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    一種自適應性浪涌電路制造技術

    技術編號:40753430 閱讀:15 留言:0更新日期:2024-03-25 20:08
    本發明專利技術涉及浪涌保護技術領域,特別是一種自適應性浪涌電路,其微處理器模塊用于從浪涌檢測電路接收浪涌尖峰電壓,當浪涌尖峰電壓大于基準電壓時,生成第一吸收信號傳輸至浪涌吸收開關電路;浪涌吸收開關電路用于當接收到第一吸收信號時導通;每當微處理器模塊生成第一吸收信號、第二吸收信號或第三吸收信號后,接收到的浪涌尖峰電壓依然大于基準電壓時,分別生成第二吸收信號、第三吸收信號和第四吸收信號;浪涌吸收調節電路用于每當接收到第二吸收信號、第三吸收信號或第四吸收信號時,分別吸合浪涌吸收調節電路的第一開關、第二開關和第三開關;從而根據實時檢測的浪涌尖峰電壓,自適應性匹配相應的浪涌吸收量。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及浪涌保護,特別是一種自適應性浪涌電路


    技術介紹

    1、目前家用電器越來越成為人們日常生活中不可或缺的物品,穩定、可靠的家用電器可大大提高人們的使用體驗感;為此,針對家用電器運行的穩定性要求,則需要對產品設置浪涌保護措施,以防止家用電器受到浪涌沖擊造成電控板損毀、性能衰退、電池壽命降低、屏幕閃抖、聲音噪雜、數據錯失、卡機重啟等。

    2、通常采用的浪涌抑制措施是根據浪涌施加的脈沖電壓,選用壓敏電阻或者放電管,將脈沖電壓泄放,再設置rc吸收器來抑制浪涌電壓上升率過大。

    3、但由于用戶的接地環境復雜,有時候會產生很大的接地阻抗,在浪涌出現時,放電管導入大地的電流在接地阻抗上會產生電壓,從而整體抬高浪涌尖峰電壓,進而導致rc吸收器無法完全吸收浪涌;且若rc吸收器吸收量大于浪涌時,會增加漏電流,導致漏電開關誤動作、觸電等;所以rc吸收器的吸收量與浪涌尖峰電壓相匹配才是最優解。


    技術實現思路

    1、針對上述缺陷,本專利技術的目的在于提出一種自適應性浪涌電路,根據實時檢測的浪涌尖峰電壓,自適應性匹配相應的浪涌吸收量。

    2、為達此目的,本專利技術采用以下技術方案:

    3、一種自適應性浪涌電路,包括壓敏電阻zr1、壓敏電阻zr2和放電管dsa1;所述壓敏電阻zr1的一端和整流橋模塊的第一輸入端電連接,所述壓敏電阻zr2的一端和所述整流橋模塊的第二輸入端電連接,所述壓敏電阻zr1的另一端、所述壓敏電阻zr2的另一端均和所述放電管dsa1的一端電連接,所述放電管dsa1的另一端大地接地;還包括浪涌吸收調節電路、浪涌吸收開關電路、浪涌檢測電路和微處理器模塊;所述浪涌檢測電路的正輸入端和所述整流橋模塊的正輸出端電連接,所述浪涌檢測電路的輸出端和所述微處理器模塊的輸入端電連接,所述浪涌吸收開關電路的正端和所述放電管dsa1的一端電連接,所述浪涌吸收開關電路的負端和所述放電管dsa1的另一端電連接,所述浪涌吸收開關電路的控制端和所述微處理器模塊的第一輸出端電連接,所述浪涌吸收調節電路的正端接vdd電源,所述浪涌吸收調節電路的負端大地接地,所述浪涌吸收調節電路的第一控制端、第二控制端和第三控制端分別與所述微處理器模塊的第二輸出端、第三輸出端和第四輸出端電連接;

