制造加速度傳感器的方法技術

本發(fā)明專利技術提供了一種制造加速度傳感器的方法，其步驟如下：提供一單晶硅襯底；在單晶硅襯底上沉積絕緣層；在所述絕緣層上沉積犧牲層；利用光刻在犧牲層的表面刻蝕出若干凹槽，使所述凹槽貫穿整個犧牲層至絕緣層；在被刻蝕后的犧牲層上及凹槽內(nèi)沉積多晶硅，使多晶硅表面形成與若干凹槽對應的凹孔；在兩個相鄰的凹孔間，用光刻刻蝕出若干間隙，從而得出所需的結構；釋放犧牲層。本發(fā)明專利技術生產(chǎn)成本低，設計靈活。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及一種制造傳感器的方法，尤其涉及一種。
技術介紹
隨著科學技術的發(fā)展，加速度傳感器已越來越多地應用到各類便攜式電子產(chǎn)品 中，例如移動電話、照相機、攝像機、游戲機及筆記本電腦等。它可以很好地測量出空間內(nèi) 運動物體在某個方向上的加速力，進而獲取其運動的信息，并做出反饋。SOI (Silicon On Insulator，絕緣襯底上的硅)，是目前較為廣泛應用的制造單 軸或雙軸加速度傳感器的方法，它是在半導體硅和絕緣層之間設置一層氧化層的方法實現(xiàn) 的，但這種方法的成本太高，不利于降低生產(chǎn)成本，難以實現(xiàn)用戶對產(chǎn)品的高性能且低成本 的要求。因此，有必要提出一種新的。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術需解決的技術問題在于提供一種低成本、使產(chǎn)品具備設計靈活性的制造加 速度傳感器的方法。本專利技術通過這樣的技術方案解決技術問題—種，其中，該方法包括如下步驟A、提供一單晶硅襯底；B、在單晶硅襯底上沉積絕緣層；C、在所述絕緣層上沉積犧牲層；D、利用光刻在犧牲層的表面刻蝕出若干凹槽，使所述凹槽貫穿整個犧牲層至絕緣 層；E、在被刻蝕后的犧牲層上及凹槽內(nèi)沉積多晶硅，使多晶硅表面形成與若干凹槽對 應的凹孔；F、在兩個相鄰的凹孔間，用光刻刻蝕出若干間隙，從而得出所需的結構；G、釋放犧牲層。作為本專利技術的一種改進，所述絕緣層是采用化學氣相沉積的方法而形成的Si3Ni4 層。6、作為本專利技術的一種改進，所述犧牲層是采用化學氣相沉積的方法而形成的磷硅 玻璃層或硼硅玻璃層。作為本專利技術的一種改進，所述凹槽的個數(shù)為兩個。作為本專利技術的一種改進，所述犧牲層的釋放是采用氫氟酸來釋放的。本技術具有以下優(yōu)點由于利用單晶硅來制造加速度傳感器，就可以大大降 低生產(chǎn)成本，同時，也使得產(chǎn)品的設計具備靈活性，能很好地滿足用戶對產(chǎn)品高性價比的要 求。附圖說明圖1至圖6為本專利技術的流程圖。具體實施方式下面結合附圖和實施方式對本專利技術作進一步說明。本專利技術提供一種基于單晶硅襯底而加工的加速度傳感器的方法。圖1至圖6所示 為本專利技術制造加速度傳感器10的方法，其具體操作步驟如下A、如圖1所示，提供一單晶硅襯底11，并在其上沉積絕緣層12，在本實施方式中， 該絕緣層12是采用化學氣相沉積的方法而形成的Si3Ni4層；B、如圖2所示，在所述絕緣層12上沉積犧牲層13，在本實施方式中，該犧牲層13 是采用化學氣相沉積的方法而形成的磷硅玻璃層或硼硅玻璃層；C、如圖3所示，利用光刻在犧牲層13的表面130上刻蝕出若干凹槽131，在本實施 方式中，凹槽131的個數(shù)為兩個，且該凹槽131自表面130向遠離該表面的方向延伸，使之 貫穿整個犧牲層13至絕緣層12 ；D、如圖4所示，在犧牲層13的表面130上及凹槽131內(nèi)沉積多晶硅14，并在多晶 硅的表面140上形成與若干凹槽130相對應的凹孔141 ；E、如圖5所示，在兩個相鄰的凹孔間，用光刻刻蝕出若干間隙141，從而得出所需 的結構；F、利用氫氟酸來釋放犧牲層13，如圖6中所示，即是釋放犧牲層13后，最終得到的 加速度傳感器10的結構。