【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請實施例涉及保護電路，尤其涉及一種超低漏電的esd保護電路及芯片。
技術(shù)介紹
1、隨著電器在生活中的運用，靜電放電也成為了一種常見現(xiàn)象。在電器的制造或使用中，都有可能發(fā)生靜電放電(electrostatic?discharge，esd)。由于靜電放電的瞬間電壓通常非常高(>幾千伏)，靜電放電對元器件的損傷是毀滅性和永久性的，會造成集成電路直接燒毀。因此，預(yù)防靜電損傷是所有集成電路設(shè)計和制造的頭號難題。
2、目前針對靜電放電現(xiàn)象的解決辦法是，在制造設(shè)備時對電路設(shè)置硬件防護。常用的防護硬件例如二極管，利用電路正常工作時處于截止?fàn)顟B(tài)，不影響電路正常工作，當(dāng)電路出現(xiàn)異常過壓并達到其擊穿電壓時，迅速導(dǎo)通使瞬間電流流出，同時把異常高壓箝制在一個安全水平之內(nèi)，從而保護被保護的集成電路或線路。
3、但二極管在反向截止的時候，并不是完全理想的截止，依舊會有漏電流流出。大的漏電流會給電路帶來較大的損耗，特別在高壓應(yīng)用場合。因此，如何降低電路中的漏電流，成為一個亟待解決的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、鑒于上述問題，本申請實施例提供了一種超低漏電的esd保護電路及芯片，可以降低電路中的漏電流。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種超低漏電的esd保護電路，輸入端與第一pin腳連接，輸出端與第二pin腳連接；超低漏電的esd保護電路包括串聯(lián)的esd模塊和漏電控制模塊，漏電控制模塊的阻斷電阻大于esd模塊的阻斷電阻，以阻止第一pin腳的電流經(jīng)過esd保護電路流出第二p
3、在一種可能的實現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)谝籶in腳與第二pin腳之間的電壓大于或等于第一閾值時，esd模塊和漏電控制模塊導(dǎo)通，以使第一pin腳的電流經(jīng)過esd保護電路傳導(dǎo)至第二pin腳。
4、在一種可能的實現(xiàn)方式中，漏電控制模塊包括相連接的低漏電開關(guān)和第一電壓控制模塊。
5、第一電壓控制模塊，用于控制低漏電開關(guān)的兩端電壓，以調(diào)節(jié)低漏電開關(guān)的關(guān)閉程度。
6、在一種可能的實現(xiàn)方式中，低漏電開關(guān)包括第一mos管，第一電壓控制模塊的輸入端連接第一mos管的漏極，第一電壓控制模塊的第一輸出端連接第一mos管的柵極，第一電壓控制模塊的第二輸出端連接第一mos管的源極。
7、第一電壓控制模塊，用于將第一mos管的漏極電壓轉(zhuǎn)化為第一輸出電壓和第二輸出電壓，并通過第一輸出端輸出第一輸出電壓，通過第二輸出端輸出第二輸出電壓。其中，第一輸出電壓大于第二輸出電壓，以使第一mos管的柵極電壓大于第一mos管的源極電壓。
8、在一種可能的實現(xiàn)方式中，esd模塊包括第二mos管，第二mos管的源極與第一pin腳連接，第二mos管的漏極與第一mos管的源極連接。
9、在一種可能的實現(xiàn)方式中，電路還包括第二電壓控制模塊和第三電壓控制模塊。第二電壓控制模塊分別連接第一pin腳、第二pin腳和第一mos管的柵極，第三電壓控制模塊分別連接第一pin腳、第二pin腳和第二mos管的柵極。
10、第二電壓控制模塊用于控制第一mos管的柵極電壓，第三電壓控制模塊用于控制第二mos管的柵極電壓，以控制第一pin腳與第二pin腳之間的電壓。
11、在一種可能的實現(xiàn)方式中，第二電壓控制模塊包括第一電容，第一pin腳和第一mos管的柵極均與第一電容的輸入端連接，第二pin腳與第一電容的輸出端連接；第三電壓控制模塊包括第二電容，第一pin腳和第二mos管的柵極均與第二電容的輸入端連接，第二pin腳與第二電容的輸出端連接。
12、在一種可能的實現(xiàn)方式中，還包括二次漏電保護模塊，二次漏電保護模塊與低漏電開關(guān)串聯(lián)，二次漏電保護模塊包括電阻、二極管、雙極性晶體管和可控硅中的至少一項。
13、第二方面，本申請實施例提供了一種芯片，包括如第一方面中任一項的超低漏電的esd保護電路。
14、在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一pin腳為電源端，第二pin腳為pad。或，第一pin腳為pad，第二pin腳為接地端。
