【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及吸波材料，尤其涉及一種高性能吸波涂層及其制備方法。
技術介紹
1、隨著信息技術的迅猛發展，電磁信號探測具有重要意義，而雷達吸波材料可以有效吸收入射電磁波，降低目標回波強度，常用于裝備及特殊器件表面以實現電磁防護。隨著裝備的發展，對雷達吸波材料的性能要求越來越嚴苛，在薄、寬、輕、強的基礎上，吸波材料還應具有耐蝕、高附著力等性能。
2、鐵元素作為電磁波吸收劑具有較好的吸波性能，但是鐵元素在自然狀態下容易腐蝕且密度大，通過將其他元素（鈷、鎳、硅、錳、鉻、鋁）與鐵元素復合，得到合金材料，耐蝕性能得到提升。碳納米材料化學性質穩定、比表面積大、重量輕、具有良好的介電性能，對電磁波也有一定強度的吸收。直接將兩者混合均勻制備得到吸波涂層，由于合金材料與碳納米材料密度相差較大，在噴涂過程中碳納米材料容易漂浮，合金材料容易下沉，導致吸波涂層分層，降低涂層的電性能和力學性能。在碳納米材料表面負載磁性合金材料，以此作為吸收劑制備得到吸波涂層，中國專利申請cn105670560a提供了一種納米氧化鈷/石墨烯復合吸波涂層及其制備方法，由于碳納米材料與磁性合金復合，具有較好的耐蝕、吸波性能，但是該吸波涂層面密度較大，以此制備得到的吸波涂層會增大裝備的負載。
技術實現思路
1、有鑒于現有技術的上述缺陷，本專利技術所要解決的技術問題是現有技術中吸波涂層面密度大及涂層附著性能較差的問題。
2、本專利技術的目的在于提供一種高性能吸波涂層，該涂層具有輕質、耐蝕、高附著力和寬頻吸收的特
3、為了實現上述專利技術目的，本專利技術采用了如下的技術方案：
4、一種高性能吸波涂層，包括如下組分：多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑、粘合劑、抗沉降劑、分散劑、偶聯劑和溶劑。
5、優選的，所述高性能吸波涂層，包括以質量份計的如下組分：多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑50~80份、粘合劑13~22份、0.5~2份分散劑、0.5~2份抗沉劑、0.5~2份硅烷偶聯劑、5-10份固化劑、14~25份溶劑。
6、本專利技術還公開了所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑的制備如下：將聚氨酯多孔泡沫浸漬于碳納米材料乙醇分散中，取出干燥，重復浸漬、干燥過程；然后在碳納米材料表面沉積多種金屬，最后除去聚氨酯多孔泡沫，得到所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑。
7、進一步優選的，所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑的制備方法，包括如下步驟：
8、s1脫脂：用無水乙醇清洗掉聚氨酯泡沫表面脂質物；
9、s2導電化處理：將清洗干凈的聚氨酯泡沫浸漬于碳納米材料乙醇分散液中，取出干燥，重復浸漬干燥過程；使得聚氨酯泡沫表面孔洞完全被碳納米材料覆蓋；
10、s3電沉積：將導電化處理的聚氨酯泡沫放置于電鍍液中進行電鍍；
11、s4溶解基材：將完成電鍍的材料浸漬于溶解液中；過濾、清洗、干燥、研
12、磨過篩得到所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑。
13、進一步優選的，所述s3步驟中電鍍液包括去離子水、亞鐵鹽、鎳鹽、鈷鹽、鉻鹽、鉬鹽、錳鹽、硫酸鈉、二乙烯三胺五羧酸鹽、助劑；所述電鍍液中亞鐵鹽的濃度為0.01~0.3mol/l；所述電鍍液中鎳鹽的濃度為0.01~0.3mol/l；所述電鍍液中鈷鹽的濃度為0.01~0.3mol/l；所述電鍍液中鉻鹽的濃度為0.01~0.3mol/l；所述電鍍液中鉬鹽的濃度為0.01~0.3mol/l；所述電鍍液中錳鹽的濃度為0.01~0.3mol/l；所述電鍍液中硫酸鈉的濃度為0.01~0.3mol/l；所述電鍍液中二乙烯三胺五羧酸鹽的濃度為0.01~0.3mol/l；所述助劑為質量比為1-5:3-6十二烷基磺酸鈉和1-乙基-3-甲基咪唑啉雙(三氟甲基磺酰基)亞胺的混合物；所述助劑的添加量為電鍍液質量的5-10wt%；所述電鍍液的ph值為2.5~5.5。
