【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種使n溝道mosfet和p溝道mosfet進行推免連接而驅動功率半導體元件的柵極驅動電路。
技術介紹
1、對功率mosfet和igbt等功率半導體元件進行驅動的柵極驅動電路有多個種類。例如，有對n溝道mosfet和p溝道mosfet進行推挽連接的柵極驅動電路(實開平05-048584號公報)。該柵極驅動電路可實現在低損耗下高速開關驅動。
2、但是，在上述現有技術專利文獻示出的柵極驅動電路中，因為柵極電壓是恒定的，沒有溫度補償，會伴隨著溫度變化出現如下文所述的問題。
3、1)低溫時和高溫時的打開延遲時間及關閉延遲時間不同。因此，柵極驅動電路的應答性存在溫度依賴性。
4、2)n溝道mosfet和p溝道mosfet同時開啟時間延長，損耗增大。特別是一旦在高頻開關時元件的溫度升高，則容易發生同時開啟的情況，損耗變大。
5、這些問題的原因在于mosfet的閾值隨溫度(周圍溫度)而變化。
6、本專利技術著眼于mosfet的閾值隨溫度(周圍溫度)而變化的問題。本專利技術的目的是提供一種柵極驅動電路，使柵極電壓根據溫度(周圍溫度)而變化。
技術實現思路
1、本專利技術的柵極驅動電路具有
2、推挽連接的n溝道mosfet和p溝道mosfet，
3、連接于所述n溝道mosfet和所述p溝道mosfet的柵極端子之間溫度補償電路。
4、所述溫度補償電路隨著周圍溫度升高而降低所述n溝道mosfe
5、所述溫度補償電路包括晶體管，其中所述n溝道mosfet和所述p溝道mosfet的各柵極端子連接于集電極發射極之間；熱敏電阻電路，其包括連接于所述晶體管的基極發射極之間的熱敏電阻元件。
6、通過所述結構，溫度補償電路隨著溫度(周圍溫度)升高而使n溝道mosfet和p溝道mosfet各自的柵極電壓降低(drop，下降)。由此，可縮小根據溫度而變化的打開、關閉的各延遲時間的延遲差。另外，n溝道mosfet和p溝道mosfet的同時開啟時間不會變長，可防止損耗增大。
7、特別是能夠減少在高頻開關時的高溫時容易產生的損耗。
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1.一種柵極驅動電路，其將從控制基板輸入的脈沖信號通過推挽連接的N溝道MOSFET和P溝道MOSFET進行放大，從而驅動輸出元件，
2.根據權利要求1所述的柵極驅動電路，其中
3.根據權利要求2所述的柵極驅動電路，其中
【技術特征摘要】
1.一種柵極驅動電路，其將從控制基板輸入的脈沖信號通過推挽連接的n溝道mosfet和p溝道mosfet進行放大，從而驅動輸...
【專利技術屬性】
技術研發人員：深井真志，
申請(專利權)人：株式會社三社電機制作所，
類型：發明
國別省市：
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