    4、所述微處理器模塊用于從所述浪涌檢測電路接收浪涌尖峰電壓,當所述浪涌尖峰電壓大于基準電壓時,生成第一吸收信號傳輸至所述浪涌吸收開關電路;

    5、所述浪涌吸收開關電路用于當接收到所述第一吸收信號時導通;

    6、每當所述微處理器模塊生成所述第一吸收信號、第二吸收信號或第三吸收信號后,接收到的所述浪涌尖峰電壓依然大于所述基準電壓時,分別生成所述第二吸收信號、所述第三吸收信號和所述第四吸收信號;

    7、所述浪涌吸收調節電路用于每當接收到所述第二吸收信號、所述第三吸收信號或所述第四吸收信號時,分別吸合所述浪涌吸收調節電路的第一開關、第二開關和第三開關。

    8、進一步的,所述浪涌吸收調節電路包括位移寄存器ic1、光電耦合器ic2、光電耦合器ic3、光電耦合器ic4、數字開關控制器q1、數字開關控制器q2、數字開關控制器q3、電阻r11、電阻r12、電阻r13、電阻r14、電阻r15、電阻r16、電阻r17、電阻r18、電阻r19、電阻r20、電阻r21、電容c3、電容c4、電容c5和電容c7;所述電阻r19的一端用作所述浪涌吸收調節電路的正端,所述電容c7的一端用作所述浪涌吸收調節電路的負端,所述光電耦合器ic2、所述光電耦合器ic3和所述光電耦合器ic4的引腳2分別用作所述浪涌吸收調節電路的第一控制端、第二控制端和第三控制端;

    9、所述光電耦合器ic2的引腳1接vcc電源,所述光電耦合器ic2的引腳3和所述電容c3的一端均大地接地,所述光電耦合器ic2的引腳4、所述電容c3的另一端、所述電阻r13的一端均和所述位移寄存器ic1的引腳14電連接;

    10、所述光電耦合器ic3的引腳1接vcc電源,所述光電耦合器ic3的引腳3和所述電容c4的一端均大地接地,所述光電耦合器ic3的引腳4、所述電容c4的另一端、所述電阻r17的一端均和所述位移寄存器ic1的引腳11電連接;

    11、所述光電耦合器ic4的引腳1接vcc電源,所述光電耦合器ic4的引腳3和所述電容c5的一端均大地接地,所述光電耦合器ic4的引腳4、所述電容c5的另一端、所述電阻r21的一端均和所述位移寄存器ic1的引腳12電連接;

    12、所述電阻r13的另一端、所述電阻r17的另一端、所述電阻r21的另一端、所述電阻r11的一端和所述位移寄存器ic1的引腳16均接vdd電源,所述電阻r11的另一端和所述位移寄存器ic1的引腳10電連接,所述位移寄存器ic1的引腳13和引腳8均大地接地,所述數字開關控制器q1、所述數字開關控制器q2和所述數字開關控制器q3的引腳1分別與所述位移寄存器ic1的引腳15、引腳1和引腳2電連接,所述數字開關控制器q1、所述數字開關控制器q2和所述數字開關控制器q3的引腳4均接vdd電源,所述數字開關控制器q1的引腳5和所述電阻r19的一端電連接,所述電阻r19的另一端接vdd電源;

    13、所述數字開關控制器q1的引腳2和所述電阻r14的一端電連接,所述數字開關控制器q1的引腳3、所述電阻r14的另一端均和所述數字開關控制器q2的引腳5電連接;

    14、所述數字開關控制器q2的引腳2和所述電阻r15的一端電連接,所述數字開關控制器q2的引腳3、所述電阻r15的另一端均和所述數字開關控制器q3的引腳5電連接;

    15、所述數字開關控制器q3的引腳2和所述電阻r18的一端電連接,所述數字開關控制器q3的引腳3、所述電阻r18的另一端均和所述電容c7的一端電連接,所電容c7的另一端大地接地;

