【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體基板清洗，尤其是涉及一種單葉式半導體基板清洗裝置及清洗方法。
技術介紹
1、半導體集成電路是通過反復進行沉積、光刻、蝕刻、清洗工藝制造而成的。在這樣單獨進行的工藝中，由于清洗工藝是在每個單獨單元工藝前后進行的，因此進行工藝的次數遠遠多于其他工藝。而且，由于圖案被精細化和垂直地逐漸變大，因此變得越來越重要，并且實際上進行清洗工藝的次數也呈增加趨勢。
2、這種清洗工藝以一次性處理多數的半導體基板的批量式和一張一張處理的單葉式進行，基本依照化學藥品處理、超純水沖洗、干燥的順序進行。最近，隨著半導體基板的尺寸變大，主要以單葉式清洗工藝設備的使用頻率呈增加趨勢。這種單葉式清洗設備，是將半導體基板或硅片轉移到工藝腔體，并通過旋轉卡盤或晶片邊緣握持器進行固定，然后通過噴嘴將化學藥品一定時間噴射到半導體基板表面來進行清洗工藝。這些噴嘴有時根據需要處理的化學藥品的種類而單獨配置。這樣，化學藥品處理完成后，半導體表面上的化學藥品被通過另一個噴嘴噴射的超純水沖洗掉。進行一定時間以上的上述沖洗工藝，直到將半導體基板表面的化學藥品成分完全清除為止。隨后為了立即清除這些水，一般利用離心力進行高速旋轉干燥。在這種情況下，半導體基板上殘留的水大部分通過離心力從基板表面脫落，以薄膜形態殘留，最終以自然蒸發形態變得干燥。
3、這種干燥工藝在大氣壓下進行時，通常從數秒到數十秒內，膜狀的水通過蒸發和擴散從半導體基板移動變為氣相，最終進行干燥。此時，空氣中的雜質會溶解到水的薄膜中，或者水本身中溶解的雜質在干燥后留在半導體基板上
4、cn114425526a公開了一種半導體枚葉式清洗裝置及方法，對化學液進行回收，減少化學液的用量，cn114671489a公開了一種半導體清洗裝置及方法，對清洗液進行回收利用，減少資源浪費，但是兩者均未涉及如何提高半導體基板的干燥速度。
技術實現思路
1、針對上述存在的技術問題，本專利技術的目的是：提供一種單葉式半導體基板清洗裝置，避免半導體基板干燥后表面形成水斑或其它不良，快速進行干燥，縮短進行清洗的時間，提高清洗設備的工作效率。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：
3、一種單葉式半導體基板清洗裝置，包括工藝腔體，所述工藝腔體上設置有用于轉移半導體基板的閘閥，所述工藝腔體內設置有用于噴射液體的噴嘴、用于噴射氣體的淋浴頭和用于固定半導體基板的旋轉卡盤，所述旋轉卡盤由一電機驅動轉動；所述工藝腔體內設置有用于承接廢液的接收器，所述接收器上設置有延伸至工藝腔體外部的廢液管道，所述廢液管道上設置有廢液閥；所述工藝腔體與一水環真空泵相連，所述水環真空泵用于調節工藝腔體內的氣壓，所述工藝腔體與水環真空泵之間的管道上設置有真空開閉閥和節流閥，所述水環真空泵與一氣液分離罐相連，所述氣液分離罐的頂部設置有排氣管，所述氣液分離罐的底部設置有廢水管道，所述廢水管道上設置有回流至水環真空泵的回流管道，所述氣液分離罐的中部設置有連通至廢水管道的溢出管道，所述水環真空泵與一外部供水管道相連。
4、優選的是，所述工藝腔體上設置有用于檢測工藝腔體內真空度的真空檢測裝置。
5、優選的是，所述旋轉卡盤上設置有夾具式吸盤或邊緣夾持器。
6、優選的是，所述節流閥和水環真空泵之間的管道上設置有爪型泵或凸輪泵。
7、優選的是，所述工藝腔體和真空開閉閥之間的管道上依次設置有連接閥和氣旋式氣液分離器。
8、優選的是，所述工藝腔體具有多個，多個工藝腔體并聯后連接至同一水環真空泵。
9、優選的是，所述噴嘴與提供不同液體的三個管道相連，所述淋浴頭與提供不同氣體的三個管道相連。
10、一種清洗方法，用于上述的單葉式半導體基板清洗裝置，包括步驟：
11、s1、將半導體基板固定在旋轉卡盤上；
12、s2、噴嘴向半導體基板噴射液態化學藥品，打開廢液閥將接收器內的藥品廢液通過廢液管道排出，噴嘴向半導體基板噴射超純水或異丙醇清洗殘余的化學藥品；
13、s3、關閉廢液閥，打開真空開閉閥，調節節流閥以保持工藝腔體內所需的氣壓，電機驅動旋轉卡盤轉動，淋浴頭向半導體基板噴射氣體。
14、優選的是，s3中噴射的氣體為氮氣和/或異丙醇蒸汽。
15、優選的是，s3中工藝腔體內的真空度在50torr-100?torr之間。
16、由于上述技術方案的運用，本專利技術與現有技術相比具有下列優點：
