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    一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置以及方法制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):40760843 閱讀:16 留言:0更新日期:2024-03-25 20:12
    本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)涉及氮化硅陶瓷制備技術(shù)領(lǐng)域,具體的說(shuō)是一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置以及方法,該裝置,包括機(jī)架,所述機(jī)架上端安裝罐體,所述罐體內(nèi)部設(shè)置內(nèi)筒,所述內(nèi)筒外端設(shè)置螺旋加熱棒,所述機(jī)架內(nèi)部底端安裝超聲波發(fā)生器,所述內(nèi)筒內(nèi)部底端等距鑲嵌多個(gè)探頭,且探頭與超聲波發(fā)生器電連接,所述機(jī)架內(nèi)部底端設(shè)置真空泵,所述真空泵的進(jìn)口連通安裝吸管,所述吸管另一端穿過(guò)機(jī)架并與罐體左端連通,所述罐體左端連通安裝輸料管,該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)采用階梯式真空度脈沖脫泡作業(yè),脫泡時(shí)間短,提升脫泡效率,使氮化硅陶瓷漿料的性能高,有效保證后續(xù)制備的坯體的質(zhì)量。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專(zhuān)利技術(shù)是一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置以及方法,屬于氮化硅陶瓷制備。


    技術(shù)介紹

    1、氮化硅陶瓷是兼具高強(qiáng)度和高導(dǎo)熱的最佳半導(dǎo)體絕緣基板材料,廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件上,氮化硅陶瓷的制備步驟包括制漿、脫泡、成型、排膠、燒結(jié),其中脫泡是工序中關(guān)鍵的一步,低泡陶瓷漿料是制備高性能氮化硅陶瓷的前提;

    2、如果陶瓷漿料中的氣泡過(guò)多,會(huì)導(dǎo)致成型坯體氣孔較多,輕則產(chǎn)生缺陷,影響陶瓷燒結(jié)收縮、微觀形成,從而造成陶瓷表面有缺陷、強(qiáng)度、熱導(dǎo)等性能下降的情況,重則燒結(jié)良品率降低,生產(chǎn)效率低,浪費(fèi)多,致使生產(chǎn)成本增加;

    3、因此對(duì)成型前的漿料進(jìn)行脫泡是十分必要的,目前陶瓷漿料的除泡方法主要有三種:使用消泡劑、慢速攪拌和真空除泡,消泡劑可能會(huì)與漿料中的化合物反應(yīng)影響漿料性能,另外兩種除泡方式為了保證脫泡效果,一般要存在長(zhǎng)時(shí)間工作,會(huì)使脫泡效率差。

    4、本
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    5、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題,本專(zhuān)利技術(shù)提供了一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置以及方法。

    6、本專(zhuān)利技術(shù)解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,包括機(jī)架,所述機(jī)架上端安裝左高右低傾斜布置的罐體,所述罐體內(nèi)部設(shè)置內(nèi)筒,且內(nèi)筒沿著罐體長(zhǎng)度方向布置,所述內(nèi)筒外端設(shè)置螺旋加熱棒,且螺旋加熱棒位于罐體內(nèi);

    7、所述機(jī)架內(nèi)部底端安裝超聲波發(fā)生器,所述內(nèi)筒內(nèi)部底端等距鑲嵌多個(gè)探頭,且探頭與超聲波發(fā)生器電連接,所述機(jī)架內(nèi)部底端設(shè)置真空泵,且真空泵位于超聲波發(fā)生器左側(cè);

    8、所述真空泵的進(jìn)口連通安裝帶有控制閥的吸管,所述吸管另一端穿過(guò)機(jī)架并與罐體左端連通,所述吸管與罐體連通位置位于內(nèi)筒內(nèi)側(cè),所述罐體上端安裝左低右高傾斜布置的預(yù)處理件,所述罐體左端連通安裝帶有控制閥的輸料管,且輸料管位于吸管外側(cè),所述輸送管與罐體連通位置位于內(nèi)筒內(nèi)側(cè),所述輸料管另一端與預(yù)處理件連通布置。

    9、進(jìn)一步地,所述預(yù)處理件包括左低右高傾斜布置的料罐,所述料罐位于罐體正上方,所述罐體與料罐之間對(duì)稱(chēng)設(shè)置兩個(gè)托舉桿;

    10、所述輸料管另一端與料罐左端連通布置,所述料罐內(nèi)部安裝濾網(wǎng),所述料罐內(nèi)部滑動(dòng)連接活塞,且活塞位于濾網(wǎng)右側(cè),所述活塞右端對(duì)稱(chēng)轉(zhuǎn)動(dòng)連接兩個(gè)導(dǎo)桿,兩個(gè)所述導(dǎo)桿均延伸出料罐右側(cè),且料罐與導(dǎo)桿滑動(dòng)連接;

