【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種用于在高壓環(huán)境下處理物體的基板處理裝置。
技術(shù)介紹
1、一般，在進(jìn)行半導(dǎo)體器件的制造工藝的過(guò)程中，對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行各種處理。這種處理，例如有氧化、氮化、硅化、離子注入及化學(xué)氣相沉積(cvd：chemical?vapordeposition)工藝等。還有氫或氘熱處理工藝，用以改善半導(dǎo)體器件的界面性能。
2、用于處理的氣體以高于大氣壓的高壓供給至腔室，并作用于半導(dǎo)體基板。在所述氣體泄漏時(shí)，不僅污染周圍，還會(huì)發(fā)生著火等問(wèn)題。
3、隨著處理工藝的溫度升高，這樣的著火風(fēng)險(xiǎn)更大。當(dāng)處理溫度高于氣體的自燃溫度時(shí)，因泄漏而著火的危險(xiǎn)會(huì)變得更大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、技術(shù)問(wèn)題
2、本專利技術(shù)的一目的在于，提供一種高壓基板處理裝置，其即使在高溫下執(zhí)行處理工藝，在執(zhí)行工藝的過(guò)程中其結(jié)構(gòu)上能預(yù)防因氣體泄漏而發(fā)生著火的危險(xiǎn)。
3、解決問(wèn)題的手段
4、為了實(shí)現(xiàn)所述課題，根據(jù)本專利技術(shù)的一側(cè)面的高壓基板處理裝置，其中，可以包括：第一腔室，其被形成為容納待處理的物體；第二腔室，其被形成為以圍繞所述第一腔室的狀態(tài)加熱所述第一腔室；第三腔室，具備配置成圍繞所述第二腔室的一部分的第3-1腔室、以及配置成圍繞所述第二腔室的另一部分的第3-2腔室；以及供氣模塊，其被構(gòu)成為向所述第一腔室內(nèi)以第一壓力供給用于處理所述物體的工藝氣體，在所述第二腔室和所述第一腔室之間的空間以與所述第一壓力相關(guān)地設(shè)定的第二壓力供給保護(hù)氣體，并且，為了阻止外部空氣流入所述第三
5、此處，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室可以被形成為占據(jù)相互獨(dú)立的區(qū)域。
6、此處，所述第三壓力可以是比所述第一壓力及所述第二壓力更偏向于所述外部的壓力的值。
7、此處，還包括控制模塊，用于控制所述供氣模塊的運(yùn)行，所述控制模塊可以控制所述供氣模塊以按照不同的標(biāo)準(zhǔn)向所述第3-1腔室和所述第3-2腔室供給所述防御氣體。
8、此處，還包括感測(cè)模塊，所述感測(cè)模塊，具備：用于感測(cè)所述第3-1腔室內(nèi)的環(huán)境的第一傳感器、以及用于感測(cè)所述第3-2腔室內(nèi)的環(huán)境的第二傳感器，所述控制模塊可根據(jù)所述感測(cè)模塊的感測(cè)結(jié)果來(lái)控制所述供氣模塊。
9、此處，所述第一傳感器包括壓力計(jì)，所述控制模塊可以控制所述供氣模塊，使得當(dāng)所述壓力計(jì)感測(cè)到的所述第3-1腔室的壓力小于設(shè)定壓力時(shí)，注入所述防御氣體，使所述第3-1腔室達(dá)到所述設(shè)定壓力。
10、此處，所述第二傳感器包括氣體感測(cè)器，所述控制模塊可以控制所述供氣模塊，使得當(dāng)所述氣體感測(cè)器感測(cè)到所述第3-2腔室的氧氣濃度超過(guò)設(shè)定氧氣濃度時(shí)，投入所述防御氣體，使所述第3-2腔室達(dá)到所述設(shè)定氧氣濃度。
11、此處，還包括：排氣模塊，其與所述第3-1腔室相連通；以及控制模塊，其被構(gòu)成為控制所述排氣模塊，所述控制模塊可以控制所述排氣模塊，使得在所述第一腔室對(duì)所述物體進(jìn)行正常處理時(shí)，以防供給至所述第3-1腔室的所述防御氣體被排放。
12、此處，還包括：感測(cè)模塊，配置在所述第3-1腔室內(nèi)；排氣模塊，與所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室相連通；以及控制模塊，其被構(gòu)成為控制所述排氣模塊，所述控制模塊可以控制所述排氣模塊，使得當(dāng)根據(jù)所述感測(cè)模塊的感測(cè)結(jié)果判斷發(fā)生了氣體泄漏時(shí)，對(duì)所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室中的至少一個(gè)進(jìn)行排氣。
13、此處，所述控制模塊可以控制所述供氣模塊，使得當(dāng)所述第3-1腔室排氣時(shí)，向所述第3-1腔室供給所述防御氣體以稀釋所述工藝氣體。
14、此處，所述供氣模塊，可以包括：氣體調(diào)整供給器，其被構(gòu)成為對(duì)所述防御氣體調(diào)整流量后供給至所述第3-1腔室；以及緊急開(kāi)閉供給器，其被構(gòu)成為當(dāng)所述第3-1腔室進(jìn)行排氣時(shí)，以最大設(shè)定流量向所述第3-1腔室供給所述防御氣體。
