【技術實現步驟摘要】
本申請涉及集成電路，特別涉及一種積分器的振蕩抑制電路。
技術介紹
1、現有技術中，電源或其他需要模擬積分器的電路在使用時輸出會出現振動現象。當開關電源失控導致震蕩時候，本專利技術旨在提供一種振蕩抑制電路，可以抑制震蕩幅度，并且自帶過壓過流保護功能讓電路更加安全的工作。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種積分器的振蕩抑制電路，對積分器輸出具有振蕩抑制和過流保護的功能。
2、本申請公開了一種積分器的振蕩抑制電路，包括：第一至第三三極管、以及第一至第三電阻，其中，所述第二三極管的第二端耦合到所述第一電阻的一端，所述第一電阻的另一端和所述第一三極管的第一端均耦合到所述積分器的負相輸入端，所述第一三極管的第二端耦合到所述第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端和所述第二三極管的第一端均耦合到所述積分器的正相輸入端，所述第一三極管的第三端耦合到所述第三電阻的一端，所述第三電阻的另一端耦合到所述第三三極管的第二端，所述第二三極管的第三端和所述第三三極管的第三端均耦合到所述積分器的輸出端，所述第三三極管的第一端耦合到地端，其中，所述積分器的正相輸入端接收設定值，所述積分器的負相輸入端接收采樣值。
3、在一個優選例中，還包括：第四電阻，所述第四電阻的一端耦合到所述第三三極管的第二端和所述第三電阻的另一端之間的節點，所述第四電阻的另一端耦合到所述地端。
4、在一個優選例中，所述積分器包括：放大器、第一電容、第二電容、第五電阻、以及第六電阻，所述第一電容的一端耦合
5、在一個優選例中，所述積分器包括：放大器、第一電容、第二電容、第五電阻、第六電阻、以及第七電阻，所述第一電容的一端耦合到所述放大器的負相輸入端、所述第五電阻的一端以及所述第七電阻的一端，所述第一電容的另一端耦合到所述放大器的輸出端，所述第七電阻的另一端耦合到所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端耦合到所述放大器的輸出端，所述第六電阻的一端耦合到所述放大器的正相輸入端，所述第六電阻的另一端耦合作為所述積分器的正相輸入端耦合到所述第二三極管的第一端。
6、在一個優選例中，所述第一三極管和所述第二三極管為npn型三極管，所述第三三極管為pnp型三極管，其中所述第一端為三極管的發射極，所述第二端為三極管的基極，所述第三端為三極管的集電極。
7、在一個優選例中，所述第一三極管和所述第二三極管為pmos晶體管，所述第三三極管為nmos晶體管，其中所述第一端為晶體管的源極，所述第二端為晶體管的柵極，所述第三端為晶體管的漏極。
8、在一個優選例中，當所述設定值大于所述采樣值與所述第二三極管的閾值電壓之間的和時，所述第二三極管導通，所述第一三極管和所述第三三極管關閉，所述積分器的輸出端電壓被拉高；所述采樣值大于所述設定值與所述第一三極管的閾值電壓之間的和時，所述第一三極管和所述第三三極管導通，所述第二三極管關閉，所述積分器的輸出端電壓被拉低。
9、在一個優選例中，所述設定值在所述采樣值和所述第一三極管之間的差值與所述采樣值和所述第二三極管之間的和的范圍內時，所述第一三極管、第二三極管以及第三三極管均關閉。
10、本申請的振蕩抑制電路結構簡單、成本低，對積分器輸出具有過流保護功能。
11、本申請的說明書中記載了大量的技術特征，分布在各個技術方案中，如果要羅列出本申請所有可能的技術特征的組合（即技術方案）的話，會使得說明書過于冗長。為了避免這個問題，本申請上述
技術實現思路
中公開的各個技術特征、在下文各個實施方式和例子中公開的各技術特征、以及附圖中公開的各個技術特征，都可以自由地互相組合，從而構成各種新的技術方案（這些技術方案均應該視為在本說明書中已經記載），除非這種技術特征的組合在技術上是不可行的。例如，在一個例子中公開了特征a+b+c，在另一個例子中公開了特征a+b+d+e，而特征c和d是起到相同作用的等同技術手段，技術上只要擇一使用即可，不可能同時采用，特征e技術上可以與特征c相組合，則，a+b+c+d的方案因技術不可行而應當不被視為已經記載，而a+b+c+e的方案應當視為已經被記載。
【技術保護點】
1.一種積分器的振蕩抑制電路，其特征在于，包括：第一至第三三極管、以及第一至第三電阻，其中，所述第二三極管的第二端耦合到所述第一電阻的一端，所述第一電阻的另一端和所述第一三極管的第一端均耦合到所述積分器的負相輸入端，所述第一三極管的第二端耦合到所述第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端和所述第二三極管的第一端均耦合到所述積分器的正相輸入端，所述第一三極管的第三端耦合到所述第三電阻的一端，所述第三電阻的另一端耦合到所述第三三極管的第二端，所述第二三極管的第三端和所述第三三極管的第三端均耦合到所述積分器的輸出端，所述第三三極管的第一端耦合到地端，其中，所述積分器的正相輸入端接收設定值，所述積分器的負相輸入端接收采樣值。
