【技術實現步驟摘要】
本申請涉及精密光學器件，尤其涉及一種半導體發光器的集成方法及半導體發光器的集成器件。
技術介紹
1、現有的成品半導體發光器件，例如激光二極管結構中存在金屬管帽、金屬管座等支撐結構(如圖1所示)，而且在支撐結構的外側還有保護外殼。在一些需要集成多束出射光的
(例如激光成像、激光印刷等)，需要使用由半導體發光器件陣列形成光學組件。
2、然而，現有的成品半導體陣列構成的光學組件中，其支撐結構和保護外殼的尺寸往往是其內部發光芯片(如圖1中的laser?diode，ld芯片)的數十倍，大大占用了陣列的排布空間，限制了激光器的出射光在單位面積內的排布密度。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種半導體發光器的集成方法及半導體發光器的集成器件，用于提高半導體陣列構成的光學組件的出射光在單位面積內的分布密度。
2、本申請實施例第一方面提供了一種半導體發光器的集成方法，可包括：
3、將多顆半導體發光器芯片呈陣列固定設置在基板，且所述多顆半導體發光器芯片的出射光的出光方向平行；
4、將每顆半導體發光器芯片的正電壓端、負電壓端分別與所述基板上集成的一路電源的輸出端的引線電連接，所述基板上的每一路電源均單獨開關控制；
5、沿所述多顆半導體發光器芯片的出射光的垂直方向設置呈一體結構的微透鏡陣列；其中，所述微透鏡陣列中的透鏡在平面上的排列方式與所述多顆半導體發光器芯片的排列方式一致，且每顆半導體發光器芯片的出光孔位于一透鏡的光軸上，以使得所述
6、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中，所述微透鏡陣列在出射光的平行方向上與所述基板之間的距離可調整。
7、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中，所述微透鏡陣列中的透鏡為非球面透鏡、自聚焦透鏡或錐面透鏡。
8、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中，所述將每顆半導體發光器芯片的正電壓端、負電壓端分別與所述基板上集成的一路電源的輸出端的引線電連接，包括：
9、將所述多顆半導體發光器芯片分為一組或多組，將每組半導體發光器芯片的第一極性端統一連接至第一極性引線上，所述第一極性引線與一組電源公用的第一極性端電連接；其中，每組半導體發光器芯片數量不大于一組電源中的電源路數，所述第一極性端為正電壓端或負電壓端；
10、將所述多顆半導體發光器芯片的第二極性端分別與不同路電源的第二極端電連接。
11、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中，所述將每組半導體發光器芯片的第一極性端統一連接至第一極性引線上，包括：
12、采用邦定工藝將每組半導體發光器芯片的第一極性端統一連接至第一極性引線上。
13、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中，所述半導體發光器芯片為半導體激光器芯片或led發光芯片。
14、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中，所述基板上集成的每一路電源的輸出功率可在預設范圍內調整。
15、本申請實施例第二方面提供了一種半導體發光器的集成器件，可包括：
16、基板、多顆半導體發光芯片以及電源電路；其中，
17、所述多顆半導體發光器芯片呈陣列固定設置在基板，且所述多顆半導體發光器芯片的出射光的出光方向平行；
18、所述多顆半導體發光器芯片中，每顆半導體發光器芯片的第一極性端、第二極性端分別與所述電源電路中的一路電源的輸出端的引線電連接，所述電源電路中的每一路電源均單獨開關控制。
19、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中的半導體發光器的集成器件，還可以包括：
20、沿所述多顆半導體發光器芯片的出射光的垂直方向設置微透鏡陣列；其中，所述微透鏡陣列中的透鏡在平面上的排列方式與所述多顆半導體發光器芯片的排列方式一致，且每顆半導體發光器芯片的出光孔位于一透鏡的光軸上，以使得所述微透鏡陣列中的透鏡對所述多顆半導體發光器的出射光分別聚焦形成形狀可控的光斑陣列。
21、本申請實施例第三方面提供了一種計算機裝置，所述計算機裝置包括處理器，所述處理器用于執行存儲器中存儲的計算機程序時實現如第一方面及第一方面中任意一種可能的實施方式中的步驟。
22、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中的半導體發光器的集成器件，還可以包括：電機驅動組件，所述電機驅動組件與微透鏡陣列固定連接，用于調整所述微透鏡陣列在出射光的平行方向上與所述基板之間的距離。
23、可選的，作為一種可能的實施方式，本申請實施例中的電源電路中的每一路電源的輸出功率可在預設范圍內調整。
24、從以上技術方案可以看出，本申請實施例具有以下優點：
25、本申請實施例中，本申請實施例中，直接將多顆半導體發光器芯片進行集成，縮小了各顆半導體發光器芯片出射光之間的間距，進而提高了單位面積內出射光的密度。
26、其次，本申請中的且單顆半導體發光器芯片的發光狀態可以獨立控制，可以根據需求控制陣列中不同位置的半導體發光器芯片的出射光在曝光區域的光斑形成可控可調整的光斑圖形，提高了半導體陣列構成的光學組件的使用兼容性。
27、再次，本申請中的半導體發光器芯片的出射光經過透鏡聚焦，光的能量利用率高。而且，相對于現有的光源器件形成的陣列，本申請取消了現有器件中的支撐結構和保護外殼，節約了生產成本。
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1.一種半導體發光器的集成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述微透鏡陣列在出射光的平行方向上與所述基板之間的距離可調整。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述微透鏡陣列中的透鏡為非球面透鏡、自聚焦透鏡或錐面透鏡。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述將每顆半導體發光器芯片的正電壓端、負電壓端分別與所述基板上集成的一路電源的輸出端的引線電連接，包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述將每組半導體發光器芯片的第一極性端統一連接至第一極性引線上，包括：
6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述基板上集成的每一路電源的輸出功率可在預設范圍內調整。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述半導體發光器芯片為半導體激光器芯片或LED發光芯片。
8.一種半導體發光器的集成器件，其特征在于，包括：基板、多顆半導體發光芯片、電源電路以及微透鏡陣列；其中，
9.根據權利要求8所述的半導體發
10.根據權利要求8所述的半導體發光器的集成器件，其特征在于，所述電源電路中的每一路電源的輸出功率可在預設范圍內調整。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體發光器的集成方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述微透鏡陣列在出射光的平行方向上與所述基板之間的距離可調整。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述微透鏡陣列中的透鏡為非球面透鏡、自聚焦透鏡或錐面透鏡。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述將每顆半導體發光器芯片的正電壓端、負電壓端分別與所述基板上集成的一路電源的輸出端的引線電連接，包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述將每組半導體發光器芯片的第一極性端統一連接至第一極性引線上，包括：
6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳乃奇，張向非，陳鋼，
申請(專利權)人：深圳市先地圖像科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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