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    一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構制造技術

    技術編號:40439792 閱讀:19 留言:0更新日期:2024-02-22 23:03
    本技術公開了一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,包括可拆卸抽拉式安裝在磁控濺射腔室內的安裝結構以及在磁控濺射腔室內安裝口位置設置的密封組件,所述安裝結構包括封閉板、安裝板、夾持安裝組件以及安裝板插入的側板結構,所述安裝方孔的左右兩側壁上對稱安裝有能定距移動的夾持安裝組件,所述安裝板上表面兩側在遠離封閉板的位置設有向外延展的擋塊,所述側板在磁控濺射腔室內靠近安裝口位置上方設有阻擋組件,所述封閉板內側面靠近邊緣一周設有密封圈墊。本技術可拆卸抽拉式安裝結構,在抽拉出來后安裝方形硅靶材,夾持安裝組件可以調節對不同大小硅靶材的固定安裝,調節固定尺寸范圍廣,固定效果好,而且密封性佳,不漏氣。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及硅靶材安裝,尤其涉及一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構。


    技術介紹

    1、磁控濺射是物理氣相沉積(physicalvapordeposition,pvd)的一種,具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點,上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。硅靶材是重要的磁控濺射的靶材料,一臺磁控濺射的濺射室內安裝靶材的結構對靶材大小和形狀要求嚴格,要求誤差小,無法調節較寬范圍大小的靶材來進行濺射,因此,往往需要切割或裁剪,但切割或裁剪過程會損壞或破壞材料,甚至會浪費大量材料。對于方形的硅靶材,無法根據需要應對不同四邊的靶材。


    技術實現思路

    1、本技術旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本技術的一個目的在于提出一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,解決磁控濺射腔室內靶材安裝結構無法較大范圍調節硅靶材安裝大小的問題。

    2、根據本技術提出的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,包括可拆卸抽拉式安裝在磁控濺射腔室內的安裝結構以及在磁控濺射腔室內安裝口位置設置的密封組件,所述安裝結構包括封閉板、安裝板、夾持安裝組件以及安裝板插入的側板結構,所述封閉板固定在安裝板一端位置,所述安裝板中間位置設有安裝方孔,所述安裝方孔的左右兩側壁上對稱安裝有能定距移動的夾持安裝組件,所述磁控濺射腔室內壁上通過連接桿安裝有側板,所述側板內側設有滑槽,所述安裝板兩側壁上設有與滑槽匹配的滑軌,所述安裝板上表面兩側在遠離封閉板的位置設有向外延展的擋塊,所述側板在磁控濺射腔室內靠近安裝口位置上方設有阻擋組件,所述封閉板內側面靠近邊緣一周設有密封圈墊。

    3、在本技術的一些實施例中,所述密封組件包括方形密封件以及方形密封墊,所述方形密封件的中間方孔寬度小于安裝口寬度、大于安裝板的寬度,所述方形密封墊的中間方孔寬度等于安裝口寬度,所述方形密封件在磁控濺射腔室內貼在安裝口位置并在與內壁之間墊有方形密封墊,利用螺栓從所述磁控濺射腔室外壁旋入內部并貫穿旋入方形密封件內。

    4、在本技術的另一些實施例中,所述夾持安裝組件包括擠壓板、限位桿、推動結構和左右夾持結構,所述擠壓板內側邊上設有內凹的搭口,所述擠壓板外側邊靠近兩端位置分別設有一根限位桿,所述限位桿活動插入到安裝方孔的側壁內,所述推動結構安裝在安裝板上靠近安裝方孔側壁的中間位置且與擠壓板中間位置連接,所述擠壓板上表面在非內凹的搭口上設有左右夾持結構。

    5、在本技術的另一些實施例中,所述推動結構包括主動轉軸、從動轉筒和推動絲桿,所述主動轉軸頂端設有旋鈕、底端為傘型齒頭,所述從動轉筒一端為傘型齒頭、另一端為絲桿孔,所述主動轉軸與從動轉筒的傘型齒頭嚙合,所述推動絲桿一端螺旋插在絲桿孔內,所述推動絲桿另一端固定安裝在擠壓板外側壁上。

    6、在本技術的另一些實施例中,所述左右夾持結構包括長條凸型滑槽以及長條凸型滑槽上設有的兩組夾持件,所述夾持件包括l夾塊、活動塊、螺桿和螺帽,所述活動塊上設有螺桿,所述l夾塊一端套在螺桿上、另一端卡在內凹的搭口內,所述螺桿上套有螺帽,所述活動塊處在長條凸型滑槽底部。