15、此處，所述感測(cè)模塊包括壓力計(jì)及氣體感測(cè)器中的至少一個(gè)，所述控制模塊，當(dāng)所述壓力計(jì)感測(cè)到的所述第3-1腔室的壓力超過(guò)設(shè)定壓力或者所述氣體感測(cè)器感測(cè)到所述工藝氣體時(shí)，可以判斷發(fā)生了氣體泄漏。
16、此處，所述物體可以包括半導(dǎo)體基板，所述工藝氣體可以包括氫氣、氘氣、氟氣、氨氣及氯氣中的至少一種，所述保護(hù)氣體和所述防御氣體中的至少一個(gè)可以包括惰性氣體。
17、根據(jù)本專利技術(shù)的另一側(cè)面的高壓基板處理裝置，其中，可以包括：第一腔室，其被形成為容納待處理的物體；第二腔室，其被配置為圍繞所述第一腔室；第三腔室，其被配置為圍繞所述第二腔室；供氣模塊，其被構(gòu)成為向所述第一腔室內(nèi)以第一壓力供給用于處理所述物體的工藝氣體，在所述第二腔室和所述第一腔室之間的空間以與所述第一壓力相關(guān)地設(shè)定的第二壓力供給保護(hù)氣體，并且，為了阻止外部空氣流入所述第三腔室內(nèi)，向所述第3腔室和所述第2腔室之間的空間以高于所述第三腔室的外部的壓力的第三壓力供給防御氣體；以及加熱模塊，被構(gòu)成為配置在所述第二腔室內(nèi)，以高于所述工藝氣體的燃點(diǎn)的溫度加熱所述工藝氣體。
18、此處，所述第三壓力可以是低于所述第一壓力及所述第二壓力，并且，比所述第一壓力及所述第二壓力更偏向于所述外部的壓力的值。
19、此處，還包括控制模塊，用于控制所述供氣模塊，所述第三腔室，包括：第三上部腔室，其被配置成圍繞所述第二腔室的上部；以及第三下部腔室，其被配置成圍繞所述第二腔室的下部，所述控制模塊可以控制所述供氣模塊以按照不同的標(biāo)準(zhǔn)向所述第三下部腔室供給所述防御氣體。
20、此處，還包括感測(cè)模塊，所述感測(cè)模塊，具備：用于感測(cè)所述第三上部腔室內(nèi)的環(huán)境的第一傳感器、以及用于感測(cè)所述第三下部腔室內(nèi)的環(huán)境的第二傳感器，所述控制模塊可根據(jù)所述感測(cè)模塊的感測(cè)結(jié)果來(lái)控制所述供氣模塊。
21、此處，所述第一傳感器包括壓力計(jì)，所述控制模塊可以控制所述供氣模塊，使得當(dāng)所述壓力計(jì)感測(cè)到的所述第三上部腔室的壓力小于設(shè)定壓力時(shí)，投入所述防御氣體，使所述第三上部腔室達(dá)到所述設(shè)定壓力。
22、此處，所述第二傳感器包括氣體感測(cè)器，所述控制模塊可以控制所述供氣模塊，使得當(dāng)所述氣體感測(cè)器感測(cè)到所述第三下部腔室的氧氣濃度超過(guò)設(shè)定氧氣濃度時(shí)，投入所述防御氣體，使所述第三下部腔室達(dá)到所述設(shè)定氧氣濃度。
23、此處，所述第三上部腔室和所述第三下部腔室可以被形成為占據(jù)相互獨(dú)立的區(qū)域。
24、此處，還包括：排氣模塊，其與所述第三腔室相連通；以及控制模塊，其被構(gòu)成為控制所述排氣模塊，所述控制模塊可以控制所述排氣模塊，使得在所述第一腔室對(duì)所述物體進(jìn)行正常處理時(shí)，以防供給至所述第三腔室的所述防御氣體被排放。
25、此處，還包括：感測(cè)模塊，配置在所述第三腔室內(nèi)；排氣模塊，與所述第一腔室、所述第二腔室及所述第三腔室相連通；以及控制模塊，其被構(gòu)成為控制所述排氣模塊，所述控制模塊可以控制所述排本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種高壓基板處理裝置，其中，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室被形成為占據(jù)相互獨(dú)立的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第三壓力比所述第一壓力及所述第二壓力更是偏向于所述外部的壓力的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括控制模塊，用于控制所述供氣模塊的運(yùn)行，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括感測(cè)模塊，所述感測(cè)模塊，具備：用于感測(cè)所述第3-1腔室內(nèi)的環(huán)境的第一傳感器、以及用于感測(cè)所述第3-2腔室內(nèi)的環(huán)境的第二傳感器，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第一傳感器包括壓力計(jì)，
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第二傳感器包括氣體感測(cè)器，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓基板處理裝置，其中，所述控制模塊控制
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓基板處理裝置，其中，所述供氣模塊，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓基板處理裝置，其中，所述感測(cè)模塊包括壓力計(jì)及氣體感測(cè)器中的至少一個(gè)，
