【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體結構制造領域，尤其涉及一種半導體結構及其制造方法。
技術介紹
1、半導體結構，包括襯底以及堆疊在襯底上的多個芯片，襯底的表面設置有連接墊，芯片通過鍵合線與襯底表面的連接墊電連接。
2、現有的堆疊方式通常包括將芯片從下至上依次偏移堆疊，芯片結構穩定性較差，在芯片表面打線時，容易導致芯片產生裂紋。
技術實現思路
1、本公開實施例提供了一種半導體結構，包括：
2、襯底；
3、位于所述襯底上的第一芯片組，所述第一芯片組包括至少一個第一芯片；
4、位于所述第一芯片組上的第二芯片以及位于所述第二芯片上的第三芯片組，所述第三芯片組包括至少一個第三芯片；其中，
5、所述第二芯片包括沿第一方向排布的第一端部和第二端部，所述第二端部沿所述第一方向相對于所述第一芯片組和所述第三芯片組的側壁向外突出，所述第一方向平行于所述襯底平面；
6、位于所述襯底上的支撐結構，所述支撐結構從所述襯底的表面延伸至所述第二端部的下方，所述第二端部覆蓋所述支撐結構。
7、在一些實施例中，所述第一芯片組包括堆疊在所述襯底上的多個第一芯片，多個所述第一芯片從下至上依次向第一方向偏移，所述第二芯片相對于位于所述第一芯片組最頂層的所述第一芯片向所述第一方向偏移；
8、所述第三芯片組包括堆疊在所述第二芯片上的多個第三芯片，多個所述第三芯片從下至上依次向第二方向偏移，位于所述第三芯片組最底層的所述第三芯片相對于所述第二芯片向所
9、在一些實施例中，所述第二芯片還包括在所述第二端部的上表面間隔排布的多個第一焊盤；所述支撐結構的數量為多個，多個所述支撐結構在所述襯底上間隔排布，且多個所述支撐結構對應設置于多個所述第一焊盤的下方。
10、在一些實施例中，所述支撐結構的材料包括半導體材料，所述支撐結構通過切割晶圓得到。
11、在一些實施例中，所述半導體結構還包括：位于所述支撐結構下方的粘附膜，所述支撐結構通過所述粘附膜固定在所述襯底上。
12、在一些實施例中，所述支撐結構的高度在150μm至250μm之間，所述支撐結構的寬度在20μm至50μm之間。
13、本公開實施例還提供了一種半導體結構的制造方法，包括：
14、提供襯底，并在所述襯底上形成第一芯片組，所述第一芯片組包括至少一個第一芯片，所述第一芯片包括沿第一方向排布的第三端部和第四端部，所述第一方向平行于所述襯底平面；
15、在所述襯底上形成支撐結構，所述支撐結構位于所述第一芯片組的一側且鄰近所述第一芯片的第四端部設置，所述支撐結構的上表面與所述第一芯片組的上表面齊平；
16、在所述第一芯片組上形成第二芯片，并在所述第二芯片上形成第三芯片組，所述第三芯片組包括至少一個第三芯片；其中，所述第二芯片包括沿第一方向排布的第一端部和第二端部，所述第二端部沿所述第一方向相對于所述第一芯片組和所述第三芯片組的側壁向外突出，且所述第二端部覆蓋所述支撐結構。
17、在一些實施例中，在所述襯底上形成第一芯片組，包括：在所述襯底上堆疊多個第一芯片，多個所述第一芯片從下至上依次向第一方向偏移，所述第二芯片相對于位于所述第一芯片組最頂層的所述第一芯片向所述第一方向偏移；
18、在所述第二芯片上形成第三芯片組，包括：在所述第二芯片上堆疊多個第三芯片，多個所述第三芯片從下至上依次向第二方向偏移，位于所述第三芯片組最底層的所述第三芯片相對于所述第二芯片向所述第二方向偏移；其中，所述第二方向和所述第一方向相反。
19、在一些實施例中，在所述襯底上形成支撐結構，包括：
20、提供晶圓；
21、對所述晶圓的上表面執行減薄工藝，以使所述晶圓達到預設高度；
22、對所述晶圓執行切割工藝，形成多個具有所述預設高度的支撐結構；
23、將所述支撐結構固定在所述襯底上。
24、在一些實施例中，
25、在對所述晶圓執行激光切割工藝之前，還包括：在所述晶圓的下方形成粘附膜材料層，所述粘附膜材料層覆蓋所述晶圓的下表面；
26、在對所述晶圓執行切割工藝的同時，還包括：對位于所述晶圓下方的粘附膜材料層執行切割工藝，以在所述支撐結構的下方形成粘附膜，所述支撐結構通過所述粘附膜固定在所述襯底上。
