【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及鍍層，特別是涉及一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法及防腐蝕鎳錐。
技術介紹
1、超純硫酸是半導體行業常用的八大化學試劑之一，與集成電路的發展密切相關，隨著半導體行業的高速發展，對于超純化學品的測試也提出了更高的要求。目前現有的工業化測超純產品的分析技術普遍采用的是電感耦合等離子體質譜儀(icp-ms)。
2、icp-ms由icp焰管、接口裝置和質譜儀組成。其中，接口裝置是icp-ms中最重要的部分之一。目前通用的接口裝置采用了雙錐結構，分別是外部的采樣錐以及內部的截取錐。接口裝置在icp-ms中承擔著銜接離子源與質譜儀器的工作。由于質譜中需要測定大量的離子，往往工作于高真空條件下才能保證離子傳輸效率。而icp焰管是工作在常規大氣壓下的高溫離子源。接口裝置中的采樣錐錐口直接接觸icp焰，溫度較高達到幾千k，而截取錐對接質譜儀，溫度則較低，通常只有1000k左右。因此接口裝置需要實現溫度的隔離和真空的過渡。
3、為了實現有效提取樣品離子、滿足高真空系統的銜接，接口裝置需要具備二次放電效應小，耐鹽、耐腐蝕及耐高溫等性能，還要便于維護。目前接口裝置中的采樣錐和截取錐主要采用兩種材質：ni材質和pt材質。
4、在實際測試應用中，pt材質對超純硫酸有防腐效果，但對于稀釋法檢測超純氨水時極易發生腐蝕，因此業界較少使用。目前ni材質(底座為ni-cu合金)是采樣錐和截取錐廣泛使用的材質，
5、但本申請專利技術人在實現本申請實施例中專利技術技術方案的過程中，發現上述技術還存在如下
技術實現思路
1、本專利技術通過提供一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法及防腐蝕鎳錐，解決了現有鎳質采樣錐和截取錐在實際檢測應用中發生的選擇性腐蝕的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供了一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，在鎳錐的表面先后鍍上硬鉻層和鈦合金層。
3、在本專利技術一個較佳實施例中，所述硬鉻層和鈦合金層的厚度比為2:3到3：2。
4、在本專利技術一個較佳實施例中，所述鈦合金層的厚度為3～6μm。
5、在本專利技術一個較佳實施例中，在鎳錐的表面鍍所述硬鉻層的方法包括如下步驟：
6、(1)預處理：將所述鎳錐的表面進行打磨、除油預處理；
7、(2)電鍍硬鉻層：將步驟(1)中經預處理后的鎳錐置于電解質溶液中，并作為陰極，將鍍層金屬均勻布設在所述陰極周圍，作為陽極，然后通電進行電鍍，電鍍結束后將所述鎳錐取出并清洗、干燥。
8、在本專利技術一個較佳實施例中，所述電解質溶液包括如下組分：
9、鉻酐220～250g/l、硫酸根離子2.2～2.5g/l、三價鉻離子2～5g/l。
10、在本專利技術一個較佳實施例中，所述電鍍的工藝條件為：電鍍液溫度50～55℃，陰極電流密度30～60a/dm2，電鍍時間5～15min。
11、在本專利技術一個較佳實施例中，所述鍍層金屬為鉛鉻合金、鉛錫鉻合金或鉛銻鉻合金。
12、在本專利技術一個較佳實施例中，在鎳錐表面的硬鉻層上鍍所述鈦合金層的方法包括如下步驟：
13、(11)底涂處理：在鎳錐表面的所述硬鉻層上涂覆底漆，然后烘干；
14、(22)真空鍍鈦合金層：將烘干后的所述鎳錐放置到真空鍍膜室內，以氮化鈦為陰極，將鈦離子、氮離子以及碳離子附著在所述鎳錐上；
15、(33)面涂處理：在步驟(22)中完成真空鍍鈦合金層的鎳錐上涂面漆，然后烘干。
16、在本專利技術一個較佳實施例中，所述真空鍍鈦合金層的工藝條件為：真空度0.1×10-3pa～2.0×10-3pa，采用氬弧焊機在100a的電流強度下鍍3～5min。
17、為解決上述技術問題，本專利技術提供了一種用于icp-ms接口的防腐蝕鎳錐，所述鎳錐的表面依次鍍有上述硬鉻層和鈦合金層。
18、本專利技術的有益效果是：本專利技術一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，通過電鍍硬各層和真空鍍鈦合金層的設計，有效增強了鎳錐的耐腐蝕性，且不會改變鎳錐檢測數據的準確性，適用于稀釋法同時檢測硫酸、氨水的icp-ms，能夠顯著提高icp-ms接頭裝置的使用壽命，降低維護成本。
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1.一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，在鎳錐的表面先后鍍上硬鉻層和鈦合金層。
2.根據權利要求1所述的一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述硬鉻層和鈦合金層的厚度比為2:3到3：2。
3.根據權利要求2所述的一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述鈦合金層的厚度為3～6μm。
4.根據權利要求1所述的一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，在鎳錐的表面鍍所述硬鉻層的方法包括如下步驟：
5.根據權利要求4所述的一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述電解質溶液包括如下組分：
6.根據權利要求4所述的一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述電鍍的工藝條件為：電鍍液溫度50～55℃，陰極電流密度30～60A/dm2，電鍍時間5～15min。
7.根據權利要求4所述的一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述鍍層金屬為鉛鉻合金、鉛錫鉻合金或鉛銻鉻合金。
8.根據權利要求1所述的一種I
9.根據權利要求8所述的一種ICP-MS接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述真空鍍鈦合金層的工藝條件為：真空度0.1×10-3Pa～2.0×10-3Pa，采用氬弧焊機在100A的電流強度下鍍3～5min。
10.一種ICP-MS接口用防腐蝕鎳錐，其特征在于，所述防腐蝕鎳錐的表面依次鍍有如權利要求1所述的硬鉻層和鈦合金層。
...【技術特征摘要】
1.一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，在鎳錐的表面先后鍍上硬鉻層和鈦合金層。
2.根據權利要求1所述的一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述硬鉻層和鈦合金層的厚度比為2:3到3：2。
3.根據權利要求2所述的一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述鈦合金層的厚度為3～6μm。
4.根據權利要求1所述的一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，在鎳錐的表面鍍所述硬鉻層的方法包括如下步驟：
5.根據權利要求4所述的一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述電解質溶液包括如下組分：
6.根據權利要求4所述的一種icp-ms接口鎳錐的防腐蝕處理方法，其特征在于，所述電鍍的工藝條件為...
【專利技術屬性】
技術研發人員：范欽清，
申請(專利權)人：江蘇達諾爾科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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