【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電源電路，具體涉及一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路。
技術(shù)介紹
1、在集成電路設(shè)計領(lǐng)域中，經(jīng)常需要產(chǎn)生一個零溫漂電壓、負(fù)溫漂電壓或者正溫漂電壓，其中產(chǎn)生的電壓可以用于溫度檢測或者參考電壓。
2、現(xiàn)有的正溫漂電壓的產(chǎn)生電路如圖1所示，通電流i在電阻r上形成壓降來輸出正溫漂電壓vref，其中電流i為正溫度系數(shù)，或者電阻r為正溫度系數(shù)，或者電流i和電阻r均為正溫度系數(shù)。
3、對于圖1所示電路，其在實際使用時存在以下缺陷：
4、首先由于電流i和電阻r的正溫度系數(shù)有限，即使電流i和電阻r的正溫度系數(shù)相乘，正溫漂電壓vref的正溫度系數(shù)仍然有限；
5、另外由于電流i和電阻r的正溫度系數(shù)都是固定值，因此正溫漂電壓vref的正溫度系數(shù)也是固定值，不能根據(jù)實際需求靈活調(diào)整。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、鑒于
技術(shù)介紹
的不足，本專利技術(shù)提供了一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有正溫漂電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的正溫漂電壓的正溫度系數(shù)有限，且正溫度系數(shù)不能根據(jù)實際需求靈活調(diào)整。
2、為解決以上技術(shù)問題，第一方面，本專利技術(shù)提供了如下技術(shù)方案：一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，包括基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元、壓降單元、電子開關(guān)單元和電壓跟隨單元；
3、所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元用于產(chǎn)生基準(zhǔn)電流；所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元與所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元電連接，基于所述基準(zhǔn)電流在基準(zhǔn)電阻上產(chǎn)生偏置電壓，并基于所述偏置電壓向所述壓降單元的輸入端
4、所述壓降單元用于按照預(yù)設(shè)壓降值對輸入的第一基準(zhǔn)電壓進(jìn)行降壓，所述壓降單元的輸出端與所述電子開關(guān)單元的輸入端電連接，且用于輸出第二基準(zhǔn)電壓，所述電子開關(guān)單元的輸出端接地，所述電子開關(guān)單元的控制端用于輸入驅(qū)動信號；
5、所述電壓跟隨單元的輸入端與所述壓降單元的輸出端電連接，基于所述第二基準(zhǔn)電壓輸出第三基準(zhǔn)電壓。
6、在第一方面的某種實施方式中，所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元包括三極管q1、三極管q2、三極管q3、三極管q4、電阻r2、電阻r3、pmos管p8和pmos管p9和啟動電路；
7、所述pmos管p8的源極和pmos管p9的源極電連接，用于輸入工作電壓；pmos管p8的柵極分別與pmos管p9的柵極、pmos管p8的漏極和三極管q3的集電極電連接，pmos管p9的漏極分別與三極管q4的集電極和三極管q2的集電極電連接，三極管q3的基極與三極管q4的基極電連接，三極管q3的發(fā)射極分別與電阻r3一端、電阻r2一端和三極管q2的發(fā)射極電連接，三極管q4的發(fā)射極與電阻r3另一端電連接，電阻r2另一端接地；
8、三極管q2的基極分別與三極管q1的基極和三極管q1的集電極電連接，三極管q1的集電極用于輸入啟動電流，三極管q1的發(fā)射極接地；
9、啟動電路與三極管q3的基極電連接，用于在輸入所述驅(qū)動信號時向所述三極管q3的基極提供啟動電壓。
10、在第一方面的某種實施方式中，所述驅(qū)動信號為高電平信號。
11、在第一方面的某種實施方式中，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元包括第一電流復(fù)制單元、第二電流復(fù)制單元、nmos管n5和pmos管p7；
12、所述第一電流復(fù)制單元與所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元電連接，用于復(fù)制所述基準(zhǔn)電流，并向所述電阻r1一端輸入第一復(fù)制電流，所述電阻r1一端與pmos管p7的柵極電連接，電阻r1另一端和pmos管p7的漏極均接地；
13、所述第二電流復(fù)制單元與所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元電連接，用于復(fù)制所述基準(zhǔn)電流，并向所述pmos管p7的源極輸入第二復(fù)制電流，pmos管p7的源極與nmos管n5的柵極電連接，nmos管n5的漏極用于輸入所述工作電壓，nmos管n5的源極與所述壓降單元電連接。
14、在第一方面的某種實施方式中，所述壓降單元包括至少一個壓降三極管，每個壓降三極管的基極與自身的集電極電連接，當(dāng)壓降三極管的數(shù)量大于一時，所有壓降三極管依次串聯(lián)，末端的壓降三極管的發(fā)射極為壓降單元的輸出端，輸出所述第二基準(zhǔn)電壓。
15、在第一方面的某種實施方式中，所述電壓跟隨單元包括雙輸入的第一放大單元和單輸入的第二放大單元，所述第一放大單元的第一輸入端與所述壓降單元的輸出端電連接，所述第一放大單元的第二輸入端與所述第二放大單元的輸出端電連接，所述第一放大單元的輸出端與所述第二放大單元的輸入端電連接，所述第二放大單元的輸出端輸出所述第三基準(zhǔn)電壓。
16、在第一方面的某種實施方式中，所述第一放大單元包括pmos管p3、pmos管p4、nmos管n1和nmos管n2；
17、所述pmos管p3的源極與pmos管p4的源極電連接，用于輸入第一偏置電流，pmos管p4的柵極為第一放大單元的第一輸入端，pmos管p3的柵極為第一放大單元的第二輸入端；pmos管p4的漏極為第一放大單元的輸出端，分別與nmos管n2的漏極和第二放大單元的輸入端電連接；pmos管p3的漏極分別與nmos管n1的漏極、nmos管n1的柵極和nmos管n2的柵極電連接，nmos管n1的源極和nmos管n2的源極均接地。
