本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)涉及電子器件制備技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，包括以下步驟：提供一立體結(jié)構(gòu)的基材，基材包括相鄰異面上的正向鍍膜面和側(cè)向鍍膜面，基材上還設(shè)有間隔物，間隔物與側(cè)向鍍膜面之間形成有縫隙；對(duì)基材進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，蒸鍍粒子的入射方向朝向正向鍍膜面，沿入射方向射向正向鍍膜面的蒸鍍粒子沉積在正向鍍膜面上至少形成第一薄膜，沿入射方向射向縫隙的蒸鍍粒子在縫隙中改變運(yùn)動(dòng)方向并沉積在側(cè)向鍍膜面上，以形成與第一薄膜相連續(xù)的第二薄膜。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)利用間隔物與待鍍膜表面之間形成縫隙，蒸鍍粒子在通過(guò)縫隙時(shí)會(huì)改變運(yùn)動(dòng)方向，使得原本不能沉積薄膜的表面上形成薄膜，從而改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋率。
1、作為一種常見(jiàn)的金屬制備方式，蒸發(fā)鍍膜廣泛應(yīng)用于微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanical?systems，mems)行業(yè)。蒸發(fā)鍍膜的原理是：加熱金屬，當(dāng)溫度高于金屬蒸發(fā)溫度時(shí)，金屬蒸汽從源自由擴(kuò)散至基材表面，進(jìn)而成膜。蒸發(fā)鍍膜具有溫度低、應(yīng)力小、衍射效應(yīng)弱等優(yōu)點(diǎn)，尤其是相比于磁控濺射，更適于進(jìn)行剝離(lift-off)工藝中的膜層制備。
2、蒸發(fā)鍍膜的原理決定了其成膜具有較好的方向性，但另一方面，較好的方向性意味著更低的臺(tái)階覆蓋率，其中，臺(tái)階覆蓋率是指某一深度下臺(tái)階側(cè)壁的膜層厚度與上表面的膜層厚度的比值。如圖1中的(a)所示，當(dāng)金屬粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡完全與基材1的上表面垂直時(shí)，臺(tái)階側(cè)壁(1a和1b)從理論上而言是不能沉積薄膜2的；再如圖1中的(b)所示，如果使金屬粒子的入射方向與基材1的上表面傾斜時(shí)，可以使朝向金屬粒子的入射方向上的第一側(cè)壁1a上沉積薄膜2，但對(duì)另一個(gè)方向上的第二側(cè)壁1b上依然無(wú)法沉積薄膜。因此，蒸發(fā)鍍膜的上述缺點(diǎn)導(dǎo)致了其在具有立體結(jié)構(gòu)的基材上的應(yīng)用受到限制。
1、本專(zhuān)利技術(shù)提供一種改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，用以解決現(xiàn)有蒸發(fā)鍍膜的制備方法不能對(duì)立體結(jié)構(gòu)基材上的側(cè)壁進(jìn)行有效覆蓋的問(wèn)題。
>3、步驟1，提供一立體結(jié)構(gòu)的基材，所述基材包括正向鍍膜面以及與所述正向鍍膜面相鄰的側(cè)向鍍膜面，所述正向鍍膜面和所述側(cè)向鍍膜面為異面，所述基材上還設(shè)有間隔物，所述間隔物與所述側(cè)向鍍膜面之間形成有縫隙；4、步驟2，對(duì)所述基材進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，蒸鍍粒子的入射方向朝向所述正向鍍膜面，沿入射方向射向所述正向鍍膜面的所述蒸鍍粒子沉積在所述正向鍍膜面上至少形成第一薄膜，沿入射方向射向所述縫隙的所述蒸鍍粒子在所述縫隙中改變運(yùn)動(dòng)方向并沉積在所述側(cè)向鍍膜面上，以形成與所述第一薄膜相連續(xù)的第二薄膜。
5、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，所述間隔物可拆卸的安裝在所述基材上，所述間隔物包括間隔件和固定件，在所述步驟1之前，所述方法還包括以下步驟：
6、步驟01，將所述間隔件與所述側(cè)向鍍膜面進(jìn)行對(duì)位，使所述間隔件與所述側(cè)向鍍膜面之間形成縫隙；
7、步驟02，采用所述固定件將所述間隔件固定在所述基材上，以對(duì)所述間隔件進(jìn)行限位。
8、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，所述基材具有一第一表面，所述第一表面上設(shè)有第一凹槽，所述正向鍍膜面包括對(duì)應(yīng)所述第一凹槽之外的所述第一表面和對(duì)應(yīng)所述第一凹槽底部的第一底面，所述側(cè)向鍍膜面為所述第一凹槽的側(cè)壁，所述間隔件的形狀與所述第一凹槽的形狀相匹配，所述間隔件的高度大于或等于所述第一凹槽的深度，其中，所述步驟01包括：