    7、在本技術的另一些實施例中,所述阻擋組件包括轉桿、上擋柱和下擋柱,所述轉桿向上轉動擋在上擋柱上、向下轉動擋在下擋柱上。

    8、本技術中,可拆卸抽拉式安裝結構,在抽拉出來后安裝方形硅靶材,夾持安裝組件可以調節對不同大小硅靶材的固定安裝,調節固定尺寸范圍廣,固定效果好,而且密封性佳,不漏氣。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:包括可拆卸抽拉式安裝在磁控濺射腔室(1)內的安裝結構以及在磁控濺射腔室(1)內安裝口位置設置的密封組件,所述安裝結構包括封閉板(2)、安裝板(3)、夾持安裝組件以及安裝板插入的側板結構,所述封閉板(2)固定在安裝板(3)一端位置,所述安裝板(3)中間位置設有安裝方孔(33),所述安裝方孔(33)的左右兩側壁上對稱安裝有能定距移動的夾持安裝組件,所述磁控濺射腔室(1)內壁上通過連接桿(51)安裝有側板(5),所述側板(5)內側設有滑槽,所述安裝板(3)兩側壁上設有與滑槽匹配的滑軌(31),所述安裝板(3)上表面兩側在遠離封閉板(2)的位置設有向外延展的擋塊(32),所述側板(5)在磁控濺射腔室(1)內靠近安裝口位置上方設有阻擋組件,所述封閉板(2)內側面靠近邊緣一周設有密封圈墊(21)。

    2.根據權利要求1所述的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:所述密封組件包括方形密封件(4)以及方形密封墊(41),所述方形密封件(4)的中間方孔寬度小于安裝口寬度、大于安裝板(3)的寬度,所述方形密封墊(41)的中間方孔寬度等于安裝口寬度,所述方形密封件(4)在磁控濺射腔室(1)內貼在安裝口位置并在與內壁之間墊有方形密封墊(41),利用螺栓(42)從所述磁控濺射腔室(1)外壁旋入內部并貫穿旋入方形密封件(4)內。

    3.根據權利要求1所述的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:所述夾持安裝組件包括擠壓板(7)、限位桿(72)、推動結構(8)和左右夾持結構,所述擠壓板(7)內側邊上設有內凹的搭口(71),所述擠壓板(7)外側邊靠近兩端位置分別設有一根限位桿(72),所述限位桿(72)活動插入到安裝方孔(33)的側壁內,所述推動結構(8)安裝在安裝板(3)上靠近安裝方孔(33)側壁的中間位置且與擠壓板(7)中間位置連接,所述擠壓板(7)上表面在非內凹的搭口(71)上設有左右夾持結構。

    4.根據權利要求3所述的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:所述推動結構(8)包括主動轉軸(81)、從動轉筒(82)和推動絲桿(83),所述主動轉軸(81)頂端設有旋鈕(80)、底端為傘型齒頭,所述從動轉筒(82)一端為傘型齒頭、另一端為絲桿孔,所述主動轉軸(81)與從動轉筒(82)的傘型齒頭嚙合,所述推動絲桿(83)一端螺旋插在絲桿孔內,所述推動絲桿(83)另一端固定安裝在擠壓板(7)外側壁上。

    5.根據權利要求3所述的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:所述左右夾持結構包括長條凸型滑槽(73)以及長條凸型滑槽(73)上設有的兩組夾持件(9),所述夾持件(9)包括L夾塊(93)、活動塊(94)、螺桿(92)和螺帽(91),所述活動塊(94)上設有螺桿(92),所述L夾塊(93)一端套在螺桿(92)上、另一端卡在內凹的搭口(71)內,所述螺桿(92)上套有螺帽(91),所述活動塊(94)處在長條凸型滑槽(73)底部。

    6.根據權利要求1所述的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:所述阻擋組件包括轉桿(6)、上擋柱(62)和下擋柱(61),所述轉桿(6)向上轉動擋在上擋柱(62)上、向下轉動擋在下擋柱(61)上。

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    【技術特征摘要】

    1.一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:包括可拆卸抽拉式安裝在磁控濺射腔室(1)內的安裝結構以及在磁控濺射腔室(1)內安裝口位置設置的密封組件,所述安裝結構包括封閉板(2)、安裝板(3)、夾持安裝組件以及安裝板插入的側板結構,所述封閉板(2)固定在安裝板(3)一端位置,所述安裝板(3)中間位置設有安裝方孔(33),所述安裝方孔(33)的左右兩側壁上對稱安裝有能定距移動的夾持安裝組件,所述磁控濺射腔室(1)內壁上通過連接桿(51)安裝有側板(5),所述側板(5)內側設有滑槽,所述安裝板(3)兩側壁上設有與滑槽匹配的滑軌(31),所述安裝板(3)上表面兩側在遠離封閉板(2)的位置設有向外延展的擋塊(32),所述側板(5)在磁控濺射腔室(1)內靠近安裝口位置上方設有阻擋組件,所述封閉板(2)內側面靠近邊緣一周設有密封圈墊(21)。

    2.根據權利要求1所述的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:所述密封組件包括方形密封件(4)以及方形密封墊(41),所述方形密封件(4)的中間方孔寬度小于安裝口寬度、大于安裝板(3)的寬度,所述方形密封墊(41)的中間方孔寬度等于安裝口寬度,所述方形密封件(4)在磁控濺射腔室(1)內貼在安裝口位置并在與內壁之間墊有方形密封墊(41),利用螺栓(42)從所述磁控濺射腔室(1)外壁旋入內部并貫穿旋入方形密封件(4)內。

    3.根據權利要求1所述的一種磁控濺射方塊硅靶材安裝結構,其特征在于:所述夾持安裝組件包括擠壓板(7)、限位桿(72)、推動結構(8)和左右夾持結構,所述擠壓板(7)內側邊上設有內凹的搭...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:王鳳蓮,王霖,羅侃,習國清
    申請(專利權)人:深圳市鼎信表面處理科技有限公司,
    類型:新型
    國別省市:

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