【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及鍍膜設(shè)備，特別涉及一種hwcvd設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、熱絲化學(xué)氣相沉積(hwcvd)設(shè)備的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝參數(shù)少、微晶沉積速率快、設(shè)備成本低，常用于對(duì)硅片的鍍膜。
2、公開(kāi)號(hào)為cn116219401a的專利文本公開(kāi)的一種鍍膜生產(chǎn)線，其包括有臥式hwcvd設(shè)備，在臥式hwcvd設(shè)備中，布?xì)饽K設(shè)置在腔蓋的下方，以達(dá)到布?xì)獾哪康摹５?，由于腔體的容積一般較小，在腔體內(nèi)部設(shè)置布?xì)饽K的操作性受限。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本技術(shù)提出一種hwcvd設(shè)備，能夠解決在腔體內(nèi)部設(shè)置布?xì)饽K的操作性受限的問(wèn)題。
2、根據(jù)本技術(shù)一些實(shí)施例的hwcvd設(shè)備，包括：腔蓋，所述腔蓋的內(nèi)部形成有均氣腔，且所述腔蓋的頂部設(shè)有與所述均氣腔連通的進(jìn)氣口，所述腔蓋的底部設(shè)有與所述均氣腔連通的多個(gè)布?xì)饪?；以及熱絲模塊，所述熱絲模塊包括連接單元以及熱絲單元，所述連接單元固定在所述腔蓋的底部、并與所述熱絲單元連接，所述熱絲單元位于所述腔蓋的下方。
3、根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的hwcvd設(shè)備，至少具有如下有益效果：
4、本技術(shù)的hwcvd設(shè)備中，腔蓋可以實(shí)現(xiàn)均氣和布?xì)獾男Ч?，因此，本技術(shù)的hwcvd設(shè)備可以取消在腔體內(nèi)部設(shè)置布?xì)饽K，避免了在腔體內(nèi)部設(shè)置布?xì)饽K的不便。
5、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，所述腔蓋包括至少三個(gè)板件，至少所述三個(gè)板件從上至下依次并列且間隔設(shè)置，每相鄰兩個(gè)所述板件之間均形成有四周密封的均氣夾層
6、其中，最上層的所述板件設(shè)有所述進(jìn)氣口，最下層的所述板件設(shè)有多個(gè)所述布?xì)饪?，位于最上層的所述板件與位于最下層的所述板件之間的各個(gè)所述板件均設(shè)有多個(gè)過(guò)氣孔。
7、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，與最上層的所述板件相鄰的所述板件上的所述過(guò)氣孔與所述進(jìn)氣口錯(cuò)開(kāi)設(shè)置。
8、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，位于最上層的所述板件與位于最下層的所述板件之間的各個(gè)所述板件上的所述過(guò)氣孔錯(cuò)開(kāi)設(shè)置。
9、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，所述進(jìn)氣口為兩組，兩組所述進(jìn)氣口對(duì)稱地設(shè)置于所述腔蓋的頂部。
10、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，所述連接單元包括連接在所述腔蓋的下側(cè)壁的多個(gè)連接座，多個(gè)所述連接座間隔設(shè)置；所述熱絲單元包括設(shè)置于所述腔蓋的下方的多根熱絲，多根所述熱絲間隔設(shè)置；
11、其中，所述熱絲與所述連接座交替連接、以使所有所述熱絲串聯(lián)，在預(yù)設(shè)方向上相鄰的兩個(gè)所述連接座、以及連接在該相鄰兩個(gè)所述連接座之間的所述熱絲中，所述熱絲的其中一端與其中一個(gè)所述連接座固定且導(dǎo)電連接，所述熱絲的另一端與另一個(gè)所述連接座固定且導(dǎo)電連接；
12、其中，所述預(yù)設(shè)方向?yàn)樗鰺峤z與所述連接座交替連接的方向。
13、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，在多根所述熱絲中，包括多根橫向熱絲和多根縱向熱絲，沿橫向間隔設(shè)置的至少兩根所述橫向熱絲配合形成橫向熱絲組件，所述橫向熱絲組件的數(shù)量為多組，多組所述橫向熱絲組件沿縱向并列且間隔設(shè)置，每相鄰兩組所述橫向熱絲組件之間均連接有所述縱向熱絲，所述橫向熱絲組件與所述縱向熱絲交替設(shè)置。
14、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，多個(gè)所述連接座呈矩陣式排布。
15、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，所述連接座包括與所述腔蓋的下側(cè)壁固定連接的第一絕緣部、以及與所述第一絕緣部固定連接的第一導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部設(shè)有沿橫向間隔設(shè)置的兩個(gè)定位槽；
16、在所述預(yù)設(shè)方向上相鄰的兩根所述熱絲、以及連接在該相鄰兩根所述熱絲之間的所述連接座中，其中一根所述熱絲穿設(shè)于所述連接座的所述第一導(dǎo)電部其中一個(gè)所述定位槽內(nèi)，另一根所述熱絲穿設(shè)于所述連接座的所述第一導(dǎo)電部的另一個(gè)所述定位槽內(nèi)。
