【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝，尤其涉及一種改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、傳統(tǒng)的晶圓級(jí)封裝多采用扇入型封裝，但隨集成芯片信號(hào)輸出引腳數(shù)目增加，對(duì)焊球間距的要求趨于嚴(yán)格，加上印刷電路板對(duì)于集成芯片封裝后尺寸以及信號(hào)輸出引腳位置的調(diào)整需求，因此扇出型封裝被廣泛應(yīng)用。扇出型封裝是采取拉線的方式將輸出引腳引出，從而可以設(shè)置多種裸晶，類似晶圓級(jí)封裝工藝埋入，從而減少封裝層，從而降低了封裝尺寸和成本。
2、多種裸晶的主體結(jié)構(gòu)是通過(guò)一圈環(huán)氧樹脂和頂部的環(huán)氧樹脂膜完成支撐和散熱的。但是環(huán)氧樹脂膜的支撐性遠(yuǎn)不如基板，因此封裝過(guò)程后會(huì)存在應(yīng)力無(wú)法釋放造成晶圓翹曲，進(jìn)而影響良率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)提供一種改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，改善產(chǎn)品的翹曲問(wèn)題。
2、本技術(shù)實(shí)施例提供一種改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，包括：晶圓、芯片單元、應(yīng)力釋放單元和封裝層；
3、所述芯片單元以矩陣陣列方式焊接在所述晶圓上，其中，相鄰的所述芯片單元之間具有等間距間隔，所述等間距間隔作為切割道；所述應(yīng)力釋放單元在所述切割道與所述芯片單元之間形成的空間內(nèi)等間距設(shè)置；所述封裝層覆蓋所述芯片單元和所述切割道。
4、可選的，所述應(yīng)力釋放單元在所述切割道上的垂直投影，關(guān)于所述切割道長(zhǎng)度方向上的中心線對(duì)稱。
5、可選的，所述應(yīng)力釋放單元為硅片，所述硅片填充在所述切割道上，所述硅片的寬度小于所述切割道的寬度。
6、可選的，所述硅片的厚度小于或等于所述芯片單元焊接后的厚度。
<...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：晶圓、芯片單元、應(yīng)力釋放單元和封裝層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)力釋放單元在所述切割道上的垂直投影，關(guān)于所述切割道長(zhǎng)度方向上的中心線對(duì)稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)力釋放單元為硅片，所述硅片填充在所述切割道上，所述硅片的寬度小于所述切割道的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅片的厚度小于或等于所述芯片單元焊接后的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅片尺寸為0.15mm*0.15mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)力釋放單元為沉孔，所述沉孔設(shè)置在所述封裝層上，沉孔在所述切割道上的垂直投影，關(guān)于所述切割道長(zhǎng)度方向上的中心線對(duì)稱。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述沉孔的深度小于或等于所述封裝層一半的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰所述應(yīng)力釋放單元之間的間隔為0.3mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述切割道的寬度范圍為0.2-0.5mm。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：晶圓、芯片單元、應(yīng)力釋放單元和封裝層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)力釋放單元在所述切割道上的垂直投影，關(guān)于所述切割道長(zhǎng)度方向上的中心線對(duì)稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)力釋放單元為硅片，所述硅片填充在所述切割道上，所述硅片的寬度小于所述切割道的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅片的厚度小于或等于所述芯片單元焊接后的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善翹曲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅片尺寸為0.15mm*0.15mm。
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：夏友力，周玲，劉彬，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海共進(jìn)微電子技術(shù)有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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