【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)要求于2009年5月20日提交的在35U. S. C. § 119 (e)下的美國臨時(shí)申請(qǐng) No. 61/216, 795的優(yōu)先權(quán),該申請(qǐng)的內(nèi)容全部被引入本專利技術(shù)作為參考。本專利技術(shù)涉及氰尿酸酯樹脂,它特別適用于作為在外涂光刻膠下層的涂料組合物的 組分。
技術(shù)介紹
光刻膠是用于將圖像轉(zhuǎn)移到基材上的感光膜。在基材上形成光刻膠涂層,然后經(jīng) 光掩模將所述光刻膠層在活化射線源曝光。所述光掩模具有對(duì)活化射線不透明的區(qū)域和透 明的其它區(qū)域。活化射線曝光使得光刻膠涂層發(fā)生光致轉(zhuǎn)變或化學(xué)轉(zhuǎn)變,從而將光掩模的 圖案轉(zhuǎn)移到所述光刻膠涂覆的基材上。曝光后,將光刻膠顯影以提供一種允許對(duì)基材進(jìn)行 選擇性加工的浮雕圖像。光刻膠主要用于半導(dǎo)體制造業(yè),目的是將高度拋光的半導(dǎo)體片如硅或砷化鎵,轉(zhuǎn) 化成起電路作用的電子傳導(dǎo)路線的復(fù)合物基體。適當(dāng)?shù)墓饪坦に囀沁_(dá)到這一目的關(guān)鍵。雖 然各種光刻工藝步驟之間存在很強(qiáng)的相關(guān)性,曝光被認(rèn)為是獲得高分辨率光刻膠圖像的最 重要的步驟之一。用于曝光光刻膠的活化射線的反射常常會(huì)使光刻膠層上的成像的分辨率受到限 制。來自基材/光刻膠界面的輻射反射會(huì)使光刻膠中的輻射強(qiáng)度產(chǎn)生空間改變,導(dǎo)致在顯 影時(shí)產(chǎn)生不均勻的光刻膠線寬。另外,射線還會(huì)由基材/光刻膠界面散射到光刻膠的非預(yù) 定曝光區(qū)域,從而再次產(chǎn)生線寬改變。已經(jīng)使用的降低射線反射問題的一個(gè)途徑是在基材表面和光刻膠涂層之間插入 射線吸收層。參見美國專利7425403。電子設(shè)備制造業(yè)不斷尋求各種減反射涂層來提高光刻膠成像的分辨率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
在一個(gè)方面,我們提供了新的樹脂,其包含(i)包含氰尿酸酯型基團(tuán)的重復(fù)單 ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種與外涂光刻膠一起使用的涂料組合物,該涂料組合物包含一種包含氰尿酸酯基團(tuán)和疏水性基團(tuán)的樹脂。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:A贊皮尼,GB韋頓,V簡恩,劉驄,S克雷,O昂格伊,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:羅門哈斯電子材料有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:US[美國]
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