18、在第一方面的某種實施方式中，所述第二放大單元包括nmos管n3，nmos管n3的柵極為第二放大單元的輸入端，nmos管n3的源極接地，nmos管n3的漏極為第二放大單元的輸出端，用于輸入第二偏置電流。
19、在第一方面的某種實施方式中，所述電壓跟隨單元還包括第三電流復(fù)制單元和第四電流復(fù)制單元；
20、所述第三電流復(fù)制單元與所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元電連接，用于復(fù)制所述基準(zhǔn)電流，并向所述pmos管p3的源極輸入所述第一偏置電流；
21、所述第四電流復(fù)制單元與所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元電連接，用于復(fù)制所述基準(zhǔn)電流，并向所述nmos管n3的漏極輸入所述第二偏置電流。
22、本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的有益效果是：本專利技術(shù)最終輸出的第三基準(zhǔn)電壓與基準(zhǔn)電流大小、基準(zhǔn)電阻的阻值和壓降單元的壓降有關(guān)，因此通過調(diào)整基準(zhǔn)電流的大小、基準(zhǔn)電阻的阻值和壓降單元的壓降可以調(diào)整第三基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)，從而可以根據(jù)實際需求調(diào)整第三基準(zhǔn)電壓的正溫度系數(shù)，進(jìn)而能使本專利技術(shù)應(yīng)用于不同的場合，適用性好。
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1.一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，包括基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元和壓降單元；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括電子開關(guān)單元，所述壓降單元的輸出端與所述電子開關(guān)單元的輸入端電連接，所述電子開關(guān)單元的輸出端接地，所述電子開關(guān)單元的控制端用于輸入驅(qū)動信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元包括三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4、電阻R2、電阻R3、PMOS管P8和PMOS管P9和啟動電路；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元包括第一電流復(fù)制單元、第二電流復(fù)制單元、NMOS管N5和PMOS管P7；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述壓降單元包括至少一個壓降三極管，每個壓降三極管的基極與自身的集電極電連接，當(dāng)壓降三極管的數(shù)量大于一時，所有壓降三極管依次串聯(lián)，末端的壓降三極管的發(fā)射極為壓降單元的輸出端，輸出所述第二基準(zhǔn)電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括電壓跟隨單元，所述電壓跟隨單元的輸入端與所述壓降單元的輸出端電連接，基于所述第二基準(zhǔn)電壓輸出第三基準(zhǔn)電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電壓跟隨單元包括雙輸入的第一放大單元和單輸入的第二放大單元，所述第一放大單元的第一輸入端與所述壓降單元的輸出端電連接，所述第一放大單元的第二輸入端與所述第二放大單元的輸出端電連接，所述第一放大單元的輸出端與所述第二放大單元的輸入端電連接，所述第二放大單元的輸出端輸出所述第三基準(zhǔn)電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一放大單元包括PMOS管P3、PMOS管P4、NMOS管N1和NMOS管N2；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第二放大單元包括NMOS管N3，NMOS管N3的柵極為第二放大單元的輸入端，NMOS管N3的源極接地，NMOS管N3的漏極為第二放大單元的輸出端，用于輸入第二偏置電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電壓跟隨單元還包括第三電流復(fù)制單元和第四電流復(fù)制單元；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，包括基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元和壓降單元；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括電子開關(guān)單元，所述壓降單元的輸出端與所述電子開關(guān)單元的輸入端電連接，所述電子開關(guān)單元的輸出端接地，所述電子開關(guān)單元的控制端用于輸入驅(qū)動信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生單元包括三極管q1、三極管q2、三極管q3、三極管q4、電阻r2、電阻r3、pmos管p8和pmos管p9和啟動電路；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元包括第一電流復(fù)制單元、第二電流復(fù)制單元、nmos管n5和pmos管p7；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述壓降單元包括至少一個壓降三極管，每個壓降三極管的基極與自身的集電極電連接，當(dāng)壓降三極管的數(shù)量大于一時，所有壓降三極管依次串聯(lián)，末端的壓降三極管的發(fā)射極為壓降單元的輸出端，輸出所述第二基準(zhǔn)電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正溫系數(shù)可調(diào)的電壓產(chǎn)生電...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：譚在超，陳朝勇，羅寅，丁國華，
申請(專利權(quán))人：蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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