14、優選的，所述亞鐵鹽為硫酸亞鐵、硝酸亞鐵、氯化亞鐵及其它含有亞鐵離子的水溶性亞鐵鹽中的一種或兩種以上的混合物。
15、優選的，所述鎳鹽為硫酸鎳、水合硫酸鎳、氯化鎳、水合氯化鎳及其它含有鎳離子的水溶性鎳鹽中的一種或兩種以上的混合物。
16、優選的，所述鈷鹽為水合硫酸鈷、水合氯化鈷、水合硝酸鈷及其它含有鈷離子的水溶性鈷鹽中的一種或兩種以上的混合物。
17、優選的，所述鉻鹽為硝酸鉻、氯化鉻、硫酸鉻及其它含有鉻離子的水溶性鉻鹽中的一種或兩種以上的混合物。
18、優選的，所述鉬鹽為硫酸鉬、氯化鉬、硝酸鉬及其它含有鉬離子的水溶性鉬鹽中的一種或兩種以上的混合物。
19、優選的，所述錳鹽為硫酸錳、氯化錳、硝酸錳及其它含有錳離子的水溶性錳鹽中的一種或兩種以上的混合物。
20、進一步優選的，所述s2步驟中碳納米材料為碳納米管、石墨烯、炭黑中的一種或兩種以上的混合物。
21、進一步優選的，所述s3步驟中電鍍條件為用硫酸調節電鍍液ph值為2.5~5.5，鍍液溫度為40~60℃，電流強度為2~8a，沉積時間10~30min。
22、進一步優選的，所述s4步驟中溶解液包括如下重量份的組分：1-3份丙酮、4-6份二甲基甲酰胺、2-4份環己酮。
23、優選的，所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑的尺寸為8.0~30.0μm，在吸波涂層中的含量為50~83%。
24、優選的，所述粘合劑為環氧改性聚氨酯樹脂、環氧改性丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、醇胺樹脂、酚醛樹脂、有機硅樹脂中的一種或多種的混合物。
25、優選的，所述固化劑為雙氰胺、間二甲苯二胺、二胺基二苯基甲烷、己二酸二酰肼中的一種或兩種以上的混合物。
26、優選的，所述溶劑為二甲苯、環己酮、乙酸丁酯、正丁醇、乙酸乙酯中的一種或多種的混合物。
27、本專利技術還公開了所述高性能吸波涂層的制備方法，包括如下步驟：
28、x1稱取樹脂，加入溶劑攪拌直至樹脂完全溶解，得到粘合劑；
29、x2稱取多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑，加入粘合劑中，再加入分散劑、抗沉劑、硅烷偶聯劑均質化處理后加入固化劑得到均質化吸波涂料；
30、x3將均質化吸波涂料噴涂于基材表面，40-80℃固化40-48h。
31、優選的，所述x3步驟中噴涂厚度為0.5~1.8mm。
32、與現有技術相比，本專利技術具有的有益效果：
33、1、本專利技術制備的多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑，同時具備輕質、耐蝕、高附著力和寬頻吸收的特點。碳納米材料與磁性合金復合形成多孔結構，可將涂層的面密度降低至1.3~2.0kg/m2，符合一些對重量要求苛刻的器件要求，由于碳納米材料和合金均具有較好的防腐蝕性能，得到的吸波涂層具有較好的耐鹽霧、耐腐蝕性能，多孔結構有利于電磁波在涂層內多次反射，增強涂層本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種高性能吸波涂層，其特征在于，包括如下組分：多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑、粘合劑、抗沉降劑、分散劑、偶聯劑和溶劑。
