低功高亮的硅基OLED顯示模組及虛擬現(xiàn)實(shí)顯示設(shè)備制造技術(shù)

本技術(shù)涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種低功高亮的硅基OLED顯示模組及虛擬現(xiàn)實(shí)顯示設(shè)備，該低功高亮的硅基OLED顯示模組包括中，發(fā)光件設(shè)于硅基背板，發(fā)光件為一個(gè)整體；封裝層設(shè)于發(fā)光件遠(yuǎn)離硅基背板的一側(cè)；微透鏡設(shè)有若干個(gè)，且呈矩陣狀排布，微透鏡設(shè)于封裝層遠(yuǎn)離硅基背板的一側(cè)，微透鏡的凸面朝向發(fā)光件；CF濾光件設(shè)有若干個(gè)，且成矩陣狀排布，且在Z方向上，每個(gè)微透鏡正對(duì)一個(gè)CF濾光件；CF濾光件設(shè)于微透鏡遠(yuǎn)離發(fā)光件的一側(cè)。上述設(shè)置在發(fā)光件功耗不變的前提下，大大提高了硅基OLED顯示模組的亮度，滿足了在近眼顯示產(chǎn)品中應(yīng)用需求。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及l(fā)ed，尤其涉及一種低功高亮的硅基oled顯示模組及虛擬現(xiàn)實(shí)顯示設(shè)備。

技術(shù)介紹

1、在5g網(wǎng)絡(luò)和萬物互聯(lián)的大趨勢(shì)下，硅基oled顯示技術(shù)在結(jié)合面板與半導(dǎo)體技術(shù)基礎(chǔ)上飛速發(fā)展。

2、硅基oled適用于頭戴顯示器、立體顯示鏡等近眼顯示場(chǎng)景，為了保證終端設(shè)備的穿戴舒適性，因此需要開發(fā)高亮度低功耗的產(chǎn)品以滿足市場(chǎng)需求。由于目前硅基oled白光器件中發(fā)光層的兩側(cè)有傳輸層和阻擋層等功能層，且封裝后有cf(彩色)濾光層，導(dǎo)致硅基oled的產(chǎn)品亮度普遍在3000nits以下，而特殊戶外場(chǎng)景對(duì)產(chǎn)品的亮度要求甚至達(dá)到20000nits，因此現(xiàn)有的硅基oled的產(chǎn)品亮度無法滿足使用要求。

3、因此，亟待開發(fā)低功耗高亮度的硅基oled顯示模組，以滿足在近眼顯示產(chǎn)品中的應(yīng)用需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提供一種低功高亮的硅基oled顯示模組及虛擬現(xiàn)實(shí)顯示設(shè)備，以解決現(xiàn)有的硅基oled的產(chǎn)品亮度低，無法滿足在近眼顯示產(chǎn)品中的使用要求的問題。

2、為達(dá)上述目的，本技術(shù)采用以下技術(shù)方案：

3、一方面，本技術(shù)提供一種低功高亮的硅基oled顯示模組，該低功高亮的硅基oled顯示模組包括：

4、硅基背板；

5、發(fā)光件，所述發(fā)光件設(shè)于所述硅基背板；

6、封裝層，設(shè)于所述發(fā)光件遠(yuǎn)離所述硅基背板的一側(cè)；

7、微透鏡，所述微透鏡設(shè)有若干個(gè)，且呈矩陣狀排布，所述微透鏡設(shè)于所述封裝層遠(yuǎn)離所述硅基背板的一側(cè)，所述微透鏡的凸面朝向所述發(fā)光件；

8、cf濾光件，所述cf濾光件設(shè)有若干個(gè)，且成矩陣狀排布，所述cf濾光件設(shè)于所述微透鏡遠(yuǎn)離所述發(fā)光件的一側(cè)；且在z方向上，每個(gè)所述微透鏡正對(duì)一個(gè)所述cf濾光件。

9、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述微透鏡的尺寸小于單個(gè)所述cf濾光件的尺寸。

10、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述微透鏡呈半球狀。

11、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述微透鏡的折射率在1.6-2.2之間。

12、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述微透鏡的直徑尺寸小于10μm。

13、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述微透鏡的材質(zhì)為pdms。

14、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述微透鏡通過納米壓印技術(shù)制備。

15、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述低功高亮的硅基oled顯示模組包括防護(hù)層，所述防護(hù)層設(shè)于所述cf濾光件遠(yuǎn)離所述硅基背板的一側(cè)，所述防護(hù)層為透光材質(zhì)。

16、作為一種低功高亮的硅基oled顯示模組的可選技術(shù)方案，所述防護(hù)層包括玻璃蓋板。

17、另一方面，本技術(shù)提供一種虛擬現(xiàn)實(shí)顯示設(shè)備，包括頭戴支架和上述任一方案中的低功高亮的硅基oled顯示模組，所述低功高亮的硅基oled顯示模組設(shè)于所述頭戴支架。

18、本技術(shù)的有益效果為：

19、本技術(shù)提供一種低功高亮的硅基oled顯示模組及虛擬現(xiàn)實(shí)顯示設(shè)備，該低功高亮的硅基oled顯示模組在硅基背板上設(shè)置發(fā)光件和封裝層，并在封裝層遠(yuǎn)離硅基背板的一側(cè)設(shè)置微透鏡，且微透鏡的凸面朝向發(fā)光件，用于將發(fā)光件的光進(jìn)行收集后從cf濾光件透出，從而使得從單個(gè)cf濾光件透出的光來自大于cf濾光件面積的發(fā)光件，即部分發(fā)光件發(fā)出的光通過相鄰的微透鏡的聚集后分別進(jìn)入相鄰的cf濾光件，在發(fā)光件功耗不變的前提下，大大提高了硅基oled顯示模組的亮度，滿足了在近眼顯示產(chǎn)品中的應(yīng)用需求。

本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)呈半球狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)的折射率在1.6-2.2之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)的直徑尺寸小于10μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)的材質(zhì)為PDMS。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)通過納米壓印技術(shù)制備。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，所述低功高亮的硅基OLED顯示模組包括防護(hù)層(600)，所述防護(hù)層(600)設(shè)于所述CF濾光件(500)遠(yuǎn)離所述硅基背板(100)的一側(cè)，所述防護(hù)層(600)為透光材質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，其特征在于，所述防護(hù)層(600)包括玻璃蓋板。

9.虛擬現(xiàn)實(shí)顯示設(shè)備，其特征在于，包括頭戴支架和權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的低功高亮的硅基OLED顯示模組，所述低功高亮的硅基OLED顯示模組設(shè)于所述頭戴支架。

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【技術(shù)特征摘要】

1.低功高亮的硅基oled顯示模組，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功高亮的硅基oled顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)呈半球狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低功高亮的硅基oled顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)的折射率在1.6-2.2之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低功高亮的硅基oled顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)的直徑尺寸小于10μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功高亮的硅基oled顯示模組，其特征在于，所述微透鏡(400)的材質(zhì)為pdms。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低功高亮的硅基oled顯示模...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱成顯，孫劍，曹朝干，周文斌，李高敏，潘非，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：昆山夢(mèng)顯電子科技有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：