【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體，具體而言，涉及一種半導體封裝基板、半導體封裝基板的制造方法及半導體封裝結構。
技術介紹
1、金手指是在印刷電路板上靠近板邊的位置布置的金屬觸片，可以用于印刷電路板之間的連接，能夠起到傳輸信號的作用。
2、在半導體封裝打線過程中，金手指表面需要焊接金線。隨著封裝要求的提升，金手指的表面寬度逐漸減小，金線的直徑也隨之減小。
3、然而，金線的直徑減小，必然導致焊點的結合面積變小，結合力降低，焊接質量下降。
4、需要說明的是，在上述
技術介紹
部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
技術實現思路
1、本公開的目的在于克服上述現有技術中的不足，提供一種半導體封裝基板、半導體封裝基板的制造方法及半導體封裝結構，以提高金手指與金線之間焊點的結合力。
2、根據本公開的一個方面，提供一種半導體封裝基板，包括：基板；金手指本體，形成于所述基板上；其中，所述金手指本體的表面上形成有凹陷區域，所述凹陷區域用于壓合金線。
3、本公開的一種示例性實施方式中，所述凹陷區域包括至少一個過蝕孔。
4、本公開的一種示例性實施方式中，所述過蝕孔的深度小于3um。
5、本公開的一種示例性實施方式中，所述過蝕孔為階梯狀結構。
6、本公開的一種示例性實施方式中，所述階梯狀結構包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。<...
【技術保護點】
1.一種半導體封裝基板，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述凹陷區域包括至少一個過蝕孔。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述過蝕孔的深度小于3um。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述過蝕孔為階梯狀結構。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述階梯狀結構包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述第一深度孔的深度小于或等于1/3倍的所述金線的直徑。
7.根據權利要求4所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述階梯狀結構的階梯位置位于壓頭著力點下方。
8.根據權利要求2所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述過蝕孔的截面形狀為圓形、星形、三角形和多邊形中的一種。
9.根據權利要求2所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述過蝕孔有多個，多個所述過蝕孔陣列排布。
10.根據權利要求1-9中任一項所述的
11.一種半導體封裝基板的制作方法，其特征在于，包括：
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述金手指本體的表面刻蝕凹陷區域，包括：
13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述凹陷區域包括階梯狀結構的刻蝕孔，所述階梯狀結構包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。
14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述在所述金手指本體的表面刻蝕凹陷區域，包括：
15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，對所述金手指本體與所述第二開孔對應的區域進行蝕刻的蝕刻深度為所述第一深度孔和所述第二深度孔的深度差值；
16.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝基板，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述凹陷區域包括至少一個過蝕孔。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述過蝕孔的深度小于3um。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述過蝕孔為階梯狀結構。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述階梯狀結構包括第一深度孔和第二深度孔，所述第一深度孔的深度大于所述第二深度孔的深度。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述第一深度孔的深度小于或等于1/3倍的所述金線的直徑。
7.根據權利要求4所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述階梯狀結構的階梯位置位于壓頭著力點下方。
8.根據權利要求2所述的半導體封裝基板，其特征在于，所述過蝕孔的截面形狀為圓形、星形、三角形和多邊形中的一種。
9.根據權利要求2所述的半...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王海林，
申請(專利權)人：長鑫存儲技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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