    11、所述料罐右側(cè)設(shè)置豎向布置的活動(dòng)板,且活動(dòng)板位于罐體上方,兩個(gè)所述導(dǎo)桿另一端均設(shè)置在活動(dòng)板左端上,所述活動(dòng)板與料罐之間對(duì)稱(chēng)設(shè)置兩個(gè)彈性件,且彈性件位于導(dǎo)桿外側(cè)。

    12、進(jìn)一步地,所述活動(dòng)板右端面向左凹陷形成兩個(gè)螺紋孔,且螺紋孔貫穿活動(dòng)板,所述導(dǎo)桿右端中部安裝螺柱,且螺柱螺紋連接在螺紋孔內(nèi),所述螺柱右端面向左凹陷形成六角孔。

    13、進(jìn)一步地,所述料罐上端連通設(shè)置帶有控制閥的上料管,所述上料管與料罐連通位置位于濾網(wǎng)與活塞之間,所述上料管上端連通安裝上寬下窄布置的錐形罩。

    14、進(jìn)一步地,所述內(nèi)筒外端設(shè)置環(huán)形隔板,且環(huán)形隔板位于螺旋加熱棒右側(cè),所述環(huán)形隔板安裝在罐體內(nèi)壁上;

    15、所述罐體下端設(shè)置帶有控制閥的排料管,且排料管位于機(jī)架右側(cè),所述排料管上端穿過(guò)罐體并與內(nèi)筒連通,且排料管位于環(huán)形隔板右側(cè)。

    16、進(jìn)一步地,所述機(jī)架下端四個(gè)棱角位置均安裝滾動(dòng)構(gòu)件的固定部,所述罐體左端設(shè)置把手架,且把手架位于輸料管下側(cè)。

    17、一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡方法,該方法應(yīng)用一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置所制備,該方法包括以下步驟:

    18、第一步、預(yù)處理,通過(guò)上料管以及錐形罩將球磨混合后的陶瓷漿料放入料罐內(nèi),再利用活塞進(jìn)行擠壓作業(yè),從而將陶瓷漿料穿過(guò)濾網(wǎng),通過(guò)濾網(wǎng)對(duì)陶瓷漿料進(jìn)行過(guò)濾析出;

    19、第二步、上料,將過(guò)濾析出的陶瓷漿料通過(guò)輸料管輸送到內(nèi)筒內(nèi),同時(shí)利用螺旋加熱棒將內(nèi)筒內(nèi)溫度提升至35-55℃,并始終保持;

    20、第三步、脫泡,利用真空泵將內(nèi)筒內(nèi)抽至真空狀態(tài),并使真空度成-92到-90pa,脫泡3-10min后,將內(nèi)筒內(nèi)真空度卸壓至-40到-45pa,維持3-10min后,然后將內(nèi)筒內(nèi)卸壓至真空度0,維持3-10min,接著將以上步驟重復(fù)2-6次;

    21、第四步、超聲處理,在利用真空泵對(duì)內(nèi)筒進(jìn)行抽真空作業(yè)同時(shí),利用超聲波發(fā)生器以及多個(gè)探頭在內(nèi)筒內(nèi)產(chǎn)生脈沖,并使脈沖隨著真空度變化而變化,超聲維持;

    22、第五步、流延成型,利用排料管將內(nèi)筒內(nèi)脫泡完成的陶瓷漿料排出,并將排出的陶瓷漿料輸送到流延設(shè)備內(nèi),通過(guò)流延制備將陶瓷漿料制備出坯體。

    23、本專(zhuān)利技術(shù)的有益效果:

    24、1、利用真空泵、吸管使內(nèi)筒內(nèi)呈真空狀態(tài),并利用超聲波發(fā)生器以及多個(gè)探頭,在內(nèi)筒內(nèi)產(chǎn)生超聲脈沖,可在真空的環(huán)境下利用超聲脈沖進(jìn)行脫泡作業(yè),并實(shí)現(xiàn)采用階梯式真空度脈沖脫泡作業(yè),脫泡時(shí)間短,提升脫泡效率,使氮化硅陶瓷漿料的性能高,有效保證后續(xù)制備的坯體的質(zhì)量,使坯體的微觀組織均勻,無(wú)明顯缺陷,并且燒結(jié)得到的瓷片密度較高,性能優(yōu)異。

    25、2、超聲脈沖的振動(dòng)會(huì)使內(nèi)筒內(nèi)氮化硅陶瓷漿料的氣泡出現(xiàn)聚集,并使得氣泡破碎并上升液面上,并且在真空的環(huán)境下使膨脹破碎的氣泡在超聲作用下更快消失,會(huì)使氮化硅陶瓷漿料更均勻,比僅真空脫泡或在常溫常壓環(huán)境超聲脫泡效率更高,得到的氮化硅陶瓷漿料質(zhì)量更穩(wěn)定。