17、根據(jù)本技術(shù)的一些實(shí)施例，所述連接座包括與所述腔蓋的下側(cè)壁固定連接的第二絕緣部、以及與所述第二絕緣部固定連接的第二導(dǎo)電部，所述第二導(dǎo)電部的兩端沿橫向排布，且所述第二導(dǎo)電部的兩端均設(shè)有裝配孔；
18、在所述預(yù)設(shè)方向上相鄰的兩根所述熱絲、以及連接在該相鄰兩根所述熱絲之間的所述連接座中，其中一根所述熱絲穿設(shè)于所述連接座的所述第二導(dǎo)電部的其中一端的所述裝配孔內(nèi)，另一根所述熱絲穿設(shè)于所述連接座的所述第二導(dǎo)電部的另一端的所述裝配孔內(nèi)。
19、本技術(shù)的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本技術(shù)的實(shí)踐了解到。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種HWCVD設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，所述腔蓋包括至少三個(gè)板件，至少所述三個(gè)板件從上至下依次并列且間隔設(shè)置，每相鄰兩個(gè)所述板件之間均形成有四周密封的均氣夾層，所有的所述均氣夾層配合形成所述均氣腔；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，與最上層的所述板件相鄰的所述板件上的所述過(guò)氣孔與所述進(jìn)氣口錯(cuò)開(kāi)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，位于最上層的所述板件與位于最下層的所述板件之間的各個(gè)所述板件上的所述過(guò)氣孔錯(cuò)開(kāi)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)氣口為兩組，兩組所述進(jìn)氣口對(duì)稱地設(shè)置于所述腔蓋的頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，所述連接單元包括連接在所述腔蓋的下側(cè)壁的多個(gè)連接座，多個(gè)所述連接座間隔設(shè)置；所述熱絲單元包括設(shè)置于所述腔蓋的下方的多根熱絲，多根所述熱絲間隔設(shè)置；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，在多根所述熱絲中，包括多根橫向熱絲和多根
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，多個(gè)所述連接座呈矩陣式排布。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，所述連接座包括與所述腔蓋的下側(cè)壁固定連接的第一絕緣部、以及與所述第一絕緣部固定連接的第一導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部設(shè)有沿橫向間隔設(shè)置的兩個(gè)定位槽；
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的HWCVD設(shè)備，其特征在于，所述連接座包括與所述腔蓋的下側(cè)壁固定連接的第二絕緣部、以及與所述第二絕緣部固定連接的第二導(dǎo)電部，所述第二導(dǎo)電部的兩端沿橫向排布，且所述第二導(dǎo)電部的兩端均設(shè)有裝配孔；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種hwcvd設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hwcvd設(shè)備，其特征在于，所述腔蓋包括至少三個(gè)板件，至少所述三個(gè)板件從上至下依次并列且間隔設(shè)置，每相鄰兩個(gè)所述板件之間均形成有四周密封的均氣夾層，所有的所述均氣夾層配合形成所述均氣腔；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的hwcvd設(shè)備，其特征在于，與最上層的所述板件相鄰的所述板件上的所述過(guò)氣孔與所述進(jìn)氣口錯(cuò)開(kāi)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的hwcvd設(shè)備，其特征在于，位于最上層的所述板件與位于最下層的所述板件之間的各個(gè)所述板件上的所述過(guò)氣孔錯(cuò)開(kāi)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hwcvd設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)氣口為兩組，兩組所述進(jìn)氣口對(duì)稱地設(shè)置于所述腔蓋的頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的hwcvd設(shè)備，其特征在于，所述連接單元包括連接在所述腔蓋的下側(cè)壁的多個(gè)連接座，多個(gè)所述連接座間隔設(shè)置；所述熱絲單元包括設(shè)置于所述腔蓋的下方的多根熱絲，多根所述熱絲間...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：程培勇，楊福滿，趙步舉，張海濤，籍龍占，譚曉華，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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