分子蒸發源對應的目標小分子鍍膜結果，所述根據所述目標鍍膜結果，對...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙子銘，李博研，鐘大龍，趙明，
申請(專利權)人：國家能源投資集團有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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