本專利技術中所提高的化學氣相沉積，是指反應物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反應，生 成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進而制得固體材料的工藝技術。綜上，由于利用單晶硅來制造加速度傳感器，就可以大大降低生產(chǎn)成本，同時，也 使得產(chǎn)品的設計具備靈活性，能很好地滿足用戶對產(chǎn)品高性價比的要求。以上所述的僅是本專利技術的實施方式，在此應當指出，對于本領域的普通技術人員 來說，在不脫離本專利技術創(chuàng)造構思的前提下，還可以做出改進，但這些均屬于本專利技術的保護范 圍。權利要求一種，其特征在于該方法包括如下步驟A、提供一單晶硅襯底；B、在單晶硅襯底上沉積絕緣層；C、在所述絕緣層上沉積犧牲層；D、利用光刻在犧牲層的表面刻蝕出若干凹槽，使所述凹槽貫穿整個犧牲層至絕緣層；E、在被刻蝕后的犧牲層上及凹槽內(nèi)沉積多晶硅，使多晶硅表面形成與若干凹槽對應的凹孔；F、在兩個相鄰的凹孔間，用光刻刻蝕出若干間隙，從而得出所需的結構；G、釋放犧牲層。2.根據(jù)權利要求1所述的，其特征在于所述絕緣層是采用 化學氣相沉積的方法而形成的Si3Ni4層。3.根據(jù)權利要求1所述的，其特征在于所述犧牲層是采用 化學氣相沉積的方法而形成的磷硅玻璃層或硼硅玻璃層。4.根據(jù)權利要求1所述的，其特征在于所述凹槽的個數(shù)為 兩個。5.根據(jù)權利要求1所述的，其特征在于所述犧牲層的釋放 是采用氫氟酸來釋放的。全文摘要本專利技術提供了一種，其步驟如下提供一單晶硅襯底；在單晶硅襯底上沉積絕緣層；在所述絕緣層上沉積犧牲層；利用光刻在犧牲層的表面刻蝕出若干凹槽，使所述凹槽貫穿整個犧牲層至絕緣層；在被刻蝕后的犧牲層上及凹槽內(nèi)沉積多晶硅，使多晶硅表面形成與若干凹槽對應的凹孔；在兩個相鄰的凹孔間，用光刻刻蝕出若干間隙，從而得出所需的結構；釋放犧牲層。本專利技術生產(chǎn)成本低，設計靈活。文檔編號G01P15/00GK101907635SQ20101022792公開日2010年12月8日 申請日期2010年7月15日 優(yōu)先權日2010年7月15日專利技術者楊斌 申請人:瑞聲聲學科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種制造加速度傳感器的方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：　　Ａ、提供一單晶硅襯底；　　Ｂ、在單晶硅襯底上沉積絕緣層；　　Ｃ、在所述絕緣層上沉積犧牲層；　　Ｄ、利用光刻在犧牲層的表面刻蝕出若干凹槽，使所述凹槽貫穿整個犧牲層至絕緣層；　　Ｅ、在被刻蝕后的犧牲層上及凹槽內(nèi)沉積多晶硅，使多晶硅表面形成與若干凹槽對應的凹孔；　　Ｆ、在兩個相鄰的凹孔間，用光刻刻蝕出若干間隙，從而得出所需的結構；　　Ｇ、釋放犧牲層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：楊斌，
申請(專利權)人：瑞聲聲學科技深圳有限公司，瑞聲微電子科技常州有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：94[中國|深圳]