27、本公開實施例提供的半導體結構及其制造方法，其中，所述半導體結構包括：襯底；位于所述襯底上的第一芯片組，所述第一芯片組包括至少一個第一芯片；位于所述第一芯片組上的第二芯片以及位于所述第二芯片上的第三芯片組，所述第三芯片組包括至少一個第三芯片；其中，所述第二芯片包括沿第一方向排布的第一端部和第二端部，所述第二端部沿所述第一方向相對于所述第一芯片組和所述第三芯片組的側壁向外突出，所述第一方向平行于所述襯底平面；位于所述襯底上的支撐結構，所述支撐結構從所述襯底的表面延伸至所述第二端部的下方，所述第二端部覆蓋所述支撐結構。在半導體結構的制造過程中，由于第一芯片組、第二芯片以及第三芯片組偏移堆疊，且第二芯片的第二端部沿第一方向相對于第一芯片組和第三芯片組的側壁向外突出，也就是說，第二芯片的第二端部在襯底上懸空設置，如此，在第二端部的表面打線時，容易導致第二端部產生裂紋。本公開實施例在第二端部的下方設置支撐結構用于支撐第二芯片的第二端部，能夠緩解或避免打線時芯片受損。
28、本公開的一個或多個實施例的細節在下面的附圖和描述中提出。本公開的其它特征和優點將從說明書附圖變得明顯。
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1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一芯片組包括堆疊在所述襯底上的多個第一芯片，多個所述第一芯片從下至上依次向第一方向偏移，所述第二芯片相對于位于所述第一芯片組最頂層的所述第一芯片向所述第一方向偏移；
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二芯片還包括在所述第二端部的上表面間隔排布的多個第一焊盤；所述支撐結構的數量為多個，多個所述支撐結構在所述襯底上間隔排布，且多個所述支撐結構對應設置于多個所述第一焊盤的下方。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述支撐結構的材料包括半導體材料，所述支撐結構通過切割晶圓得到。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：位于所述支撐結構下方的粘附膜，所述支撐結構通過所述粘附膜固定在所述襯底上。
6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述支撐結構的高度在150μm至250μm之間，所述支撐結構的寬度在20μm至50μm之間。
7.一種半導體結構的制造方法，
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成第一芯片組，包括：在所述襯底上堆疊多個第一芯片，多個所述第一芯片從下至上依次向第一方向偏移，所述第二芯片相對于位于所述第一芯片組最頂層的所述第一芯片向所述第一方向偏移；
9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成支撐結構，包括：
10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一芯片組包括堆疊在所述襯底上的多個第一芯片，多個所述第一芯片從下至上依次向第一方向偏移，所述第二芯片相對于位于所述第一芯片組最頂層的所述第一芯片向所述第一方向偏移；
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二芯片還包括在所述第二端部的上表面間隔排布的多個第一焊盤；所述支撐結構的數量為多個，多個所述支撐結構在所述襯底上間隔排布，且多個所述支撐結構對應設置于多個所述第一焊盤的下方。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述支撐結構的材料包括半導體材料，所述支撐結構通過切割晶圓得到。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半...
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