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，所述物體包括半導(dǎo)體基板，
14.一種高壓基板處理裝置，其中，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第三壓力低于所述第一壓力及所述第二壓力，并且，比所述第一壓力及所述第二壓力更是偏向于所述外部的壓力的值。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括控制模塊，用于控制所述供氣模塊，
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括感測(cè)模塊，所述感測(cè)模塊，具備：用于感測(cè)所述第三上部腔室內(nèi)的環(huán)境的第一傳感器、以及用于感測(cè)所述第三下部腔室內(nèi)的環(huán)境的第二傳感器，
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第一傳感器包括壓力計(jì)，
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第二傳感器包括氣體感測(cè)器，
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第三上部腔室和所述第三下部腔室被形成為占據(jù)相互獨(dú)立的區(qū)域。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括：
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括：
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的高壓基板處理裝置，其中，所述控制模塊控制所述供氣模塊，使得當(dāng)所述第三腔室排氣時(shí)，向所述第三腔室供給所述防御氣體以稀釋所述工藝氣體。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的高壓基板處理裝置，其中，所述供氣模塊，包括：
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的高壓基板處理裝置，其中，所述感測(cè)模塊包括壓力計(jì)及氣體感測(cè)器中的至少一個(gè)，
26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的高壓基板處理裝置，其中，所述物體包括半導(dǎo)體基板，
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種高壓基板處理裝置，其中，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室被形成為占據(jù)相互獨(dú)立的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第三壓力比所述第一壓力及所述第二壓力更是偏向于所述外部的壓力的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括控制模塊，用于控制所述供氣模塊的運(yùn)行，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括感測(cè)模塊，所述感測(cè)模塊，具備：用于感測(cè)所述第3-1腔室內(nèi)的環(huán)境的第一傳感器、以及用于感測(cè)所述第3-2腔室內(nèi)的環(huán)境的第二傳感器，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第一傳感器包括壓力計(jì)，
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓基板處理裝置，其中，所述第二傳感器包括氣體感測(cè)器，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓基板處理裝置，其中，所述控制模塊控制所述供氣模塊，使得當(dāng)所述第3-1腔室排氣時(shí)，向所述第3-1腔室供給所述防御氣體以稀釋所述工藝氣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓基板處理裝置，其中，所述供氣模塊，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓基板處理裝置，其中，所述感測(cè)模塊包括壓力計(jì)及氣體感測(cè)器中的至少一個(gè)，
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓基板處理裝置，其中，所述物體包括半導(dǎo)體基板，
14.一種高壓基板處理裝置...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林根榮，閔彬泓，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：HPSP有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。