15、本申請實施例提供的超低漏電的esd保護電路及芯片，通過將esd模塊和漏電控制模塊串聯(lián)，增加了靜電流從電路中經(jīng)過esd模塊和漏電控制模塊后流出的阻礙，降低了靜電流流出電路的可能性，并通過使漏電控制模塊的阻斷電阻大于esd模塊的阻斷電阻，在電流從esd模塊流出的路徑上增設(shè)阻礙，阻止靜電從esd模塊流出，從而可以進一步地加強電路的靜電保護，降低電路中的漏電流。上述說明僅是本申請實施例技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請實施例的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本申請實施例的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護點】
1.一種超低漏電的ESD保護電路，其特征在于，所述ESD保護電路的輸入端與第一PIN腳連接，所述ESD保護電路的輸出端與第二PIN腳連接；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，當(dāng)所述第一PIN腳與所述第二PIN腳之間的電壓大于或等于第一閾值時，所述ESD模塊和所述漏電控制模塊導(dǎo)通，以使所述第一PIN腳的電流經(jīng)過所述ESD保護電路傳導(dǎo)至所述第二PIN腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述漏電控制模塊包括相連接的低漏電開關(guān)和第一電壓控制模塊；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述低漏電開關(guān)包括第一MOS管，所述第一電壓控制模塊的輸入端連接所述第一MOS管的漏極，所述第一電壓控制模塊的第一輸出端連接所述第一MOS管的柵極，所述第一電壓控制模塊的第二輸出端連接所述第一MOS管的源極；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述ESD模塊包括第二MOS管，所述第二MOS管的源極與所述第一PIN腳連接，所述第二MOS管的漏極與所述第一MOS管的源極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述第二電壓控制模塊包括第一電容，所述第一PIN腳和所述第一MOS管的柵極均與所述第一電容的輸入端連接，所述第二PIN腳與所述第一電容的輸出端連接；
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，還包括二次漏電保護模塊，所述二次漏電保護模塊與所述低漏電開關(guān)串聯(lián)，所述二次漏電保護模塊包括電阻、二極管、雙極性晶體管和可控硅中的至少一項。
9.一種芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8中任一項所述的超低漏電的ESD保護電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片，其特征在于，所述第一PIN腳為電源端，所述第二PIN腳為PAD；或，所述第一PIN腳為PAD，所述第二PIN腳為接地端。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種超低漏電的esd保護電路，其特征在于，所述esd保護電路的輸入端與第一pin腳連接，所述esd保護電路的輸出端與第二pin腳連接；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，當(dāng)所述第一pin腳與所述第二pin腳之間的電壓大于或等于第一閾值時，所述esd模塊和所述漏電控制模塊導(dǎo)通，以使所述第一pin腳的電流經(jīng)過所述esd保護電路傳導(dǎo)至所述第二pin腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述漏電控制模塊包括相連接的低漏電開關(guān)和第一電壓控制模塊；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述低漏電開關(guān)包括第一mos管，所述第一電壓控制模塊的輸入端連接所述第一mos管的漏極，所述第一電壓控制模塊的第一輸出端連接所述第一mos管的柵極，所述第一電壓控制模塊的第二輸出端連接所述第一mos管的源極；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述esd模塊包括第二mos管，所述第二mos管的源極與所述第一pin腳連接，所述第二mos管的漏極與所述第一mos管的源極連接。
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳原，王建，
申請(專利權(quán))人：上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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