【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種高導熱絕緣片的制備方法及其應用，涉及c08l，具體涉及高分子化合物的組合物領域。
技術介紹
1、隨著科學的發展，技術的進步，生活中的電子產品越來越朝著微型化，輕薄化的方向發展，但是電子產品在使用過程中會產生熱量，并且為了使用者的安全，必須具有絕緣性能，因此開發一種絕緣性好，導熱效率高的產品應用于現代輕薄化產品中至關重要。目前制備高導熱絕緣片采用的工藝基本為涂布法或壓延法，涂布法制備的產品表面光滑性不好，接觸熱阻較高。采用壓延法制備的產品厚度較薄，可以在微型化電子產品中使用，但是需要加入的導熱粉體的量較大，才能達到較高的導熱系數，導熱粉體的高使用量會限制導熱絕緣片的生產厚度，因此如何降低導熱粉體的使用量，同時達到好的導熱效果是本領域亟待解決的問題。
2、中國專利技術專利cn201811618021.4公開了一種高電壓絕緣導熱硅膠片及其制備方法，對絕緣性較好的氫氧化鋁無機粉體依次進行精制處理和偶聯劑疏水處理，使得硫化后的導熱硅膠片在濕潤的環境中也能保持很好的絕緣性能，但是無機粉體的填充密度不高，因此需要較高的粉體填充量才能達到良好的導熱效果，不適用于微型化的電子產品中使用。中國專利技術專利cn201310372003.3公開了一種高導熱絕緣導熱硅膠墊片及其制備方法，通過對球形氧化鋁粒子的篩分、燒結，實現氧化鋁粒子在硅膠基體中的合理分配和氧化鋁粒子本身導熱系數的提高，但是氧化鋁粒子的加入量依舊較高，并且氧化鋁粒子在硅油體系中的分散性不好，容易團聚，降低導熱硅膠片的導熱均勻性。
1、為了提高導熱絕緣片的導熱系數，減少導熱粉體的使用量，壓縮導熱絕緣片的厚度，本專利技術的第一個方面提供了一種高導熱絕緣片的制備方法，包括以下步驟：
2、(1)將導熱粉體放入真空干燥箱中，烘烤3-9h，自然冷卻；
3、(2)在干燥后的導熱粉體中加入有機硅油和分散助劑，混合均勻，脫泡得半成品；
4、(3)將制備的半成品置于底膜和離型膜中間，經雙輥擠壓成型，經烘道烘干后，剝離離型膜，裁切，復卷一次成卷，得到高導熱絕緣片。
5、作為一種優選的實施方式，所述步驟1中真空干燥箱的干燥溫度為170-220℃，烘烤時間為3-5h。優選的，所述步驟1自然冷卻至25-30℃。
6、作為一種優選的實施方式，所述導熱粉體的粒徑為0.05-90μm，所述導熱粉體的形狀為球形或非球形。
7、作為一種優選的實施方式，所述導熱粉體的粒徑為0.1-70μm。
8、作為一種優選的實施方式，所述導熱粉體選自氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鋅、氧化鎂、碳化硅、氮化硅、石英粉中的一種或幾種的組合。
9、作為一種優選的實施方式，所述氧化鋁為球形氧化鋁和非球形氧化鋁的組合，所述球形氧化鋁與非球形氧化鋁的重量比為(120-160)：(50-70)。
10、作為一種優選的實施方式，所述球形氧化鋁的粒徑為5-25μm；所述非球形氧化鋁的粒徑為0.1-4μm。
11、作為一種優選的實施方式，所述氧化鋁包括粒徑為5-25μm的球形氧化鋁，粒徑為2-4μm的非球形氧化鋁和粒徑為0.1-1μm的非球形氧化鋁。
12、作為一種優選的實施方式，所述氧化鋁包括粒徑為15μm的球形氧化鋁，粒徑為3μm的非球形氧化鋁和粒徑為0.5μm的非球形氧化鋁。
13、作為一種優選的實施方式，所述粒徑為5-25μm的球形氧化鋁，粒徑為2-4μm的非球形氧化鋁和粒徑為0.1-1μm的非球形氧化鋁的重量比為(120-160)：(30-40)：(20-30)。
14、作為一種優選的實施方式，所述粒徑為15μm的球形氧化鋁，粒徑為3μm的非球形氧化鋁和粒徑為0.5μm的非球形氧化鋁的重量比為150：40：20。
15、作為一種優選的實施方式，所述有機硅油選自乙烯基硅油或含氫硅油中的一種或組合；所述乙烯基硅油中的乙烯基含量為0.1-5mol％；所述含氫硅油中含氫量≥1.55wt％。
16、作為一種優選的實施方式，所述有機硅油在25℃下的粘度為30-550000cps。
17、作為一種優選的實施方式，所述有機硅油在25℃下的粘度為40-350000cps。
18、申請人發現，采用平均粒徑范圍為0.1-70μm的導熱粉體與粘度為40-350000cps的有機硅油共同作用形成的導熱絕緣片的接觸熱阻較低，當平均粒徑超過優選的范圍，導熱絕緣片的接觸熱阻會增加，當粒徑小于優選的范圍，與硅油結合后，體系的粘度增加，壓延難度上升，不易生產加工。
19、作為一種優選的實施方式，所述分散助劑選自改性有機硅氧烷，硬脂酸，鋁酸酯，硅烷偶聯劑，有機膨潤土，季戊四醇酯，丙烯酸酯類助劑，二氧化硅中的一種或幾種的組合。
20、作為一種優選的實施方式，所述分散助劑選自改性有機硅氧烷，硬脂酸，鋁酸酯，硅烷偶聯劑中的一種或幾種的組合。
21、作為一種優選的實施方式，所述步驟3中壓延厚度為0.05-0.2mm。
22、作為一種優選的實施方式，所述步驟3中烘道溫度為120-140℃，烘道長度為10-15m，烘道速度為1-3m/min。
23、作為一種優選的實施方式，所述步驟3中底膜為pi膜。
