【技術實現步驟摘要】
本公開的實施方式涉及一種等離子體處理裝置中的載置臺的清潔方法和等離子體處理裝置。
技術介紹
1、以往，已知一種在等離子體處理裝置中使用等離子體來去除沉積于載置臺的沉積物的技術，該載置臺載置半導體晶圓等基板。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開2011-054825號公報
5、專利文獻2：日本特開平7-78802號公報
技術實現思路
1、專利技術要解決的問題
2、本公開提供一種能夠抑制對載置臺的損傷并且去除沉積于載置臺的外周部的沉積物的技術。
3、用于解決問題的方案
4、本公開的一個方式的清潔方法是等離子體處理裝置中的載置臺的清潔方法，所述等離子體處理裝置具備：載置臺，其載置基板；升降機構，其使基板相對于載置臺進行升降；以及高頻電源，其與載置臺連接。本公開的一個方式的清潔方法包括進行分離的工序和進行去除的工序。在進行分離的工序中，使用升降機構來使載置臺與基板分離。在進行去除的工序中，在進行分離的工序之后，通過從高頻電源向載置臺供給高頻電力來生成等離子體，從而去除沉積于載置臺的沉積物。另外，在進行分離的工序中，載置臺與基板的分離距離設定為形成于載置臺的外周部周邊的合成阻抗比形成于載置臺的中心部正上方的合成阻抗低。
5、本公開的其它方式的種清潔方法是等離子體處理裝置中的載置臺的清潔方法，所述等離子體處理裝置具備：處理容器；基板載置臺，其設置于所述處理容器內；以及基板升降機
6、本公開的其它方式的等離子體處理裝置具備：處理容器；基板載置臺，其設置于所述處理容器內；基板升降機構，其具備支承基板的升降銷；以及控制部，其中，所述控制部構成為執行以下處理：處理(a)，控制所述基板升降機構來使升降銷上升，以接受被搬入到所述處理容器內的基板假片；處理(b)，控制所述基板升降機構來使所述升降銷的前端位于所述載置臺的上方且比接受了所述基板假片的位置低的位置；處理(c)，在所述處理(b)之后，使用等離子體對所述處理容器內進行清潔；以及處理(d)，控制所述基板升降機構來使所述升降銷上升，以向所述處理容器外搬出所述基板假片。
7、專利技術的效果
8、根據本公開，能夠抑制對于載置臺的損傷，并且去除沉積于載置臺的外周部的沉積物。
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1.一種清潔方法，是等離子體處理裝置中的清潔方法，
2.根據權利要求1所述的清潔方法，其中，
3.根據權利要求1或2所述的清潔方法，其中，
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的清潔方法，其中，
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的清潔方法，其中，
6.根據權利要求5所述的清潔方法，其中，
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的清潔方法，其中，
8.根據權利要求7所述的清潔方法，其中，
9.根據權利要求1至8中的任一項所述的清潔方法，其中，
10.根據權利要求1至9中的任一項所述的清潔方法，其中，
11.根據權利要求1至10中的任一項所述的清潔方法，其中，
12.根據權利要求11所述的清潔方法，其中，
13.根據權利要求11所述的清潔方法，其中，
14.根據權利要求1至13中的任一項所述的清潔方法，其中，
15.根據權利要求14所述的清潔方法，其中，
16.根據權利要求1至15中的任一項所述的清潔方法
17.根據權利要求1至16中的任一項所述的清潔方法，其中，
18.根據權利要求1至17中的任一項所述的清潔方法，其中，
19.一種等離子體處理裝置，具備：
20.根據權利要求19所述的等離子體處理裝置，其中，
21.根據權利要求19或20所述的等離子體處理裝置，其中，
22.根據權利要求19至21中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
23.根據權利要求19至22中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
24.根據權利要求23所述的等離子體處理裝置，其中，
25.根據權利要求19至24中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
26.根據權利要求25所述的等離子體處理裝置，其中，
27.根據權利要求19至26中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
28.根據權利要求19至27中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
29.根據權利要求19至28中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
30.根據權利要求29所述的等離子體處理裝置，其中，
31.根據權利要求29所述的等離子體處理裝置，其中，
32.根據權利要求19至31中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
33.根據權利要求32所述的等離子體處理裝置，其中，
34.根據權利要求19至33中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
35.根據權利要求19至34中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
36.根據權利要求19至35中的任一項所述的等離子體處理裝置，其中，
37.根據權利要求1所述的清潔方法，其中，
38.根據權利要求1或37所述的清潔方法，其中，
39.根據權利要求19所述的等離子體處理裝置，其中，
40.根據權利要求19或39所述的等離子體處理裝置，其中，
...【技術特征摘要】
1.一種清潔方法，是等離子體處理裝置中的清潔方法，
2.根據權利要求1所述的清潔方法，其中，
3.根據權利要求1或2所述的清潔方法，其中，
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的清潔方法，其中，
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的清潔方法，其中，
6.根據權利要求5所述的清潔方法，其中，
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的清潔方法，其中，
8.根據權利要求7所述的清潔方法，其中，
9.根據權利要求1至8中的任一項所述的清潔方法，其中，
10.根據權利要求1至9中的任一項所述的清潔方法，其中，
11.根據權利要求1至10中的任一項所述的清潔方法，其中，
12.根據權利要求11所述的清潔方法，其中，
13.根據權利要求11所述的清潔方法，其中，
14.根據權利要求1至13中的任一項所述的清潔方法，其中，
15.根據權利要求14所述的清潔方法，其中，
16.根據權利要求1至15中的任一項所述的清潔方法，其中，
17.根據權利要求1至16中的任一項所述的清潔方法，其中，
18.根據權利要求1至17中的任一項所述的清潔方法，其中，
19.一種等離子體處理裝置，具備：
20.根據權利要求19所述的等離子體處理裝置，其中，
21.根據權利要求19或20所述的等離子體處理裝置，其中，
22.根據權利要求19至...
【專利技術屬性】
技術研發人員：高山貴光，佐佐木淳一，
申請(專利權)人：東京毅力科創株式會社，
類型：發明
國別省市：
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