9、將所述間隔件對(duì)應(yīng)放入所述基材的第一凹槽中，并調(diào)整所述間隔件與所述第一凹槽的側(cè)壁之間的距離，使所述間隔件與所述第一凹槽的側(cè)壁之間形成縫隙。
10、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，所述步驟2包括：
11、采用掩模板對(duì)所述基材進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，蒸鍍粒子以垂直于所述第一表面的入射方向進(jìn)行蒸鍍，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述第一表面的所述蒸鍍粒子沉積在所述第一表面上形成第一薄膜，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述縫隙的一部分所述蒸鍍粒子在所述縫隙中改變運(yùn)動(dòng)方向后沉積在所述第一凹槽的側(cè)壁上形成第二薄膜，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述縫隙的另一部分所述蒸鍍粒子穿過(guò)所述縫隙沉積在所述第一底面上形成第三薄膜；
12、其中，所述第一薄膜、所述第二薄膜和所述第三薄膜之間相互連接形成預(yù)設(shè)圖案的電極。
13、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，所述基材具有相對(duì)設(shè)置的第二表面和第三表面，所述基材上設(shè)有自所述第二表面貫穿至所述第三表面的通孔，所述正向鍍膜面包括所述第二表面和所述通孔的側(cè)壁，所述側(cè)向鍍膜面為所述第三表面，其中，所述步驟01包括：
14、將所述間隔件移動(dòng)至靠近所述基材的第三表面一側(cè)的所述通孔處，使所述間隔件自對(duì)應(yīng)所述通孔的位置沿平行于所述第三表面的方向延伸至所述第三表面的預(yù)設(shè)位置，調(diào)整所述間隔件與所述第三表面之間的距離，使所述間隔件與所述第三表面之間形成縫隙。
15、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，所述步驟2包括：
16、采用掩模板對(duì)所述基材進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，蒸鍍粒子以與所述第二表面呈預(yù)設(shè)傾斜角度的入射方向進(jìn)行蒸鍍，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述通孔的側(cè)壁的所述蒸鍍粒子沉積在所述通孔的側(cè)壁上形成第一薄膜，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向穿過(guò)所述通孔射向所述縫隙的所述蒸鍍粒子在所述縫隙中改變運(yùn)動(dòng)方向后沉積在所述第三表面上形成第二薄膜，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述第二表面的所述蒸鍍粒子沉積在所述第二表面上形成第三薄膜；
17、其中，所述第一薄膜、所述第二薄膜和所述第三薄膜之間相互連接形成預(yù)設(shè)圖案的電極。
18、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，在所述步驟2之后，所述方法還包括以下步驟：
19、將所述間隔件和所述固定件從所述基材上拆除。
20、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，在所述步驟1之前，所述方法還包括以下步驟：
21、所述基材具有一第四表面，采用光刻及刻蝕工藝在所述基材的第四表面上形成第二凹槽和位于所述第二凹槽內(nèi)并與所述第二凹槽的側(cè)壁相間隔的間隔物；
22、其中，所述第二凹槽的側(cè)壁為所述側(cè)向鍍膜面，所述間隔物與所述第二凹槽的側(cè)壁之間形成有所述縫隙，并且所述間隔物的高度大于或等于所述第二凹槽的深度。
23、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，所述正向鍍膜面包括對(duì)應(yīng)所述第二凹槽之外的所述第四表面和對(duì)應(yīng)所述第二凹槽底部的第二底面，所述步驟2包括：
