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【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及導電連接的金屬柱,更具體地說,涉及一種包含金屬和焊料以實現電氣連接和物理連接的連接柱。
技術介紹
1、從來半導體裝配中使用的連接材料,隨著電極間距的減小,對新概念的連接材料開發提出了需求。作為柱狀的連接材料,正在研究使用金屬柱或具導電連接功能的金屬柱上鍍有焊錫層的導電連接柱以實現穩定的連接。
2、當使用金屬柱或連接柱時,即使間距很狹窄,也能安全使用而不會出現短路的風險,并且由于金屬柱或連接柱由導熱性較高的金屬制成,因此還具有將半導體產生的熱量排出到基板的散熱效應。
3、然而,至今對于傳統的金屬柱及其制造方法,以及鍍焊錫層的導電連接柱及其制造方法,連接柱的運輸方式,以及連接柱的連接方法等方面尚未進行具體研究,因此對于這些方面的開發工作非常迫切。
4、【先行技術文獻】
5、【專利文獻】
6、(專利文獻1)韓國公示第10-2007-0101157號
技術實現思路
1、【想要解決的問題】
2、本專利技術的一個方面是希望提供能夠最小化金屬線切割時產生的毛邊的金屬柱及其制造方法作為目標。
3、本專利技術的其他方面旨在提供具有優異的電氣傳導度和熱傳導度,在高長寬比下也具有優秀的連接可靠性的連接柱以及該連接柱的制造方法。
4、本專利技術的其他方面旨在提供能有效地輸送連接柱的連接柱輸送支架以及連接柱的附著方法。
5、本專利技術的其他方面旨在提供一種使用外部傳輸的連接柱在半導體封裝
6、本專利技術的另一方面旨在提供一種雙錫層連接柱,解決連接柱傾斜和缺失的問題。
7、【解決問題的手段】
8、根據本專利技術的一個方面,金屬線的兩端被切割成一定長度形成柱狀的導電連接的金屬柱,其特征在于:
9、該導電連接的金屬柱的電導率在11至101%iacs之間,維氏硬度則在150至300hv之間。
10、還該導電連接的金屬柱的直徑范圍為50至300μm,高度范圍為60至3,000μm。
11、還該導電連接的金屬柱的長徑比(長度/直徑)范圍為1.2至5。
12、還該導電連接的金屬柱的熔點范圍為500至1000℃。
13、還該金屬柱的拉伸強度為170至950mpa。
14、還導電連接的金屬柱包含至少一種從cu、ag、au、pt和pd組成的金屬,作為其主要成分。
15、還該導電連接的金屬柱至少含有0.1至20wt.%的由sn、fe、zn、mn、ni、p組成的一種或多種元素。
16、還該導電連接的金屬柱的熱導性為50至450w/mk。
17、根據本專利技術的另一方面,一種導電連接的金屬柱的制造方法,該方法包括:
18、主要金屬熔液中加入添加元素熔化的熔融過程;
19、熔化過程后,通過軋制、壓制或拉伸將熔體制成股線或薄片的絞線過程;
20、將絞線或薄片拉拔成線材的拉拔過程;
21、將拉拔后的線材進行熱處理,溫度范圍為160至300度的熱處理過程;以及
22、將線材切割成一定長度以制造金屬柱的切割過程;
23、其中該金屬柱的電導率在11至101%iacs之間,維氏硬度則在150至300hv之間。
24、【專利技術的效果】
25、根據本專利技術的一個方面,一種金屬柱及其制造方法可在切割金屬線時最大限度地減少毛刺的產生。此外,根據本專利技術的另一方面,連接柱及其制造方法具有優異的電氣傳導度和熱傳導度,并且在高纖維比率下具有出色的連接可靠性。相較于傳統連接組件,焊錫層的體積減少,從而提高了連接柱的熱傳導能力,使其能夠將產生的熱量有效地散發到基板中,具有散熱效果。
26、此專利技術的其他方面涉及連接柱的傳輸支架和連接柱的附著方法,可以有效地傳送并安裝連接柱,以實現高效率。
27、此專利技術的其他方面涉及電氣連接方法,通過使用外部傳輸的連接柱,可以實現半導體封裝內電極的穩定連接效果。此專利技術的其他方面涉及具有雙層焊錫層的連接柱,提供穩定的連接可靠性。
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1.一種金屬柱,金屬線的兩端被切割成一定長度形成柱狀的導電連接的金屬柱,其特征在于:
2.如請求項1所述之導電連接的金屬柱,
3.如請求項2所述之導電連接的金屬柱,
4.如請求項3所述之導電連接的金屬柱,
5.如請求項4所述之導電連接的金屬柱,
6.如請求項4所述之導電連接的金屬柱,
7.如請求項6所述之導電連接的金屬柱,
8.如請求項6所述之導電連接的金屬柱,
9.一種導電連接的金屬柱的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
【技術特征摘要】
1.一種金屬柱,金屬線的兩端被切割成一定長度形成柱狀的導電連接的金屬柱,其特征在于:
2.如請求項1所述之導電連接的金屬柱,
3.如請求項2所述之導電連接的金屬柱,
4.如請求項3所述之導電連接的金屬柱,
5.如請...
【專利技術屬性】
技術研發人員:殷東珍,李炫奎,金庚泰,裵成文,樸恩光,金成澤,金振圭,秋龍喆,吳熙奉,
申請(專利權)人:德山金屬株式會社,
類型:發明
國別省市:
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