    26、3、利用真空泵以及吸管,對(duì)內(nèi)筒進(jìn)行抽氣作業(yè),同時(shí)料罐內(nèi)氣體沿著輸料管進(jìn)入內(nèi)筒內(nèi),從而使料罐內(nèi)產(chǎn)生負(fù)壓,并使活塞沿著料罐向左運(yùn)動(dòng),活塞向左運(yùn)動(dòng)會(huì)對(duì)料罐內(nèi)氮化硅陶瓷漿料進(jìn)行施壓,從而使氮化硅陶瓷漿料過(guò)濾析出濾網(wǎng),而過(guò)濾析出的氮化硅陶瓷漿料會(huì)隨著氣體沿著輸料管進(jìn)入內(nèi)筒內(nèi),使抽真空操作、上料操作以及過(guò)濾析出操作之間進(jìn)行聯(lián)動(dòng),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,有效降低設(shè)備成本,并且活塞的加壓,使得氮化硅陶瓷漿料中的空氣經(jīng)過(guò)擠壓擠出一部分,提升脫泡效率。

    27、4、在呈真空狀態(tài)的內(nèi)筒進(jìn)行卸壓時(shí),外界氣體通過(guò)l型氣管進(jìn)入料罐內(nèi),可利用進(jìn)入料罐內(nèi)的外界氣體對(duì)濾網(wǎng)進(jìn)行反向吹拂,實(shí)現(xiàn)對(duì)濾網(wǎng)進(jìn)行清理,有效保證后續(xù)能正常進(jìn)行過(guò)濾析出作業(yè),并使清理操作和卸壓作業(yè)產(chǎn)生聯(lián)動(dòng),減少生產(chǎn)成本。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:包括機(jī)架(2),所述機(jī)架(2)上端安裝左高右低傾斜布置的罐體(1),所述罐體(1)內(nèi)部設(shè)置內(nèi)筒(15),且內(nèi)筒(15)沿著罐體(1)長(zhǎng)度方向布置,所述內(nèi)筒(15)外端設(shè)置螺旋加熱棒(17),且螺旋加熱棒(17)位于罐體(1)內(nèi);

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:所述預(yù)處理件包括左低右高傾斜布置的料罐(7),所述料罐(7)位于罐體(1)正上方,所述罐體(1)與料罐(7)之間對(duì)稱(chēng)設(shè)置兩個(gè)托舉桿(6);

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:所述活動(dòng)板(76)右端面向左凹陷形成兩個(gè)螺紋孔,且螺紋孔貫穿活動(dòng)板(76),所述導(dǎo)桿(75)右端中部安裝螺柱,且螺柱螺紋連接在螺紋孔內(nèi),所述螺柱右端面向左凹陷形成六角孔。

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:所述料罐(7)上端連通設(shè)置帶有控制閥的上料管(72),所述上料管(72)與料罐(7)連通位置位于濾網(wǎng)(78)與活塞(77)之間,所述上料管(72)上端連通安裝上寬下窄布置的錐形罩(73)。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:所述內(nèi)筒(15)外端設(shè)置環(huán)形隔板(16),且環(huán)形隔板(16)位于螺旋加熱棒(17)右側(cè),所述環(huán)形隔板(16)安裝在罐體(1)內(nèi)壁上;

    6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:所述機(jī)架(2)下端四個(gè)棱角位置均安裝滾動(dòng)構(gòu)件的固定部,所述罐體(1)左端設(shè)置把手架,且把手架位于輸料管(11)下側(cè)。

    7.一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡方法,其特征在于:該方法應(yīng)用權(quán)利要求1-6所述的一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置所制備,該方法包括以下步驟:

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:包括機(jī)架(2),所述機(jī)架(2)上端安裝左高右低傾斜布置的罐體(1),所述罐體(1)內(nèi)部設(shè)置內(nèi)筒(15),且內(nèi)筒(15)沿著罐體(1)長(zhǎng)度方向布置,所述內(nèi)筒(15)外端設(shè)置螺旋加熱棒(17),且螺旋加熱棒(17)位于罐體(1)內(nèi);

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:所述預(yù)處理件包括左低右高傾斜布置的料罐(7),所述料罐(7)位于罐體(1)正上方,所述罐體(1)與料罐(7)之間對(duì)稱(chēng)設(shè)置兩個(gè)托舉桿(6);

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅陶瓷漿料脈沖脫泡裝置,其特征在于:所述活動(dòng)板(76)右端面向左凹陷形成兩個(gè)螺紋孔,且螺紋孔貫穿活動(dòng)板(76),所述導(dǎo)桿(75)右端中部安裝螺柱,且螺柱螺紋連接在螺紋孔內(nèi),所述螺柱右端面向左凹陷形成六角孔。

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮...

    【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:葛荘丁穎穎王斌閆培田余祖森
    申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人:江蘇富樂(lè)華功率半導(dǎo)體研究院有限公司
    類(lèi)型:發(fā)明
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