24、采用掩模板對(duì)所述基材進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，蒸鍍粒子以垂直于所述第四表面的入射方向進(jìn)行蒸鍍，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述第四表面的所述蒸鍍粒子沉積在所述第四表面上形成第一薄膜，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述縫隙的一部分所述蒸鍍粒子在所述縫隙中改變運(yùn)動(dòng)方向后沉積在所述第二凹槽的側(cè)壁上形成第二薄膜，透過(guò)所述掩模板并沿入射方向射向所述縫隙的另一部分所述蒸鍍粒子穿過(guò)所述縫隙沉積在所述第二底面上形成第三薄膜；
25、其中，所述第一薄膜、所述第二薄膜和所述第三薄膜之間相互連接形成預(yù)設(shè)圖案的電極；
26、在所述步驟2之后，所述方法還包括以下步驟：
27、采用刻蝕工藝去除所述間隔物。
28、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)提供的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，所述縫隙的寬度范圍在5微米-30微米之間。
29、本專(zhuān)利技術(shù)的上述技術(shù)方案具本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述間隔物可拆卸的安裝在所述基材上，所述間隔物包括間隔件和固定件，在所述步驟1之前，所述方法還包括以下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述基材具有一第一表面，所述第一表面上設(shè)有第一凹槽，所述正向鍍膜面包括對(duì)應(yīng)所述第一凹槽之外的所述第一表面和對(duì)應(yīng)所述第一凹槽底部的第一底面，所述側(cè)向鍍膜面為所述第一凹槽的側(cè)壁，所述間隔件的形狀與所述第一凹槽的形狀相匹配，所述間隔件的高度大于或等于所述第一凹槽的深度，其中，所述步驟01包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述步驟2包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述基材具有相對(duì)設(shè)置的第二表面和第三表面，所述基材上設(shè)有自所述第二表面貫穿至所述第三表面的通孔，所述正向鍍膜面包括所述第二表面和所述通孔的側(cè)壁，所述側(cè)向鍍膜面為所述第三表面，其中，所述步驟01包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述步驟2包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，在所述步驟2之后，所述方法還包括以下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，在所述步驟1之前，所述方法還包括以下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述正向鍍膜面包括對(duì)應(yīng)所述第二凹槽之外的所述第四表面和對(duì)應(yīng)所述第二凹槽底部的第二底面，所述步驟2包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述縫隙的寬度范圍在5微米-30微米之間。
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【技術(shù)特征摘要】
1.一種改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述間隔物可拆卸的安裝在所述基材上，所述間隔物包括間隔件和固定件，在所述步驟1之前，所述方法還包括以下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述基材具有一第一表面，所述第一表面上設(shè)有第一凹槽，所述正向鍍膜面包括對(duì)應(yīng)所述第一凹槽之外的所述第一表面和對(duì)應(yīng)所述第一凹槽底部的第一底面，所述側(cè)向鍍膜面為所述第一凹槽的側(cè)壁，所述間隔件的形狀與所述第一凹槽的形狀相匹配，所述間隔件的高度大于或等于所述第一凹槽的深度，其中，所述步驟01包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述步驟2包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善蒸發(fā)鍍膜的臺(tái)階覆蓋的方法，其特征在于，所述基材具有相對(duì)設(shè)置的第二...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王天宇，谷華鋒，潘晶，張?jiān)?/a>，裴志強(qiáng)，張琳琳，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：北京晨晶電子有限公司，
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