【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體光電子，更具體地說，是涉及一種采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝及其制備方法。
技術介紹
1、led集低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩飽和度、反應速度快、壽命較長、效率較高等優點于一身，被廣泛應用于顯示
，其中，將結合新型驅動和電源管理方式的mini-led作為局域調光(local?dimming)的背光源技術更是被液晶顯示行業采用，并實現更高的動態范圍(hdr)，被廣泛認為是顯示
的下一大趨勢。
2、為了實現廣色域背光顯示，需要更純更窄半峰寬的紅綠藍三基色。其中常用的方法是藍光芯片加窄峰寬紅綠熒光粉，但是由于窄峰寬綠粉材料選擇有限，且波長、可靠性、成本等都有局限。
3、而另一方案則采用分離的藍光芯片和綠光芯片、與紅色熒光粉搭配的封裝形式，該方案在搭配透鏡制作背光源時，容易形成空間分布不均的現象，出現藍綠斑點；另外，在使用過程中，隨著兩顆芯片隨溫度變化或使用過程中會產生不同的波峰移動，也會產生色點偏移，尤其在老化過程中，更容易產生色漂移。
4、因此，現有技術還有待改進和發展。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提出一種采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝及其制備方法，以解決現有技術中led白色光源的色域低，光色分布不均勻，容易出現色差和色漂移的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術第一方面提供一種采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，包括封裝結構和設置在封裝結構內的led芯片；
3、所述led芯片包
4、進一步地，所述紅光轉換層內還包含硒化鎘量子點、磷化銦量子點、硫化鎘量子點、硒化鉛量子點、銻化汞量子點、硫化鉛量子點中任意一種或其組合的紅光波長轉換材料。
5、進一步地，所述紅光轉換層為疊加在藍綠雙峰單晶芯片上的薄膜層，所述紅光轉換層中鈣鈦礦量子點材料或其與載體的混合體的厚度為10-250微米。
6、在一些實施方式中，所述藍綠雙峰單晶芯片發出的藍綠光朝向所述紅光轉換層，以對所述紅光波長轉換材料進行泵浦，使所述紅光波長轉換材料發出紅光。
7、進一步地，所述紅光轉換層通過點膠、注塑成型、蒸鍍或噴墨打印的方式疊加覆蓋在所述藍綠雙峰單晶芯片上。
8、在一些實施方式中，所述藍綠雙峰單晶芯片包括氮化鎵層，所述氮化鎵層包括n型氮化鎵層和p型氮化鎵層，所述n型氮化鎵層的極性面和非極性面同時生長inxga1-xn/gan量子阱層。
9、進一步地，所述封裝結構包括透鏡和電路板，所述透鏡通過smt封裝或cob封裝方式將所述led芯片封裝在所述電路板上。
10、本專利技術第二方面提供一種白光封裝的制備方法，應用于上述實施方式中的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，包括以下步驟：
11、步驟1：在襯底表面生長n型氮化鎵層；
12、步驟2：在n型氮化鎵層的極性面和非極性面上同時外延生長inxga1-xn/gan量子阱層，得到藍光量子阱層和綠光轉換層；
13、步驟3：通過封裝工藝，在藍綠雙峰單晶芯片上利用點膠、注塑成型、蒸鍍或噴墨打印的方式生長紅光轉換層；
14、步驟4：將led芯片封裝通過表面貼裝smt或led直接上板cob工藝鏈接至電路板，通過驅動電源形成背光源。
15、本專利技術提供的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝及其制備方法的有益效果至少在于：通過在氮化鎵層上直接生長電致發藍光的藍光量子阱層和光致發綠光的綠光轉換層，構成為一體結構的藍綠雙峰單晶芯片，藍綠雙峰單晶芯片在藍光量子阱層被電流驅動下可以同時發出藍綠雙峰的藍光和綠光，相較于傳統技術中需要分別設置藍光芯片和綠光芯片的方式，避免了使用多個顏色的微型led集成轉移的問題，制備工藝簡單，易于生產，并且，在作為背光源時，藍光量子阱層和綠光轉換層的空間分布均勻，大大降低了出現藍綠斑點的風險，在使用過程中，隨著led芯片隨溫度變化不會產生色點偏移，降低了產生色漂移的概率，進而提高led芯片的色域。
16、紅光轉換層中設置有鈣鈦礦量子點在內的紅光波長轉換材料，鈣鈦礦材料的吸光系數在105cm-1量級，可以獲得顯示色域極高的背光光源，色域能夠達到超過100％的ntsc，遠遠大于傳統紅光熒光粉層所能達到的色域，進一步提升了led芯片的顯示色域。
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1.一種采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，包括封裝結構和設置在所述封裝結構內的LED芯片；
2.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述紅光轉換層內還包含硒化鎘量子點、磷化銦量子點、硫化鎘量子點、硒化鉛量子點、銻化汞量子點、硫化鉛量子點中任意一種或其組合的紅光波長轉換材料。
3.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述紅光轉換層為疊加在藍綠雙峰單晶芯片上的薄膜層，所述紅光轉換層中所述鈣鈦礦量子點材料或其與載體的混合體的厚度為10-250微米。
4.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述藍綠雙峰單晶芯片發出的藍綠光朝向所述紅光轉換層，以對所述紅光波長轉換材料進行泵浦，使所述紅光波長轉換材料發出紅光。
5.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述紅光轉換層通過點膠、注塑成型、蒸鍍或噴墨打印的方式疊加覆蓋在所述藍綠雙峰單晶芯片上。
6.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述藍綠雙峰單晶芯片包括氮
7.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述封裝結構包括透鏡和電路板，所述透鏡通過SMT封裝或COB封裝方式將所述LED芯片封裝在所述電路板上。
8.一種白光封裝的制備方法，應用于如權利要求1-7任意一項的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，包括封裝結構和設置在所述封裝結構內的led芯片；
2.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述紅光轉換層內還包含硒化鎘量子點、磷化銦量子點、硫化鎘量子點、硒化鉛量子點、銻化汞量子點、硫化鉛量子點中任意一種或其組合的紅光波長轉換材料。
3.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述紅光轉換層為疊加在藍綠雙峰單晶芯片上的薄膜層，所述紅光轉換層中所述鈣鈦礦量子點材料或其與載體的混合體的厚度為10-250微米。
4.根據權利要求1的采用藍綠雙峰單晶芯片的白光封裝，其特征在于，所述藍綠雙峰單晶芯片發出的藍綠光朝向所述紅光轉換層，以對所述紅光波長轉換材料進行泵浦，使所述紅光波長轉換材料發出紅...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉國旭，
申請(專利權)人：北京易美新創科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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