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    芯片頂針帽、細長型芯片與薄膜的分離裝置及方法制造方法及圖紙

    技術編號:40805119 閱讀:9 留言:0更新日期:2024-03-28 19:29
    本發(fā)明專利技術實施例公開了一種芯片頂針帽、細長型芯片與薄膜的分離裝置及方法,所述芯片頂針帽包括帽體,帽體上設有支撐梁,支撐梁左右兩側(cè)對應設有吸附凹槽,吸附凹槽內(nèi)設有真空孔A,支撐梁上對應設有頂針孔。本發(fā)明專利技術可以使芯片和薄膜部分分離,然后再通過單根頂針頂起芯片,便于進行芯片的取放,本發(fā)明專利技術可以解決芯片頂碎問題,也降低了頂針結(jié)構等高的加工和調(diào)整難度,簡單可靠。

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術涉及半導體芯片,尤其涉及一種芯片頂針帽、細長型芯片與薄膜的分離裝置及方法


    技術介紹

    1、半導體芯片附著地在由框架保持的薄膜上,用于在半導體安裝裝置上的工作。薄膜在專業(yè)領域也作為承載帶(tape)。半導體芯片附著在薄膜上,帶有薄膜的框架由可以移動的晶圓工作臺拾取。晶圓工作臺周期性地移動,以便在一個地點接著另一個地點上提供半導體芯片。

    2、現(xiàn)有的半導體芯片從薄膜的移除是通過布置在薄膜下方的芯片推料器(也稱晶片頂出器,die-ejector?)來實現(xiàn)的。芯片推料器主要由帶有支承面的芯片頂針帽、頂針以及驅(qū)動機構組成,如申請?zhí)枮閏n2022215097033的技術專利。現(xiàn)有的針對小尺寸半導體芯片(長寬尺寸在幾十微米~百微米之間)的芯片頂針帽在頂針孔周圍設置大量的真空孔,以便借助真空牢固地保持薄膜,中間的頂針頂起,即可實現(xiàn)芯片與薄膜之間的分離。現(xiàn)有的針對大尺寸半導體芯片,是采用多根頂針頂起。

    3、然而,針對一些細長型的小尺寸半導體芯片,現(xiàn)有的這種芯片頂針帽或分離方法(如申請?zhí)枮閏n2008101844045和cn2009801452874的專利技術專利所公開的技術方案),存在很多缺點。若采用單根頂針頂起,由于芯片很小且脆,則會面臨芯片頂碎或者頂力過大導致的針痕較大(針痕較大會影響芯片性能)的問題;若采用多根針頂起,由于這種半導體芯片很小,其頂針十分細小,因此會面臨多根頂針尖共面制作和調(diào)試困難的問題。


    技術實現(xiàn)思路

    1、本專利技術實施例所要解決的技術問題在于,提供一種芯片頂針帽、細長型芯片與薄膜的分離裝置及方法,以解決芯片頂碎。

    2、為了解決上述技術問題,本專利技術實施例提出了一種芯片頂針帽,包括帽體,帽體上設有支撐梁,支撐梁左右兩側(cè)對應設有吸附凹槽,吸附凹槽內(nèi)設有真空孔a,支撐梁上對應設有頂針孔。

    3、進一步地,頂針孔設于支撐梁中部。

    4、進一步地,支撐梁上對應頂針孔的前后兩側(cè)處均設有真空孔b。

    5、進一步地,支撐梁表面與吸附凹槽的槽壁頂部齊平。

    6、進一步地,帽體頂部邊緣低于支撐梁表面。

    7、進一步地,支撐梁設于帽體中部。

    8、進一步地,支撐梁中部左右兩側(cè)對應設有加長部。

    9、相應地,本專利技術實施例還提供了一種細長型芯片與薄膜的分離裝置,包括頂針以及驅(qū)動頂針上下運動的驅(qū)動機構,還包括上述的芯片頂針帽。

    10、相應地,本專利技術實施例還提供了一種細長型芯片與薄膜的分離方法,包括:

    11、步驟1:將芯片連帶底部的薄膜移至芯片頂針帽上,芯片對應位于支撐梁上;

    12、步驟2:通過真空孔a抽真空吸附薄膜,使薄膜與芯片兩端部分分離;

    13、步驟3:驅(qū)動頂針穿過頂針孔將芯片頂起,使薄膜與芯片進一步分離,方便機械手將芯片移走。

    14、進一步地,步驟1中,支撐梁上的芯片與支撐梁相垂直。

    15、本專利技術的有益效果為:本專利技術可以使芯片和薄膜部分分離,然后再通過單根頂針頂起芯片,便于進行芯片的取放,本專利技術可以解決芯片頂碎問題,也降低了頂針結(jié)構等高的加工和調(diào)整難度,簡單可靠;本專利技術可以取放較大長寬比(現(xiàn)有技術不易實現(xiàn))的芯片,取芯片成功率高,穩(wěn)定性好;本專利技術使芯片與薄膜的分離動作更加柔性化,可以很方便的適用不同長度的芯片,更換頂針帽后不需要考慮多針頂針帽的針和孔的對應問題,比較方便;本專利技術對機械手的吸嘴的要求也較低,小尺寸吸嘴也可取起芯片,通用性強。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術保護點】

    1.一種芯片頂針帽,包括帽體,其特征在于,帽體上設有支撐梁,支撐梁左右兩側(cè)對應設有吸附凹槽,吸附凹槽內(nèi)設有真空孔A,支撐梁上對應設有頂針孔。

    2.如權利要求1所述的芯片頂針帽,其特征在于,頂針孔設于支撐梁中部。

    3.如權利要求2所述的芯片頂針帽,其特征在于,支撐梁上對應頂針孔的前后兩側(cè)處均設有真空孔B。

    4.如權利要求1所述的芯片頂針帽,其特征在于,支撐梁表面與吸附凹槽的槽壁頂部齊平。

    5.如權利要求4所述的芯片頂針帽,其特征在于,帽體頂部邊緣低于支撐梁表面。

    6.如權利要求1所述的芯片頂針帽,其特征在于,支撐梁設于帽體中部。

    7.如權利要求1所述的芯片頂針帽,其特征在于,支撐梁中部左右兩側(cè)對應設有加長部。

    8.一種細長型芯片與薄膜的分離裝置,包括頂針以及驅(qū)動頂針上下運動的驅(qū)動機構,其特征在于,還包括如權利要求1至7中任一項所述的芯片頂針帽。

    9.一種細長型芯片與薄膜的分離方法,其特征在于,包括:

    10.如權利要求9所述的細長型芯片與薄膜的分離方法,其特征在于,步驟1中,支撐梁上的芯片與支撐梁相垂直。

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    【技術特征摘要】

    1.一種芯片頂針帽,包括帽體,其特征在于,帽體上設有支撐梁,支撐梁左右兩側(cè)對應設有吸附凹槽,吸附凹槽內(nèi)設有真空孔a,支撐梁上對應設有頂針孔。

    2.如權利要求1所述的芯片頂針帽,其特征在于,頂針孔設于支撐梁中部。

    3.如權利要求2所述的芯片頂針帽,其特征在于,支撐梁上對應頂針孔的前后兩側(cè)處均設有真空孔b。

    4.如權利要求1所述的芯片頂針帽,其特征在于,支撐梁表面與吸附凹槽的槽壁頂部齊平。

    5.如權利要求4所述的芯片頂針帽,其特征在于,帽體頂部邊緣低于支撐梁表面。...

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:萬銅錘謝鎬澤
    申請(專利權)人:深圳市盛世智能裝備股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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