24、申請人在實驗過程中發現采用球性氧化鋁和非球形氧化鋁共同作用可以提高導熱系數，降低熱阻，猜測可能的原因是：不同粒徑的非球形氧化鋁與球性氧化鋁組合，可以填充粉體之間的空隙，避免非導熱性物質對空隙的占據，然而申請人進一步發現，非球形氧化鋁的分散性不佳，在硅油中體系中不易分散均勻，在壓延工藝下，形成的產品導熱效果不均勻，影響了整體的導熱效果。本申請中通過引入分散劑，可以增加非球形氧化鋁的流動性，改善分散效果，原因可能是：通過引入分散劑可以改善非球性氧化鋁的潤滑效果，在壓延工藝下減少導熱粉體之間厚度不均的重疊，促進氧化鋁的流動分散，形成厚度均勻的絕緣片，同時壓延工藝可以達到更薄的厚度，應用于微型化產品中。
25、作為一種優選的實施方式，所述步驟2中脫泡的壓力為-0.1～0mpa，脫泡時間為20-50min。
26、本專利技術的第二個方面提供了一種高導熱絕緣片的制備方法的應用，應用于制備電子產品中的絕緣片。
27、作為一種優選的實施方式，所述高導熱絕緣片的制備原料以重量份計包括：有機硅油10-50份，導熱粉體130-650份，分散助劑0.1-0.6份。
28、與現有技術相比，本專利技術具有以下有益效果：
29、(1)本專利技術所述高導熱絕緣片，采用球性氧化鋁和非球形氧化鋁共同作用可以提高導熱系數，降低接觸熱阻。
30、(2)本專利技術所述高導熱絕緣片，采用壓延的加工方式，制備得到的高導熱絕緣片厚度均勻性好，并且厚度相對更薄，可以適用于微型化的電子產品中。
31、(3)本專利技術所述高導熱絕緣片，通過引入不同粘度和乙烯基含量的有機硅油本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述步驟1中真空干燥箱的干燥溫度為170-220℃，烘烤時間為3-5h。
3.根據權利要求1所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述導熱粉體的粒徑為0.05-90μm，所述導熱粉體的形狀為球形或非球形。
4.根據權利要求3所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述導熱粉體選自氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鋅、氧化鎂、碳化硅、氮化硅、石英粉中的一種或幾種的組合。
5.根據權利要求4所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁為球形氧化鋁和非球形氧化鋁的組合，所述球形氧化鋁與非球形氧化鋁的重量比為(120-160)：(50-70)。
6.根據權利要求4所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述有機硅油選自乙烯基硅油或含氫硅油中的一種或組合；所述乙烯基硅油中的乙烯基含量為0.1-5mol％；所述含氫硅油中含氫量≥1.55wt％。
7.根據權利要求4所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，
8.根據權利要求4所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述分散助劑選自改性有機硅氧烷、硬脂酸、鋁酸酯、硅烷偶聯劑、有機膨潤土、季戊四醇酯、丙烯酸酯類助劑、二氧化硅中的一種或幾種的組合。
9.根據權利要求4所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述步驟2中脫泡的壓力為-0.1～0mPa，脫泡時間為20-50min。
10.一種根據權利要求1-9任一項所述高導熱絕緣片的制備方法的應用，其特征在于，應用于制備電子產品中的絕緣片。
...【技術特征摘要】
1.一種高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述步驟1中真空干燥箱的干燥溫度為170-220℃，烘烤時間為3-5h。
3.根據權利要求1所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述導熱粉體的粒徑為0.05-90μm，所述導熱粉體的形狀為球形或非球形。
4.根據權利要求3所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述導熱粉體選自氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鋅、氧化鎂、碳化硅、氮化硅、石英粉中的一種或幾種的組合。
5.根據權利要求4所述高導熱絕緣片的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁為球形氧化鋁和非球形氧化鋁的組合，所述球形氧化鋁與非球形氧化鋁的重量比為(120-160)：(50-70)。
6.根據權利要求4所述高導熱絕緣片的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王揚揚，邢沖，程亞東，
申請(專利權)人：上海阿萊德實業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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