【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光學、半導體材料領域，更具體地，涉及一種光學散射測量中結構參數初值確定方法。
技術介紹
1、在半導體行業中，對半導體納米結構材料的厚度等參數測量提取，在制造業中對于提高產品質量和產量方面發揮著關鍵的作用。光學散射測量，與傳統的原子顯微鏡、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡相比，有著速度快、成本低、無接觸、無損和易于集成等優勢，因而在先進工藝監測和制造領域中獲得了廣泛的應用。光學散射測量并非一種“所見即所得”的測量方法，其需要在測量得到的光譜中提取待測結構參數，其本質是一種基于模型的測量方法。因此待測結構參數的提取精度不僅取決于實際測量光譜的質量，還取決于從測量光譜中提取結構參數的方法。在光學散射測量中，從測量光譜中提取結構參數往往采用基于lm非線性回歸的方法，但是lm方法結果的好壞很大程度受初值的影響。因此給出一個好的找初值的方法，對實現基于lm非線性回歸的光學散射測量具有重要的意義。
技術實現思路
1、本專利技術針對現有技術中存在的技術問題，提供一種光學散射測量中結構參數初值確定方法，包括：
2、對浮動結構參數進行均勻撒點，構建光譜庫，所述光譜庫中包括多組浮動結構參數組合和每一組浮動結構參數組合對應的正向建模光譜；
3、獲取待測樣件的測量光譜，在擬合之前，計算所述測量光譜與所述光譜庫中的每一條正向建模光譜之間的均方根誤差mse，獲取mse最小的多條正向建模光譜對應的多組浮動結構參數值；
4、將每一組浮動結構參數值分別代入到待測樣件的形
5、計算每一組擬合光譜與所述測量光譜之間的均方根誤差mse，將與所述測量光譜之間的mse最小的擬合光譜對應的浮動結構參數值確定為浮動結構參數初值。
6、在上述技術方案的基礎上，本專利技術還可以作出如下改進。
7、可選的，所述光譜庫中的每一條正向建模光譜是將每一組浮動結構參數組合代入到待測樣件的形貌sample中，通過正向建模公式計算得到的。
8、可選的，所述計算所述測量光譜與所述光譜庫中的每一條正向建模光譜之間的均方根誤差mse，包括：
9、
10、n為光譜中波長點數，k為一個波長點對應的光譜中參數的個數，m為浮動參數的個數，為第i個波長點對應的正向建模光譜，表示第i個波長點對應的測量光譜。
11、可選的，所述獲取mse最小的多條正向建模光譜對應的多組浮動結構參數值，包括：
12、獲取獲取mse最小的三條或兩條或四條正向建模光譜對應的多組浮動結構參數值。
13、可選的，所述將每一組浮動結構參數值分別代入到待測樣件的形貌sample中，基于lm非線性回歸方法迭代擬合得到擬合光譜，包括：
14、設置迭代擬合次數，根據實際情況，迭代擬合次數設置在3到8之間；
15、將每一組浮動結構參數值分別代入到待測樣件的形貌sample中，基于lm非線性回歸方法迭代擬合得到擬合光譜。
16、本專利技術提供的一種光學散射測量中結構參數初值確定方法，通過在擬合之前，采用基于搜庫和lm的方法，找出更好的結構參數初值，這樣能很好地解決擬合時因為初值不當造成的局部最優的問題，對提升基于lm非線性回歸的光學散射測量精度有重要的意義。
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1.一種光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，所述光譜庫中的每一條正向建模光譜是將每一組浮動結構參數組合代入到待測樣件的形貌sample中，通過正向建模公式計算得到的。
3.根據權利要求1所述的光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，所述計算所述測量光譜與所述光譜庫中的每一條正向建模光譜之間的均方根誤差MSE，包括：
4.根據權利要求1所述的光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，所述獲取MSE最小的多條正向建模光譜對應的多組浮動結構參數值，包括：
5.根據權利要求1所述的光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，所述將每一組浮動結構參數值分別代入到待測樣件的形貌sample中，基于LM非線性回歸方法迭代擬合得到擬合光譜，包括：
【技術特征摘要】
1.一種光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，所述光譜庫中的每一條正向建模光譜是將每一組浮動結構參數組合代入到待測樣件的形貌sample中，通過正向建模公式計算得到的。
3.根據權利要求1所述的光學散射測量中結構參數初值確定方法，其特征在于，所述計算所述測量光譜與所述光譜庫中的每一條...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃東棟，陶澤，郭春付，楊成，王瑾，余華，項雅波，
申請(專利權)人：武漢頤光科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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