【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體領域，尤其涉及一種改善膜層顆粒的方法。
技術介紹
1、光掩模基板中膜層是最重要的一環，而影響膜層質量的因素主要是顆粒。掩模基板在通過超聲+純水清洗或者在毛刷清洗作用下，會將膜層中的顆粒會因超聲能量或外力刷洗的作用下脫離膜層，進而使膜層形成針孔等不良。而掩模基板制造過程中，膜層中的顆粒會給基板帶來致命的打擊，會使光刻線條造成斷線，膜層缺失，極大降低基片品質及使用效果，使客戶產品良率降低，成本提升。
2、為了有效控制膜層顆粒，通常是將腔體遮擋物進行噴砂處理，去除表面形成了氧化堆積物，之后采用純水+超聲的方式進行清洗，去除遮擋物上面的金剛砂及粉塵，最后進行烘干。但這種方式只能去除濺射過程出現的絕大部分顆粒，而少量顆粒仍然會吸附在清洗物上。因清洗過程中顆粒會懸浮在純水中，在超聲作用下變成細小的粉塵，所有遮擋物會被這些顆粒造成二次污染。當遮擋物安裝在鍍膜機之后，設備進行磁控濺射時，顆粒會通過濺射附著在膜層中，影響膜層的致密性，從而造成針孔、凹陷等缺陷，極大降低了鍍膜產品良率及高品率。
3、為改善鍍膜膜層顆粒問題，提高膜層質量，現需要針對鍍膜生產過程制定相關保養維護工藝方法。
技術實現思路
1、鑒于目前掩模基板存在的上述不足，本專利技術提供一種改善膜層顆粒的方法，能夠使膜層顆粒數能大幅度減少，有效提高膜層質量。
2、為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案：
3、一種改善膜層顆粒的方法，包括：
4、進行遮
5、進行鍍膜機腔體清潔；
6、使用預濺射對真空狀態的腔體進行設備自潔處理；
7、其中，所述進行鍍膜機腔體清潔包括:使用負壓吸收裝置清除腔體內的粉塵；進行擦拭處理；將腔體抽至真空狀態。
8、依照本專利技術的一個方面，所示真空狀態為真空值0.0001pa以下的真空狀態。
9、依照本專利技術的一個方面，所述真空值達到0.0001pa以下時，延長抽氣時間1-3小時。
10、依照本專利技術的一個方面，所述方法還包括：使用預濺射對腔體進行設備自潔處理。
11、依照本專利技術的一個方面，所述使用預濺射對腔體進行設備自潔處理，具體為：采用ar氣轟擊靶材。
12、依照本專利技術的一個方面，所述預濺射的濺射時間為2-10小時。
13、依照本專利技術的一個方面，所述遮擋物清潔包括：對遮擋物表面進行噴砂處理；進行沖洗；進行刷洗；進行超聲清洗。
14、依照本專利技術的一個方面，所述超聲清洗，具體為：對遮擋物進行超聲波清洗；對遮擋物進行噴淋清洗；進行烘烤。
15、依照本專利技術的一個方面，所述超聲波清洗的超聲頻率采用20-100khz。
16、依照本專利技術的一個方面，所述方法還包括：觀察膜面顆粒情況，并檢測膜層顆粒數。
17、本專利技術實施的優點：本專利技術在現有的遮擋物清潔上，增加了對鍍膜機腔體的清洗，原本遮擋物完成清洗后，雖然去除了濺射過程出現的絕大部分顆粒，少量顆粒仍然會吸附在清洗物上，會極大降低了鍍膜產品良率，本專利技術通過對鍍膜機腔體的清洗，可以使膜層顆粒數大量減少，有效提高了膜層的質量，使掩模基板ng率減少。
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1.一種改善膜層顆粒的方法，用于鍍膜工藝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所示真空狀態為真空值0.0001pa以下的真空狀態。
3.根據權利要求2所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述真空值達到0.0001pa以下時，延長抽氣時間1-3小時。
4.根據權利要求1所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述使用預濺射對腔體進行設備自潔處理，具體為：采用Ar氣轟擊靶材。
5.根據權利要求4所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述預濺射的濺射時間為2-10小時。
6.根據權利要求1所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述進行遮擋物清潔包括以下步驟：對遮擋物表面進行噴砂處理；進行沖洗；進行刷洗；進行超聲清洗。
7.根據權利要求6所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述超聲清洗，包括以下步驟：對遮擋物進行超聲波清洗；對遮擋物進行噴淋清洗；進行烘烤。
8.根據權利要求7所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述超聲波清洗的超聲頻率
9.根據權利要求1至8中任意一項所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述方法還包括：對設備進行自潔處理后，進行鍍膜片的生產，觀察膜面顆粒情況，并檢測膜層顆粒數。
...【技術特征摘要】
1.一種改善膜層顆粒的方法，用于鍍膜工藝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所示真空狀態為真空值0.0001pa以下的真空狀態。
3.根據權利要求2所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述真空值達到0.0001pa以下時，延長抽氣時間1-3小時。
4.根據權利要求1所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述使用預濺射對腔體進行設備自潔處理，具體為：采用ar氣轟擊靶材。
5.根據權利要求4所述的一種改善膜層顆粒的方法，其特征在于，所述預濺射的濺射時間為2-10小時。
6.根據權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳云峰，周志剛，李偉，楊旭，徐根，李翼，張誠，
申請(專利權)人：湖南普照信息材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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