17、本專利技術單葉式半導體基板清洗裝置包括工藝腔體，工藝腔體上設置有用于轉移半導體基板的閘閥，工藝腔體內設置有用于噴射液體的噴嘴、用于噴射氣體的淋浴頭和用于固定半導體基板的旋轉卡盤，工藝腔體與一水環真空泵相連，便于調節工藝腔體內的氣壓，水環真空泵與一氣液分離罐相連，在真空狀態下對旋轉的半導體基板進行干燥，減少干燥時間，提高生產效率，減少了消耗的水和異丙醇以及氮氣的使用量，提高了工藝生產率，顯著降低水斑和圖案不良發生的概率。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：包括工藝腔體，所述工藝腔體上設置有用于轉移半導體基板的閘閥，所述工藝腔體內設置有用于噴射液體的噴嘴、用于噴射氣體的淋浴頭和用于固定半導體基板的旋轉卡盤，所述旋轉卡盤由一電機驅動轉動；所述工藝腔體內設置有用于承接廢液的接收器，所述接收器上設置有延伸至工藝腔體外部的廢液管道，所述廢液管道上設置有廢液閥；所述工藝腔體與一水環真空泵相連，所述水環真空泵用于調節工藝腔體內的氣壓，所述工藝腔體與水環真空泵之間的管道上設置有真空開閉閥和節流閥，所述水環真空泵與一氣液分離罐相連，所述氣液分離罐的頂部設置有排氣管，所述氣液分離罐的底部設置有廢水管道，所述廢水管道上設置有回流至水環真空泵的回流管道，所述氣液分離罐的中部設置有連通至廢水管道的溢出管道，所述水環真空泵與一外部供水管道相連。
2.根據權利要求1所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：所述工藝腔體上設置有用于檢測工藝腔體內真空度的真空檢測裝置。
3.根據權利要求1所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：所述旋轉卡盤上設置有夾具式吸盤或邊緣夾持器。
4.
5.根據權利要求1所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：所述工藝腔體和真空開閉閥之間的管道上依次設置有連接閥和氣旋式氣液分離器。
6.根據權利要求1所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：所述工藝腔體具有多個，多個工藝腔體并聯后連接至同一水環真空泵。
7.根據權利要求1所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：所述噴嘴與提供不同液體的三個管道相連，所述淋浴頭與提供不同氣體的三個管道相連。
8.一種清洗方法，用于權利要求1-7任一項所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于，包括步驟：
9.根據權利要求7所述的清洗方法，其特征在于：S3中噴射的氣體為氮氣和/或異丙醇蒸汽。
10.根據權利要求7所述的清洗方法，其特征在于：S3中工藝腔體內的真空度在50Torr-100?Torr之間。
...【技術特征摘要】
1.一種單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：包括工藝腔體，所述工藝腔體上設置有用于轉移半導體基板的閘閥，所述工藝腔體內設置有用于噴射液體的噴嘴、用于噴射氣體的淋浴頭和用于固定半導體基板的旋轉卡盤，所述旋轉卡盤由一電機驅動轉動；所述工藝腔體內設置有用于承接廢液的接收器，所述接收器上設置有延伸至工藝腔體外部的廢液管道，所述廢液管道上設置有廢液閥；所述工藝腔體與一水環真空泵相連，所述水環真空泵用于調節工藝腔體內的氣壓，所述工藝腔體與水環真空泵之間的管道上設置有真空開閉閥和節流閥，所述水環真空泵與一氣液分離罐相連，所述氣液分離罐的頂部設置有排氣管，所述氣液分離罐的底部設置有廢水管道，所述廢水管道上設置有回流至水環真空泵的回流管道，所述氣液分離罐的中部設置有連通至廢水管道的溢出管道，所述水環真空泵與一外部供水管道相連。
2.根據權利要求1所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：所述工藝腔體上設置有用于檢測工藝腔體內真空度的真空檢測裝置。
3.根據權利要求1所述的單葉式半導體基板清洗裝置，其特征在于：所述旋轉卡...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉載安，華克路，韓鏞弼，
申請(專利權)人：東領科技裝備有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。