【技術實現步驟摘要】
本申請屬于太陽能電池，尤其涉及一種鈣鈦礦電池及其制作方法、電池組件和光伏系統。
技術介紹
1、太陽能電池發電為一種可持續的清潔能源來源，其利用半導體p-n結的光生伏特效應可以將太陽光轉化成電能。利用鈣鈦礦作為吸光層的太陽能電池為鈣鈦礦電池。
2、相關技術中，制作鈣鈦礦電池時，通常制作鈣鈦礦層、載流子傳輸層和電極。然而如此，鈣鈦礦電池的光電轉換效率較差。
3、基于此，如何制作鈣鈦礦電池以提高光電轉換效率，成為了亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本申請提供一種鈣鈦礦電池及其制作方法、電池組件和光伏系統，旨在解決如何制作鈣鈦礦電池以提高光電轉換效率的問題。
2、本申請提供的鈣鈦礦電池的制作方法，包括：
3、在基底制作第一載流子傳輸層；
4、在所述第一載流子傳輸層制作鈣鈦礦層；
5、在所述鈣鈦礦層制作第二載流子傳輸層；
6、在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層，緩沖層的厚度為15nm-35nm；
7、利用氫氣和氧氣，采用濺射工藝，在所述緩沖層制作i?zo導電層；
8、在所述i?zo導電層制作電極。
9、具體地，所述緩沖層包括sno2、zno、t?io2、a?l2o3、vox、zro2中的至少一種。
10、具體地，在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層，包括：
11、采用ald工藝，在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層。
12、具體地，采用ald工藝
13、將腔室內溫度加熱到預設溫度；
14、在腔室內加壓到預設壓力；
15、向腔室內通入材料源、氧源和吹掃氣體，在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層。
16、具體地，所述氧源包括過氧化氫、臭氧、氧氣、水中的至少一種。
17、具體地，所述緩沖層包括sno2層，所述預設溫度為50℃-200℃，所述預設壓力為10pa-20pa，所述吹掃氣體的流量為10sccm-200sccm，所述材料源包括四二甲氨基錫，所述四二甲氨基錫的蒸發溫度為50℃-90℃，所述四二甲氨基錫的載氣的流量為10sccm-20sccm。
18、具體地，在所述利用氫氣和氧氣采用濺射工藝在所述緩沖層制作i?zo導電層的步驟中，濺射氣壓為0.1pa-1.1pa。
19、具體地，在所述利用氫氣和氧氣采用濺射工藝在所述緩沖層制作i?zo導電層的步驟中，氫氣流量為1.1sccm-1.8sccm，氧氣流量為3.5sccm-5.5sccm，濺射功率為80w-200w。
20、具體地，所述i?zo導電層的厚度為85nm-150nm。
21、具體地，在所述在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層的步驟之后，在所述利用氫氣和氧氣采用濺射工藝在所述緩沖層制作i?zo導電層的步驟之前，所述制作方法包括：
22、利用非氫氣體，采用濺射工藝，在所述緩沖層制作i?zo緩沖膜。
23、具體地，在所述利用非氫氣體采用濺射工藝在所述緩沖層制作i?zo緩沖膜的步驟中，濺射氣壓為0.1pa-0.5pa，氧氣流量為3.5sccm-5.5sccm，氬氣流量為70sccm-90sccm，濺射功率為80w-200w。
24、具體地，所述i?zo緩沖膜的厚度為10nm-30nm。
25、本申請提供的鈣鈦礦電池，采用上述任一項的鈣鈦礦電池的制作方法制成。
26、本申請提供的電池組件，包括上述任一項的鈣鈦礦電池。
27、本申請提供的光伏系統，包括上述的電池組件。
28、本申請實施例的鈣鈦礦電池及其制作方法、電池組件和光伏系統，由于緩沖層的厚度為15nm-35nm，故在利用氫氣制作i?zo導電層時，可以在制成品質更好的i?zo導電層的同時，利用緩沖層保護基底、第一載流子傳輸層、鈣鈦礦層和第二載流子傳輸層的層疊結構，使得層疊結構能夠更好地抵抗氫離子的刻蝕作用和濺射損傷。這樣，有利于提高鈣鈦礦電池的光電轉換效率。
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1.一種鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述緩沖層包括SnO2、ZnO、TiO2、Al2O3、VOX、ZrO2中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層，包括：
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，采用ALD工藝在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層，包括：
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述氧源包括過氧化氫、臭氧、氧氣、水中的至少一種。
6.根據權利要求4所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述緩沖層包括SnO2層，所述預設溫度為50℃-200℃，所述預設壓力為10Pa-20Pa，所述吹掃氣體的流量為10sccm-200sccm，所述材料源包括四二甲氨基錫，所述四二甲氨基錫的蒸發溫度為50℃-90℃，所述四二甲氨基錫的載氣的流量為10sccm-20sccm。
7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述利用氫氣
8.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述利用氫氣和氧氣采用濺射工藝在所述緩沖層制作IZO導電層的步驟中，氫氣流量為1.1sccm-1.8sccm，氧氣流量為3.5sccm-5.5sccm，濺射功率為80w-200w。
9.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述IZO導電層的厚度為85nm-150nm。
10.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層的步驟之后，在所述利用氫氣和氧氣采用濺射工藝在所述緩沖層制作IZO導電層的步驟之前，所述制作方法包括：
11.根據權利要求10所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述利用非氫氣體采用濺射工藝在所述緩沖層制作IZO緩沖膜的步驟中，濺射氣壓為0.1Pa-0.5Pa，氧氣流量為3.5sccm-5.5sccm，氬氣流量為70sccm-90sccm，濺射功率為80w-200w。
12.根據權利要求10所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述IZO緩沖膜的厚度為10nm-30nm。
13.一種鈣鈦礦電池，其特征在于，采用權利要求1-12任一項所述的鈣鈦礦電池的制作方法制成。
14.一種電池組件，其特征在于，包括權利要求13所述的鈣鈦礦電池。
15.一種光伏系統，其特征在于，包括權利要求14所述的電池組件。
...【技術特征摘要】
1.一種鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述緩沖層包括sno2、zno、tio2、al2o3、vox、zro2中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層，包括：
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，采用ald工藝在所述第二載流子傳輸層制作緩沖層，包括：
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述氧源包括過氧化氫、臭氧、氧氣、水中的至少一種。
6.根據權利要求4所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，所述緩沖層包括sno2層，所述預設溫度為50℃-200℃，所述預設壓力為10pa-20pa，所述吹掃氣體的流量為10sccm-200sccm，所述材料源包括四二甲氨基錫，所述四二甲氨基錫的蒸發溫度為50℃-90℃，所述四二甲氨基錫的載氣的流量為10sccm-20sccm。
7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述利用氫氣和氧氣采用濺射工藝在所述緩沖層制作izo導電層的步驟中，濺射氣壓為0.1pa-1.1pa。
8.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電池的制作方法，其特征在于，在所述利用氫氣...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱昭，王宏濤，宋立鵬，胡佳琪，邱開富，王永謙，陳剛，
申請(專利權)人：浙江愛旭太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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