一種單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線制造技術(shù)

本技術(shù)公開了一種單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，包括陶瓷介電常數(shù)介于37?41的第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線呈上下堆疊設(shè)置；饋針穿過所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述饋針與第一陶瓷天線上的上輻射層饋電連接，所述饋針與第二陶瓷天線上的下輻射層耦合饋電連接。采用高介電常數(shù)陶瓷塊制作，體積??；L1波段和L5波段使用單饋針饋電，省去了普通的雙饋針饋電所需要的合路器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，PCB網(wǎng)絡(luò)體積小、成本低。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)屬于定位天線，涉及一種單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線。

技術(shù)介紹

1、隨著萬物互聯(lián)時(shí)代的全面到來，各式各樣終端設(shè)備的普及，衛(wèi)星定位功能在導(dǎo)航、駕駛、測(cè)量、授時(shí)等民用領(lǐng)域得到了飛速發(fā)展。為了提高定位效率和定位精度，全球定位系統(tǒng)的民用定位信號(hào)工作頻率在之前l(fā)1波段的基礎(chǔ)上增加l5頻段。與l1信號(hào)相比，l5信號(hào)測(cè)距碼的碼片速率提高了10倍，因此，由于信號(hào)經(jīng)過多條路徑傳播而引起的誤差的抑制能力，也相應(yīng)地提高了約10倍；同時(shí)l5波段具有較寬的帶寬和較高的發(fā)射功率，因此抗干擾能力與噪聲性能也將有顯著的提升，l1+l5雙頻衛(wèi)星定位天線得到了廣泛的使用。

2、現(xiàn)有技術(shù)中的雙頻定位天線采用雙饋點(diǎn)定位(一個(gè)頻段一個(gè)饋點(diǎn))和pcb合路網(wǎng)絡(luò)共同實(shí)現(xiàn)的，合路網(wǎng)絡(luò)會(huì)使產(chǎn)品尺寸變大、信號(hào)損耗增加、成本變高。

3、因此，有必要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)予以改良以克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提供一種單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，解決目前普遍采用雙饋點(diǎn)定位天線存在的問題，降低成本，縮小體積。

2、本技術(shù)的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

3、一種單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，包括陶瓷介電常數(shù)介于37-41的第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線呈上下堆疊設(shè)置；饋針穿過所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述饋針與第一陶瓷天線上的上輻射層饋電連接，所述饋針與第二陶瓷天線上的下輻射層耦合饋電連接。

4、進(jìn)一步來說，所述第一陶瓷天線為l1波段天線，所述第二陶瓷天線為l5波段天線。

5、進(jìn)一步來說，所述第一陶瓷天線包括上介質(zhì)層，所述上介質(zhì)層上表面設(shè)有上輻射層，所述上介質(zhì)層下表面設(shè)有上金屬地；所述第二陶瓷天線包括下介質(zhì)層，所述下介質(zhì)層上表面設(shè)有下輻射層，所述下介質(zhì)層下表面設(shè)有下金屬地。

6、進(jìn)一步來說，所述上輻射層和下輻射層均為銀制電路層，所述銀制電路層上具有兩個(gè)切角。

7、進(jìn)一步來說，第一陶瓷天線上具有供饋針插入的第一通孔，所述第二陶瓷天線上具有供饋針插入的第二通孔，所述第一通孔與第二通孔上下對(duì)應(yīng)。

8、采用上述技術(shù)方案，具有以下有益效果：采用高介電常數(shù)陶瓷塊制作，體積?。籰1波段和l5波段使用單饋針饋電，省去了普通的雙饋針饋電所需要的合路器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，pcb網(wǎng)絡(luò)體積小、成本低。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：包括陶瓷介電常數(shù)介于37-41的第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線呈上下堆疊設(shè)置；饋針穿過所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述饋針與第一陶瓷天線上的上輻射層饋電連接，所述饋針與第二陶瓷天線上的下輻射層耦合饋電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：所述第一陶瓷天線為L(zhǎng)1波段天線，所述第二陶瓷天線為L(zhǎng)5波段天線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：所述第一陶瓷天線包括上介質(zhì)層，所述上介質(zhì)層上表面設(shè)有上輻射層，所述上介質(zhì)層下表面設(shè)有上金屬地；所述第二陶瓷天線包括下介質(zhì)層，所述下介質(zhì)層上表面設(shè)有下輻射層，所述下介質(zhì)層下表面設(shè)有下金屬地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：所述上輻射層和下輻射層均為銀制電路層，所述銀制電路層上具有兩個(gè)切角。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：第一陶瓷天線上具有供饋針插入的第一通孔，所述第二陶瓷天線上具有供饋針插入的第二通孔，所述第一通孔與第二通孔上下對(duì)應(yīng)。

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【技術(shù)特征摘要】

1.一種單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：包括陶瓷介電常數(shù)介于37-41的第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線呈上下堆疊設(shè)置；饋針穿過所述第一陶瓷天線和第二陶瓷天線，所述饋針與第一陶瓷天線上的上輻射層饋電連接，所述饋針與第二陶瓷天線上的下輻射層耦合饋電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：所述第一陶瓷天線為l1波段天線，所述第二陶瓷天線為l5波段天線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單饋點(diǎn)雙頻衛(wèi)星定位天線，其特征在于：所述第一陶瓷天...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：姚濤，庾波，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州艾福電子通訊股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：