    16、所述數字開關控制器q1、所述數字開關控制器q2和所述數字開關控制器q3分別用作所述浪涌吸收調節電路的第一開關、第二開關和第三開關。

    17、進一步的,當設有多個所述浪涌吸收調節電路時,前一個所述浪涌吸收調節電路的所述位移寄存器ic1的引腳9和后一個所述浪涌吸收調節電路的所述位移寄存器ic1的引腳14電連接。

    18、進一步的,所述浪涌吸收開關電路包括吸收單元、三極管q4、電阻r9、電阻r10和繼電器ry1;所述吸收單元的一端用作所述浪涌吸收開關電路的正端,所述繼電器ry1的觸點一端用作所述浪涌吸收開關電路的負端,所述三極管q4的基極用作所述浪涌吸收開關電路的控制端;

    19、所述吸收單元的另一端和所述繼電器ry1的觸點另一端電連接,所述繼電器ry1的線圈一端接vcc電源,所述繼電器ry1的線圈另一端和所述三極管q4的集電極電連接,所述三極管q4的基極和所述電阻r9的一端電連接,所述三極管q4的射極和所述電阻r10的一端均工作接地,所述電阻r9的另一端和所述電阻r10的另一端電連接;

    20、所述吸收單元用本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種自適應性浪涌電路,包括壓敏電阻ZR1、壓敏電阻ZR2和放電管DSA1;所述壓敏電阻ZR1的一端和整流橋模塊的第一輸入端電連接,所述壓敏電阻ZR2的一端和所述整流橋模塊的第二輸入端電連接,所述壓敏電阻ZR1的另一端、所述壓敏電阻ZR2的另一端均和所述放電管DSA1的一端電連接,所述放電管DSA1的另一端大地接地;其特征在于:還包括浪涌吸收調節電路、浪涌吸收開關電路、浪涌檢測電路和微處理器模塊;所述浪涌檢測電路的正輸入端和所述整流橋模塊的正輸出端電連接,所述浪涌檢測電路的輸出端和所述微處理器模塊的輸入端電連接,所述浪涌吸收開關電路的正端和所述放電管DSA1的一端電連接,所述浪涌吸收開關電路的負端和所述放電管DSA1的另一端電連接,所述浪涌吸收開關電路的控制端和所述微處理器模塊的第一輸出端電連接,所述浪涌吸收調節電路的正端接VDD電源,所述浪涌吸收調節電路的負端大地接地,所述浪涌吸收調節電路的第一控制端、第二控制端和第三控制端分別與所述微處理器模塊的第二輸出端、第三輸出端和第四輸出端電連接;

    2.根據權利要求1所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:所述浪涌吸收調節電路包括位移寄存器IC1、光電耦合器IC2、光電耦合器IC3、光電耦合器IC4、數字開關控制器Q1、數字開關控制器Q2、數字開關控制器Q3、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電阻R16、電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20、電阻R21、電容C3、電容C4、電容C5和電容C7;所述電阻R19的一端用作所述浪涌吸收調節電路的正端,所述電容C7的一端用作所述浪涌吸收調節電路的負端,所述光電耦合器IC2、所述光電耦合器IC3和所述光電耦合器IC4的引腳2分別用作所述浪涌吸收調節電路的第一控制端、第二控制端和第三控制端;

    3.根據權利要求2所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:當設有多個所述浪涌吸收調節電路時,前一個所述浪涌吸收調節電路的所述位移寄存器IC1的引腳9和后一個所述浪涌吸收調節電路的所述位移寄存器IC1的引腳14電連接。

    4.根據權利要求1所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:所述浪涌吸收開關電路包括吸收單元、三極管Q4、電阻R9、電阻R10和繼電器RY1;所述吸收單元的一端用作所述浪涌吸收開關電路的正端,所述繼電器RY1的觸點一端用作所述浪涌吸收開關電路的負端,所述三極管Q4的基極用作所述浪涌吸收開關電路的控制端;

