【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及射束檢測器、多帶電粒子束照射裝置以及射束檢測器的調整方法。
技術介紹
1、隨著lsi的高集成化，半導體設備的電路線寬進一步微細化。作為形成用于向這些半導體設備形成電路圖案的曝光用掩模(在步進器、掃描儀中使用的也稱作中間掩模。)的方法，使用具有優異的析像度的電子束描繪技術。
2、作為電子束描繪裝置，正在進行使用了多射束的描繪裝置的開發。與用一個電子束描繪的情況相比，通過使用多射束，能夠照射較多的射束，因此，能夠大幅度提高處理量。在多射束方式的描繪裝置中，例如，使從電子槍發射的電子束通過具有多個孔的孔徑部件而形成多射束，通過消隱孔徑陣列進行各射束的消隱控制，未被遮擋的射束由光學系統縮小，向載置在可移動的工作臺上的基板照射。
3、為了高精度地保持基板上的多射束的照射位置，重要的是高精度地掌握構成多射束的各射束在基板上的位置。射束根數較少，例如為幾根左右，在射束間間距足夠寬的構成中，在工作臺上配置與各射束用的射束根數相同數量的標記，通過用各射束在對應的標記上掃描，能夠測定各射束的位置(例如，參照日本特開2009-9882號公報)。
4、但是，隨著電路圖案的微細化，為了大幅度提高處理量，需要更多的射束根數的多射束。并且，隨著射束根數的增加，射束直徑變小，射束間間距變窄。這樣，隨著射束根數增加且射束間間距變窄，難以從所照射的多射束中使用單獨地配置在工作臺上的標記逐個地檢測各射束。
5、提出了使用形成有一個比多射束的射束間間距小且比射束直徑大的尺寸的通過孔的薄膜的孔徑，利用光電二極
技術實現思路
1、本專利技術提供一種使兩級孔徑的孔高精度地對位的射束檢測器、多帶電粒子束照射裝置以及射束檢測器的調整方法。
2、本專利技術的一個方式的射束檢測器具備：第1孔徑基板，形成有比多帶電粒子束的射束間間距小的第1通過孔；第2孔徑基板，形成有通過上述第1通過孔后的1根檢測對象射束能夠通過的第2通過孔；以及傳感器，檢測通過上述第2通過孔后的上述檢測對象射束的射束電流，上述第2孔徑基板包含對光具有透射性的導電性的材料。
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1.一種射束檢測器，具備：
2.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
3.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
4.根據權利要求3所述的射束檢測器，其中，
5.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
6.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
7.一種多帶電粒子束照射裝置，具備：
8.根據權利要求7所述的多帶電粒子束照射裝置，其中，
9.根據權利要求7所述的多帶電粒子束照射裝置，其中，
10.根據權利要求9所述的多帶電粒子束照射裝置，其中，
11.根據權利要求7所述的多帶電粒子束照射裝置，其中，
12.根據權利要求7所述的多帶電粒子束照射裝置，其中，
13.一種射束檢測器的調整方法，進行形成有比多帶電粒子束的射束間間距小的第1通過孔的第1孔徑基板的該第1通過孔與形成有該多射束的1根檢測對象射束能夠通過的第2通過孔的第2孔徑基板的該第2通過孔的對位，該射束檢測器的調整方法包括如下工序：
14.根據權利要求13所述的射束檢測器
15.根據權利要求13所述的射束檢測器的調整方法，其中，
...【技術特征摘要】
1.一種射束檢測器，具備：
2.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
3.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
4.根據權利要求3所述的射束檢測器，其中，
5.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
6.根據權利要求1所述的射束檢測器，其中，
7.一種多帶電粒子束照射裝置，具備：
8.根據權利要求7所述的多帶電粒子束照射裝置，其中，
9.根據權利要求7所述的多帶電粒子束照射裝置，其中，
10.根據權利要求9所述的多帶電粒子束照...
【專利技術屬性】
技術研發人員：佐藤保尚，明野公信，
申請(專利權)人：紐富來科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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