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    一種高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路制造技術

    技術編號:40636341 閱讀:16 留言:0更新日期:2024-03-13 21:19
    本發明專利技術屬于航空發動機點火領域,具體涉及一種高壓半導體?氣體放電管復合式高壓放電點火電路。包括:濾波器、變壓器T1、整流硅堆V1、儲能電容C1、氣體放電管V2、輸出保護電阻R1、高壓可控硅SCR1、晶閘管SCR2、整流二極管V3、V4和V5、儲能電容C2和C3、引弧電容C4、三極管Q1、可調電壓基準源Q2、觸發變壓器T2、升壓變壓器T3、以及電阻R2~R7、觸發變壓器T2、升壓變壓器T3。通過增加高壓半導體器件形成一條新的引弧電路,與原放電電路組合形成復合式放電電路。實現用半導體器件控制大能量傳輸的控制方式,進而減小放電管的損耗,達到延長壽命的目的。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術屬于航空發動機點火領域,具體涉及一種高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路。


    技術介紹

    1、目前,傳統航空發動機點火裝置中氣體放電管的使用壽命是制約點火裝置壽命的主要因素之一。點火裝置工作時,儲能電容中存儲的電能電壓到達放電管導通電壓后,所有能量經放電管向后級設備輸出。大能量點火裝置的儲能一般在15j以上,放電頻率在(2~4)hz,因此,在點火裝置工作期間氣體放電管需持續傳輸大能量,而全功率工作狀態下的氣體放電管壽命較短,這就需要設計出具有更長壽命的點火電路。


    技術實現思路

    1、
    技術實現思路
    :提供一種高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,提高點火電路壽命。

    2、技術方案:

    3、一種高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,包括:濾波器、變壓器t1、整流硅堆v1、儲能電容c1、氣體放電管v2、輸出保護電阻r1、高壓可控硅scr1、晶閘管scr2、整流二極管v3、v4和v5、儲能電容c2和c3、引弧電容c4、三極管q1、可調電壓基準源q2、觸發變壓器t2、升壓變壓器t3、以及電阻r2~r7、觸發變壓器t2、升壓變壓器t3,其中,濾波器的輸出端與變壓器t1的初級繞組連接,變壓器t1的第一次級繞組的一端與整流硅堆v1正極連接;整流硅堆v1的負極與儲能電容c1一端、電阻r5一端、氣體放電管v2一端連接;變壓器t1的第二次級繞組的一端與整流二極管v3的正極連接;整流二極管v3的負極與儲能電容c2的一端、二極管v5的負極、觸發變壓器t2的初級線圈的一端連接;二極管v5的正極與觸發變壓器t2的初級線圈的另一端、晶閘管scr2的陽極連接;變壓器t1的第三次級繞組的一端與二極管v4的正極連接;二極管v4的負極與儲能電容c3的一端、電阻r2的一端、三極管q1的發射極連接;電阻r2的另一端與可調電壓基準源q2的陰極、電阻r3的一端連接;電阻r3的另一端與三極管q1的基極連接;電阻r4的一端與三極管q1的集電極、晶閘管scr2的門極連接;觸發變壓器t2的次級線圈的一端與高壓可控硅scr1的門極連接;觸發變壓器t2的次級線圈的另一端與高壓可控硅scr1的陰極、升壓變壓器t3的初級線圈的一端連接;高壓可控硅scr1的陽極與電阻r5的另一端、電阻r6的一端、引弧電容c4的一端連接;電阻r6的另一端與電阻r7的一端、可調電壓基準源q2的門極連接;氣體放電管v2的另一端與輸出保護電阻r1的一端、升壓變壓器t3的次級線圈的一個輸出端連接;變壓器t1的第一次級繞組的另一端、儲能電容c1另一端、變壓器t1的第二次級繞組的另一端、變壓器t1的第三次級繞組的另一端、儲能電容c2的一端、晶閘管scr2的陰極、儲能電容c3的另一端、可調電壓基準源q2的陽極、電阻r4的另一端、晶閘管scr2的陰極、引弧電容c4的另一端、電阻r7的另一端、輸出保護電阻r1的另一端、升壓變壓器t3的初級線圈的另一端接地;升壓變壓器t3的次級線圈的另一個輸出端與地作為輸出端。

    4、進一步地,高壓可控硅scr1為pt20a35f8。

    5、進一步地,晶閘管scr2選用器件型號為3ct2324。

    6、進一步地,三極管q1選用3ck024e型pnp三極管。

    7、進一步地,可調電壓基準源q2選用器件型號為cw431t。

    8、進一步地,放電管v2選用器件型號為r3120。

    9、進一步地,變壓器t1匝數比為1:(30:1:1)。

    10、進一步地,變壓器t2匝數比為3:1。

    11、有益效果:

    12、本專利技術提出的一種高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電電路,通過增加高壓半導體器件形成一條新的引弧電路,與原放電電路組合形成復合式放電電路。實現用半導體器件控制大能量傳輸的控制方式,進而減小放電管的損耗,達到延長壽命的目的。