    5.根據權利要求4所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:所述吸收單元包括電阻R8和電容C6;所述電阻R8的一端用作所述吸收單元的一端,所述電容C6的一端用作所述吸收單元的另一端;所述電阻R8的另一端和所述電容C6的另一端電連接。

    6.根據權利要求4所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:所述吸收單元包括電阻R23、電容C8和電阻R22;所述電阻R23的一端用作所述吸收單元的一端,所述電容C8的一端用作所述吸收單元的另一端;所述電阻R23的另一端、所述電阻R22的一端均和所述電容C8的另一端電連接,所述電阻R22的另一端和所述電容C8的一端電連接。

    7.根據權利要求4所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:所述吸收單元包括電容C9、電容C10和電阻R24;所述電容C9的一端用作所述吸收單元的一端,所述電容C10的一端用作所述吸收單元的另一端;所述電容C9的另一端、所述電阻R24的一端均和所述電容C10的另一端電連接,所述電阻R24的另一端和所述電容C10的一端電連接。

    8.根據權利要求1所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:還包括參數存儲模塊;所述微處理器模塊的通訊端和所述參數存儲模塊的通訊端IIC通訊連接;所述參數存儲模塊用于和所述微處理器模塊信息交互。

    9.根據權利要求1所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:所述浪涌檢測電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電容C2和二極管D1;所述電阻R1的一端用作所述浪涌檢測電路的正輸入端,所述電阻R6的一端用作所述浪涌檢測電路的輸出端;

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    【技術特征摘要】

    1.一種自適應性浪涌電路,包括壓敏電阻zr1、壓敏電阻zr2和放電管dsa1;所述壓敏電阻zr1的一端和整流橋模塊的第一輸入端電連接,所述壓敏電阻zr2的一端和所述整流橋模塊的第二輸入端電連接,所述壓敏電阻zr1的另一端、所述壓敏電阻zr2的另一端均和所述放電管dsa1的一端電連接,所述放電管dsa1的另一端大地接地;其特征在于:還包括浪涌吸收調節電路、浪涌吸收開關電路、浪涌檢測電路和微處理器模塊;所述浪涌檢測電路的正輸入端和所述整流橋模塊的正輸出端電連接,所述浪涌檢測電路的輸出端和所述微處理器模塊的輸入端電連接,所述浪涌吸收開關電路的正端和所述放電管dsa1的一端電連接,所述浪涌吸收開關電路的負端和所述放電管dsa1的另一端電連接,所述浪涌吸收開關電路的控制端和所述微處理器模塊的第一輸出端電連接,所述浪涌吸收調節電路的正端接vdd電源,所述浪涌吸收調節電路的負端大地接地,所述浪涌吸收調節電路的第一控制端、第二控制端和第三控制端分別與所述微處理器模塊的第二輸出端、第三輸出端和第四輸出端電連接;

    2.根據權利要求1所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:所述浪涌吸收調節電路包括位移寄存器ic1、光電耦合器ic2、光電耦合器ic3、光電耦合器ic4、數字開關控制器q1、數字開關控制器q2、數字開關控制器q3、電阻r11、電阻r12、電阻r13、電阻r14、電阻r15、電阻r16、電阻r17、電阻r18、電阻r19、電阻r20、電阻r21、電容c3、電容c4、電容c5和電容c7;所述電阻r19的一端用作所述浪涌吸收調節電路的正端,所述電容c7的一端用作所述浪涌吸收調節電路的負端,所述光電耦合器ic2、所述光電耦合器ic3和所述光電耦合器ic4的引腳2分別用作所述浪涌吸收調節電路的第一控制端、第二控制端和第三控制端;

    3.根據權利要求2所述的一種自適應性浪涌電路,其特征在于:當設有多個所述浪涌吸收調節電路時,前一個所述浪涌吸收調節電路的所述位移寄存器ic1的引腳9和后一個所述浪涌吸收調節電路的所述位移寄存...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:胡凱寧李強
    申請(專利權)人:廣東三華釩音科技有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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