【技術實現步驟摘要】
本申請屬于半導體加工，具體涉及一種半導體反應腔室。
技術介紹
1、在半導體領域，受鋁互聯線存在rc延遲和電遷移問題導致集成電路的速度和穩定性下降等原因，越來越多的芯片選用銅作為互聯工藝的材料。但是，由于銅的刻蝕難度相對較大，為此，通常先在襯底上形成溝槽和深孔，之后采用物理氣相沉積的方式在深孔中沉積阻擋層和銅籽晶層，最后再利用電鍍工藝將槽和孔填滿。但是，隨著芯片特征尺寸逐漸縮小，深孔的深寬比也越來越大，進而，在沉積銅籽晶層的過程中，銅可能因生長速度較快而封堵深孔的開口，導致深孔內存在空洞現象，造成芯片電學性能失效。
2、基于上述情況，目前通常利用加熱燈等器件照射襯底，在熱量的作用下，增強深孔內的銅的流動能力，使銅能夠在毛細管力的作用下被吸入深孔的底部，填滿深孔。但是，目前通常利用同一加熱燈照射整個襯底，受照射距離不同等因素的影響，襯底上不同區域的被加熱效果不同，這會對工藝的均勻性產生不利影響。
技術實現思路
1、本申請實施例的目的是提供一種半導體反應腔室，以解決目前采用同一加熱燈照射整個襯底，導致襯底上不同區域的被加熱效果不同，從而對工藝均勻性產生不利影響。
2、本申請實施例公開一種半導體反應腔室，其包括腔體、承載件和加熱組件，所述承載件安裝于所述腔體的底部，待加工件可承載于所述承載件；所述加熱組件安裝于所述腔體之內，所述加熱組件包括第一環形加熱件和第二環形加熱件，二者均環繞于所述承載件之外；
3、所述半導體反應腔室還包括第一反射件和第二反射件，所
4、本申請實施例公開一種半導體反應腔室，其包括腔體和安裝于腔體底部的承載件，以及安裝于腔體之內的加熱組件，加熱組件包括第一環形加熱件和第二環形加熱件，二者均環繞于承載件之外，且為了使二者均可以自待加工件的下表面對待加工件進行加熱，半導體反應腔室還包括第一反射件和第二反射件，第一反射件與第一環形加熱件配合，且第二反射件與第二環形加熱件配合，使得第一反射件能夠反射第一環形加熱件的熱輻射至待加工件的外側部分，且使第二反射件能夠反射第二環形加熱件的熱輻射至待加工件的內側部分，進而可以基于第一反射件和第二反射件的加熱功率等參數，通過對第一反射件、第一環形加熱件、第二反射件和第二環形加熱件之間的位置關系等參數進行相應地調整，使待加工件的內側部分和外側部分的被加工效率和效果基本相當，進而使待加工件表面上的沉積層回流至不同位置的溝槽和/或通孔的底部的時間基本相當，提升待加工件的工藝均勻性。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體反應腔室，其特征在于，包括腔體、承載件和加熱組件，所述承載件安裝于所述腔體的底部，待加工件可承載于所述承載件；所述加熱組件安裝于所述腔體之內，所述加熱組件包括第一環形加熱件和第二環形加熱件，二者均環繞于所述承載件之外；
2.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第一反射件和所述第二反射件的反射面均為弧形面，且所述第一反射件的反射面的曲率大于所述第二反射件的反射面的曲率。
3.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第二環形加熱件的功率大于所述第一環形加熱件的功率。
4.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，在所述腔體的軸向上，所述第一環形加熱件位于所述第二環形加熱件的上方。
5.根據權利要求4所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第二環形加熱件的直徑小于所述第一環形加熱件的直徑。
6.根據權利要求4所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第一反射件在垂直于所述腔體的軸向的平面上的投影覆蓋所述第二環形加熱件在所述平面上的投影。
7.根據權利要求1所述的半導體反應腔
8.根據權利要求4所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述半導體反應腔室還包括上阻擋件和插銷，所述上阻擋件包括頂部和側部，所述頂部設置于所述第一環形加熱件的上方，所述側部連接于所述頂部靠近所述腔體的軸線的一側，且所述側部向靠近所述腔體的底部延伸，所述上阻擋件、所述第一反射件和所述第二反射件通過所述插銷連接，以在所述腔體的徑向和周向上固定所述上阻擋件、所述第一反射件和所述第二反射件。
9.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述半導體反應腔室包括第一安裝架和第二安裝架，所述第一安裝架設有第一限位凹槽，所述第一環形加熱件的一部分位于所述第一限位凹槽內，所述第二安裝架設有第二限位凹槽，所述第二環形加熱件的一部分位于所述第二限位凹槽內。
10.根據權利要求9所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第一安裝架和所述第二安裝架的數量均為多個，多個所述第一安裝架沿所述腔體的周向間隔分布，且均支撐所述第一環形加熱件，多個所述第二安裝架沿所述腔體的周向間隔分布，且均支撐所述第二環形加熱件。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體反應腔室，其特征在于，包括腔體、承載件和加熱組件，所述承載件安裝于所述腔體的底部，待加工件可承載于所述承載件；所述加熱組件安裝于所述腔體之內，所述加熱組件包括第一環形加熱件和第二環形加熱件，二者均環繞于所述承載件之外；
2.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第一反射件和所述第二反射件的反射面均為弧形面，且所述第一反射件的反射面的曲率大于所述第二反射件的反射面的曲率。
3.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第二環形加熱件的功率大于所述第一環形加熱件的功率。
4.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，在所述腔體的軸向上，所述第一環形加熱件位于所述第二環形加熱件的上方。
5.根據權利要求4所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第二環形加熱件的直徑小于所述第一環形加熱件的直徑。
6.根據權利要求4所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第一反射件在垂直于所述腔體的軸向的平面上的投影覆蓋所述第二環形加熱件在所述平面上的投影。
7.根據權利要求1所述的半導體反應腔室，其特征在于，所述第一反射件包括反射本體和遮擋部，所述反射本體用于反射所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：任西鵬，俞振鐸，佘清，鄧斌，李冰，
申請(專利權)人：北京北方華創微電子裝備有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。