2.根據權利要求1所述的高性能吸波涂層，其特征在于，包括以質量份計的如下組分：多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑50~80份、粘合劑13~22份、0.5~2份分散劑、0.5~2份抗沉劑、0.5~2份硅烷偶聯劑、5-10份固化劑、14~25份溶劑。
3.根據權利要求1或2所述的高性能吸波涂層，其特征在于，所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑的制備如下：將聚氨酯多孔泡沫浸漬于碳納米材料乙醇分散中，取出干燥，重復浸漬、干燥過程；然后在碳納米材料表面沉積多種金屬，最后除去聚氨酯多孔泡沫，得到所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑。
4.根據權利要求3所述的高性能吸波涂層，其特征在于，所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑的制備方法，包括如下步驟：
5.根據權利要求4所述的高性能吸波涂層，其特征在于：所述S2步驟中碳納米材料為碳納米管、石墨烯、炭黑中的一種或兩種以上的混合物。
6.根據權利要求4所述的高性能吸波涂
7.根據權利要求6所述的高性能吸波涂層，其特征在于：所述S3步驟中電鍍條件為用硫酸調節電鍍液pH值為2.5~5.5，鍍液溫度為40~60℃，電流強度為2~8A，沉積時間10~30min。
8.根據權利要求4所述的高性能吸波涂層，其特征在于，所述S4步驟中溶解液包括如下重量份的組分：1-3份丙酮、4-6份二甲基甲酰胺、2-4份環己酮。
9.根據權利要求1-8任一項所述高性能吸波涂層的制備方法，其特征在于：
10.根據權利要求9所述的高性能吸波涂層，其特征在于：所述X3步驟中噴涂厚度為0.5~1.8mm。
...【技術特征摘要】
1.一種高性能吸波涂層，其特征在于，包括如下組分：多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑、粘合劑、抗沉降劑、分散劑、偶聯劑和溶劑。
2.根據權利要求1所述的高性能吸波涂層，其特征在于，包括以質量份計的如下組分：多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑50~80份、粘合劑13~22份、0.5~2份分散劑、0.5~2份抗沉劑、0.5~2份硅烷偶聯劑、5-10份固化劑、14~25份溶劑。
3.根據權利要求1或2所述的高性能吸波涂層，其特征在于，所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑的制備如下：將聚氨酯多孔泡沫浸漬于碳納米材料乙醇分散中，取出干燥，重復浸漬、干燥過程；然后在碳納米材料表面沉積多種金屬，最后除去聚氨酯多孔泡沫，得到所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑。
4.根據權利要求3所述的高性能吸波涂層，其特征在于，所述多孔磁性合金復合碳納米材料吸收劑的制備方法，包括如下步驟：
5.根據權利要求4所述的高性能吸波涂層，其特征在于：所述s2步驟中碳納米材料為碳納米管、石墨烯、炭黑中的一種或兩種以上的混合物。
6.根據權利要求4所述的高性能吸波涂層，其特征在于：所述s3步驟中電鍍液包括去離子水、亞鐵鹽、鎳鹽、鈷鹽、鉻鹽、鉬鹽、錳鹽、硫酸鈉、二乙烯三胺五羧酸鹽、助劑；所述電鍍液中亞鐵鹽的濃度為0.0...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張偉，王建國，龍昌，程文，賈冬梅，羅振濤，周心語，周聰宇，劉江波，趙一鳴，胡鈺琦，朱靚靚，吳彥，
申請(專利權)人：航天科工武漢磁電有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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