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    【技術保護點】

    1.一種高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,包括:濾波器、變壓器T1、整流硅堆V1、儲能電容C1、氣體放電管V2、輸出保護電阻R1、高壓可控硅SCR1、晶閘管SCR2、整流二極管V3、V4和V5、儲能電容C2和C3、引弧電容C4、三極管Q1、可調電壓基準源Q2、觸發變壓器T2、升壓變壓器T3、以及電阻R2~R7、觸發變壓器T2、升壓變壓器T3,其中,濾波器的輸出端與變壓器T1的初級繞組連接,變壓器T1的第一次級繞組的一端與整流硅堆V1正極連接;整流硅堆V1的負極與儲能電容C1一端、電阻R5一端、氣體放電管V2一端連接;變壓器T1的第二次級繞組的一端與整流二極管V3的正極連接;整流二極管V3的負極與儲能電容C2的一端、二極管V5的負極、觸發變壓器T2的初級線圈的一端連接;二極管V5的正極與觸發變壓器T2的初級線圈的另一端、晶閘管SCR2的陽極連接;變壓器T1的第三次級繞組的一端與二極管V4的正極連接;二極管V4的負極與儲能電容C3的一端、電阻R2的一端、三極管Q1的發射極連接;電阻R2的另一端與可調電壓基準源Q2的陰極、電阻R3的一端連接;電阻R3的另一端與三極管Q1的基極連接;電阻R4的一端與三極管Q1的集電極、晶閘管SCR2的門極連接;觸發變壓器T2的次級線圈的一端與高壓可控硅SCR1的門極連接;觸發變壓器T2的次級線圈的另一端與高壓可控硅SCR1的陰極、升壓變壓器T3的初級線圈的一端連接;高壓可控硅SCR1的陽極與電阻R5的另一端、電阻R6的一端、引弧電容C4的一端連接;電阻R6的另一端與電阻R7的一端、可調電壓基準源Q2的門極連接;氣體放電管V2的另一端與輸出保護電阻R1的一端、升壓變壓器T3的次級線圈的一個輸出端連接;變壓器T1的第一次級繞組的另一端、儲能電容C1另一端、變壓器T1的第二次級繞組的另一端、變壓器T1的第三次級繞組的另一端、儲能電容C2的一端、晶閘管SCR2的陰極、儲能電容C3的另一端、可調電壓基準源Q2的陽極、電阻R4的另一端、晶閘管SCR2的陰極、引弧電容C4的另一端、電阻R7的另一端、輸出保護電阻R1的另一端、升壓變壓器T3的初級線圈的另一端接地;升壓變壓器T3的次級線圈的另一個輸出端與地作為輸出端。

    2.根據權利要求1所述的高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,高壓可控硅SCR1為PT20A35F8。

    3.根據權利要求1所述的高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,晶閘管SCR2選用器件型號為3CT2324。

    4.根據權利要求1所述的高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,三極管Q1選用3CK024E型PNP三極管。

    5.根據權利要求1所述的高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,可調電壓基準源Q2選用器件型號為CW431T。

    6.根據權利要求1所述的高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,放電管V2選用器件型號為R3120。

    7.根據權利要求1所述的高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,變壓器T1匝數比為1:(30:1:1)。

    8.根據權利要求1所述的高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,變壓器T2匝數比為3:1。

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    【技術特征摘要】

    1.一種高壓半導體-氣體放電管復合式高壓放電點火電路,其特征在于,包括:濾波器、變壓器t1、整流硅堆v1、儲能電容c1、氣體放電管v2、輸出保護電阻r1、高壓可控硅scr1、晶閘管scr2、整流二極管v3、v4和v5、儲能電容c2和c3、引弧電容c4、三極管q1、可調電壓基準源q2、觸發變壓器t2、升壓變壓器t3、以及電阻r2~r7、觸發變壓器t2、升壓變壓器t3,其中,濾波器的輸出端與變壓器t1的初級繞組連接,變壓器t1的第一次級繞組的一端與整流硅堆v1正極連接;整流硅堆v1的負極與儲能電容c1一端、電阻r5一端、氣體放電管v2一端連接;變壓器t1的第二次級繞組的一端與整流二極管v3的正極連接;整流二極管v3的負極與儲能電容c2的一端、二極管v5的負極、觸發變壓器t2的初級線圈的一端連接;二極管v5的正極與觸發變壓器t2的初級線圈的另一端、晶閘管scr2的陽極連接;變壓器t1的第三次級繞組的一端與二極管v4的正極連接;二極管v4的負極與儲能電容c3的一端、電阻r2的一端、三極管q1的發射極連接;電阻r2的另一端與可調電壓基準源q2的陰極、電阻r3的一端連接;電阻r3的另一端與三極管q1的基極連接;電阻r4的一端與三極管q1的集電極、晶閘管scr2的門極連接;觸發變壓器t2的次級線圈的一端與高壓可控硅scr1的門極連接;觸發變壓器t2的次級線圈的另一端與高壓可控硅scr1的陰極、升壓變壓器t3的初級線圈的一端連接;高壓可控硅scr1的陽極與電阻r5的另一端、電阻r6的一端、引弧電容c4的一端連接;電阻r6的另一端與電阻r7的一端、可調電壓基準源q2的門極連接;氣體放電管v2的另一端與輸出保護電...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:彭雨豪楊水銀,梁杰,李成武,焦文娟,
    申請(專利權)人:陜西航空電氣有限責任公司,
    類型:發明
    國別省市:

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