【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及產品測試，具體涉及一種基于內置e-fuse存儲器的芯片測試方法。
技術介紹
1、otp(one-time?programmable，只可一次編碼)存儲器的種類很多，主要有e-fuse(electronic?fuse，電子熔斷器)和anti-fuse兩種。e-fuse(electronic?fuse，電子熔斷器)是一種用于存儲信息和保護芯片的otp?nvm(one-time?programmable?non-volatilememory，一次性可編程的非易失性存儲器)。在e-fuse中，短電流脈沖被應用于熱致電子發射，使得電流通過一個非常小的導線。該電流會導致電線中的材料熔斷，從而形成一個永久性的開路。也就是說e-fuse被熔斷后不能再次編程,此過程具有不可逆性。
2、e-fuse技術廣泛應用在低成本芯片中，如低成本數模混合電路等產品。
3、通常，芯片仿真設計與工藝生產會存在一定偏差，經工藝生產制造出來的芯片實際參數指標與設計理論規格存在一定偏差，這就要求在量產測試階段通過ate(automatictesting?equipment，自動測試設備)測試來實現偏差校準并燒錄到e-fuse，以彌補設計與生產偏差，提升產品的良率和性能指標。另外，隨著半導體技術的發展，對ate量產測試的要求越來越高，產品有效信息的燒錄需求也越來越多，如晶圓相關信息、芯片坐標、產品編號(good?id)等燒錄，以方便問題追蹤與管控。
4、內嵌mtp存儲器(例如flash存儲器)的soc(system?on?
技術實現思路
1、本專利技術實施例提供一種基于內置e-fuse存儲器的芯片測試方法、芯片，以解決現有的基于內置e-fuse存儲器的芯片在ate量產測試中無法重復測試的問題。
2、為此，本專利技術實施例提供如下技術方案：
3、一方面，本專利技術實施例提供一種基于內置e-fuse存儲器的芯片測試方法，所述方法包括：
4、在進入os測試后，檢查e-fuse是否已完成燒錄；
5、如果未完成燒錄，則對芯片進行基礎校準，確定待燒錄數據，將所述待燒錄數據燒錄至e-fuse；
6、如果已完成燒錄、或者燒錄所述待燒錄數據至e-fuse后，則進行功能測試。
7、可選地，所述方法還包括：
8、在進行功能測試之前，對e-fuse中燒錄的基礎校準數據進行校驗；
9、如果校驗成功，則進行功能測試；
10、如果校驗失敗，則檢查是否已進行補償校準；
11、如果是，則對所述基礎校準數據及補償校準數據進行校驗；
12、如果否，則進行補償校準，確定補償校準數據，并將所述補償校準數據燒錄至e-fuse。
13、可選地，所述基礎校準數據被燒錄至基礎校準區域；所述補償校準值被燒錄至補償校準區域。
14、可選地，所述基礎校準區域和所述補償校準區域為同一e-fuse中的不同區域；或者所述基礎校準區域和所述補償校準區域為不同e-fuse中的區域。
15、可選地，所述檢查e-fuse是否已完成燒錄包括：
16、讀取所述基礎校準區域；如果為空，則確定e-fuse未完成燒錄；否則確定e-fuse已完成燒錄；
17、所述檢查是否已進行補償校準包括：
18、讀取所述補償校準區域；如果為空，則確定未進行補償校準；否則確定已進行補償校準。
19、可選地，所述方法還包括：
20、將所述補償校準值燒錄至e-fuse之后，對e-fuse中燒錄的基礎校準數據及所述補償校準值進行校驗；
21、如果校驗成功，則進行功能測試；
22、如果校驗失敗，則確定所述芯片失效。
23、可選地，所述方法還包括：
24、在將所述待燒錄數據燒錄至e-fuse之后、對e-fuse中燒錄的基礎校準數據進行校驗之前，對e-fuse中燒錄的數據進行檢測，確定已燒錄數據是否正確；
25、如果正確，則執行對e-fuse中燒錄的基礎校準數據進行校驗的步驟；
26、否則，確定所述芯片失效。
27、可選地，所述e-fuse中燒錄的數據包括：所述基礎校準數據和生產信息；
28、所述對e-fuse中燒錄的數據進行檢測，確定已燒錄數據是否正確包括：
29、讀取e-fuse中燒錄的數據并寫入測試向量，運行所述測試向量，根據運行結果確定e-fuse中燒錄的數據是否正確；和/或
30、通過內建自測程序依次讀取e-fuse中的每個基出校準數據和生產信息，判斷與對應的燒錄值是否相同。
31、可選地，所述e-fuse中燒錄的數據還包括：產品識別碼；
32、所述方法還包括：
33、在進行功能測試之前，讀取e-fuse中燒錄的生產信息和產品識別碼并寫入測試向量，運行所述測試向量，根據運行結果確定所述生產信息和產品識別碼是否正確。
34、另一方面，本專利技術實施例還提供一種芯片，所述芯片包括：e-fuse存儲模塊，所述e-fuse存儲模塊內燒錄有校準數據和校準補償值；
35、所述芯片包括：e-fuse存儲模塊，所述e-fuse存儲模塊內燒錄有基礎校準數據和補償校準數據；
36、所述基礎校準數據是對所述芯片進行基礎校準后燒錄的；
37、所述補償校準數據是對所述芯片進行補償校準后燒錄的。
38、可選地，所述基礎校準數據和所述補償校準數據位于同一e-fuse存儲模塊中的不同區域。
39、可選地，所述e-fuse存儲模塊包括：第一e-fuse存儲器和第二e-fuse存儲器；
40、所述基礎校準數據位于所述第一e-fuse存儲器；
41、所述補償校準數據位于第二e-fuse存儲器。
42、本專利技術實施例提供的基于內置e-fuse存儲器的芯片測試方法，在進入os測試后，通過檢查e-fuse是否已完成燒錄，對于已完成燒錄的芯片，可以跳過校準流程，直接進行功能測試，從而實現對已燒錄芯片的功能測試；如果未完成燒錄，則可以按照現有常規的處理流程，完成校準、燒錄過程，然后進行功能測試。利用本專利技術方案，可以在ate量產測試中使內置e-fuse存儲器的芯片支持重復性測試，實現對不良品的回收測試，從而可以規避誤放風險，避免不必要的良率損失。
43、進一步地，在進行功能測試之前，先對e-fuse中燒錄的基礎校準數據進行校本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種基于內置E-Fuse存儲器的芯片測試方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述基礎校準數據被燒錄至基礎校準區域；所述補償校準值被燒錄至補償校準區域。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.根據權利要求2至6任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述E-Fuse中燒錄的數據包括：所述基礎校準數據和生產信息；
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述E-Fuse中燒錄的數據還包括：產品識別碼；
10.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括：E-Fuse存儲模塊，所述E-Fuse存儲模塊內燒錄有基礎校準數據和補償校準數據；
11.根據權利要求10所述的芯片，其特征在于，所述基礎校準數據和所述補償校準
12.根據權利要求10所述的芯片，其特征在于，所述E-Fuse存儲模塊包括：第一E-Fuse存儲器和第二E-Fuse存儲器；
...【技術特征摘要】
1.一種基于內置e-fuse存儲器的芯片測試方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述基礎校準數據被燒錄至基礎校準區域；所述補償校準值被燒錄至補償校準區域。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.根據權利要求2至6任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫國榮，婁錦蘭，王震宇，陳光勝，
申請(專利權)人：上海東軟載波微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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