2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括：第四電阻，所述第四電阻的一端耦合到所述第三三極管的第二端和所述第三電阻的另一端之間的節點，所述第四電阻的另一端耦合到所述地端。
3.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述積分器包括：放大器、第一電容、第二電容、第五電阻、以及第六電阻，所述第一電容的一端耦合到所述放大器的負相輸入端和所述第五電阻的一
4.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述積分器包括：放大器、第一電容、第二電容、第五電阻、第六電阻、以及第七電阻，所述第一電容的一端耦合到所述放大器的負相輸入端、所述第五電阻的一端以及所述第七電阻的一端，所述第一電容的另一端耦合到所述放大器的輸出端，所述第七電阻的另一端耦合到所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端耦合到所述放大器的輸出端，所述第六電阻的一端耦合到所述放大器的正相輸入端，所述第六電阻的另一端耦合作為所述積分器的正相輸入端耦合到所述第二三極管的第一端。
5.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一三極管和所述第二三極管為NPN型三極管，所述第三三極管為PNP型三極管，其中所述第一端為三極管的發射極，所述第二端為三極管的基極，所述第三端為三極管的集電極。
6.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一三極管和所述第二三極管為PMOS晶體管，所述第三三極管為NMOS晶體管，其中所述第一端為晶體管的源極，所述第二端為晶體管的柵極，所述第三端為晶體管的漏極。
7.如權利要求1所述的電路，其特征在于，當所述設定值大于所述采樣值與所述第二三極管的閾值電壓之間的和時，所述第二三極管導通，所述第一三極管和所述第三三極管關閉，所述積分器的輸出端電壓被拉高；所述采樣值大于所述設定值與所述第一三極管的閾值電壓之間的和時，所述第一三極管和所述第三三極管導通，所述第二三極管關閉，所述積分器的輸出端電壓被拉低。
8.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述設定值在所述采樣值和所述第一三極管之間的差值與所述采樣值和所述第二三極管之間的和的范圍內時，所述第一三極管、第二三極管以及第三三極管均關閉。
...【技術特征摘要】
1.一種積分器的振蕩抑制電路，其特征在于，包括：第一至第三三極管、以及第一至第三電阻，其中，所述第二三極管的第二端耦合到所述第一電阻的一端，所述第一電阻的另一端和所述第一三極管的第一端均耦合到所述積分器的負相輸入端，所述第一三極管的第二端耦合到所述第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端和所述第二三極管的第一端均耦合到所述積分器的正相輸入端，所述第一三極管的第三端耦合到所述第三電阻的一端，所述第三電阻的另一端耦合到所述第三三極管的第二端，所述第二三極管的第三端和所述第三三極管的第三端均耦合到所述積分器的輸出端，所述第三三極管的第一端耦合到地端，其中，所述積分器的正相輸入端接收設定值，所述積分器的負相輸入端接收采樣值。
2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括：第四電阻，所述第四電阻的一端耦合到所述第三三極管的第二端和所述第三電阻的另一端之間的節點，所述第四電阻的另一端耦合到所述地端。
3.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述積分器包括：放大器、第一電容、第二電容、第五電阻、以及第六電阻，所述第一電容的一端耦合到所述放大器的負相輸入端和所述第五電阻的一端，所述第一電容的另一端耦合到所述放大器的輸出端，所述第五電阻的另一端作為所述積分器的負相輸入端耦合到所述第一三極管和第一端，所述第二電容的一端耦合到所述放大器的正相輸入端和所述第六電阻的一端，所述第二電容的另一端耦合到所述地端，所述第六電阻的另一端耦合作為所述積分器的正相輸入端耦合到所述第二三極管的第一端。
4.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述積分器包括：放大器、第一電容...
【專利技術屬性】
技術研發人員：許同，李義，李倩倩，
申請(專利權)人：上海類比半導體技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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