【技術實現步驟摘要】
本公開屬于集成電路，尤其涉及一種高邊開關芯片。
技術介紹
1、高邊開關芯片在新能源汽車和普通汽車智能化上，有著廣泛的應用前景，其中，過流保護是高邊開關的一項重要的保護措施，可以防止高邊開關因為過流或短路燒毀。現有技術中開關驅動類產品過流保護的方案，一般是直接通過電阻感應驅動的電流，如果觸發過流保護條件，則通過數字關閉驅動；也有一些產品是通過閉環控制驅動電流，使得驅動電流限制在一個范圍內。但是，目前閉環控制驅動電流的方案，過流反映時間較長，特別是在短路情況下，電流過沖較大，增加了芯片損壞的風險，同時閉環控制電路也可能因為過流保護持續時間太長，導致系統過熱損壞。
技術實現思路
1、本公開要解決的技術問題是為了克服現有技術中過流保護的方案，過流反映時間較長，特別是在短路情況下，電流過沖較大，增加了芯片損壞的風險，同時閉環控制電路也可能因為過流保護持續時間太長，導致系統過熱損壞的缺陷，提供一種高邊開關芯片。
2、本公開是通過下述技術方案來解決上述技術問題：
3、本公開提供一種高邊開關芯片，所述高邊開關芯片包括開關電路和第一過流保護電路；
4、所述第一過流保護電路包括第一負載電路和反饋電路，所述第一負載電路與所述開關電路并聯連接，所述反饋電路分別與所述第一負載電路中的第一負載、所述開關電路連接；
5、所述反饋電路用于獲取所述第一負載中的第一實際電流，根據所述第一實際電流確定所述開關電路中的第二實際電流，并在所述第二實際電流大于或者等于第一閾值電
6、較佳地，所述高邊開關芯片還包括第二過流保護電路；
7、所述第二過流保護電路包括第二負載電路和檢測電路，所述第二負載電路與所述開關電路并聯連接，所述檢測電路分別與所述第二負載電路中的第二負載、外部處理電路連接；
8、所述檢測電路用于獲取所述第二負載中的第三實際電流，根據所述第三實際電流確定所述開關電路中的所述第二實際電流，并在所述第二實際電流大于或者等于第二閾值電流時，生成第二過流控制信號，并輸出至所述外部處理電路，以基于所述外部處理電路控制所述開關電路的斷開；
9、其中，所述第二閾值電流小于所述第一閾值電流。
10、較佳地，所述高邊開關芯片還包括信號處理單元；
11、所述信號處理單元的第一輸入端與所述高邊開關芯片的高邊信號輸入端連接，所述信號處理單元的第一輸出端與所述開關電路的第二輸入端連接；
12、所述信號處理單元用于接收所述高邊開關芯片的輸入電壓，對所述輸入電壓進行處理，得到第一電壓并輸入至所述開關電路。
13、較佳地，所述信號處理單元的第三輸入端與所述反饋電路的第二輸出端連接，所述信號處理單元的所述第一輸出端與所述第一負載電路的第四輸入端連接；
14、所述信號處理單元還用于接收所述第一過流控制信號，對所述輸入電壓和所述第一過流控制信號進行處理，得到第二電壓并輸入至所述開關電路。
15、較佳地，所述開關電路包括第一mos(金屬氧化物半導體型場效應管)管；
16、所述第一mos管的第一漏極與所述高邊開關芯片的電壓輸入端連接，所述第一mos管的第一源極與所述高邊開關芯片的目標輸出端連接。
17、較佳地，所述第一負載電路包括第二mos管和所述第一負載；
18、所述第二mos管的第二漏極與所述第一mos管的所述第一漏極連接，所述第二mos管的第二源極與所述第一負載的一端連接，所述第二mos管的第二柵極與所述第一mos管的第一柵極連接；
19、所述第一負載的另一端與所述第一mos管的所述第一源極連接。
20、較佳地，所述反饋電路包括第一放大單元；
21、所述第一放大單元的兩個輸入端分別為所述反饋電路的第五輸入端和第六輸入端，所述第一放大單元的輸出端為所述反饋電路的所述第二輸出端。
22、較佳地，所述第一放大單元包括npn(一種晶體管類型)型三極管或n型mos管。
23、較佳地，所述第二負載電路包括第三mos管和所述第二負載；
24、所述第三mos管的第三漏極與所述第二負載的一端連接，所述第三mos管的第三源極與所述第一mos管的所述第一源極連接，所述第三mos管的第三柵極與所述第一mos管的所述第一柵極連接；
25、所述第二負載的另一端與所述第一mos管的所述第一漏極連接。
26、較佳地，所述檢測電路包括第二放大單元和比較單元；
27、所述第二放大單元的兩個輸入端分別為所述檢測電路的第七輸入端和第八輸入端，所述第二放大單元的第三輸出端與所述比較單元的第九輸入端連接；
28、所述比較單元的第十輸入端接入預設標準電壓，所述比較單元的輸出端為所述檢測電路的第四輸出端。
29、在符合本領域常識的基礎上，各優選條件，可任意組合，即得本公開各較佳實施例。
30、本公開的積極進步效果在于：通過在高邊開關芯片中設置第一過流保護電路，在檢測到開關電路中發生過流時，生成第一過流控制信號并輸入至開關電路，以驅動開關電路中的實際電流降低，由于過流保護的全過程都是在高邊開關芯片的內部處理完成，使得過流檢測、過流保護的過程反應迅速，大大縮短了過流保護的時間，同時通過第一過流保護電路和第二過流保護電路的配合工作，增強了過流保護的效果，減低了高邊開關芯片損壞的風險。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種高邊開關芯片，其特征在于，所述高邊開關芯片包括開關電路和第一過流保護電路；
2.如權利要求1所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述高邊開關芯片還包括第二過流保護電路；
3.如權利要求2所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述高邊開關芯片還包括信號處理單元；
4.如權利要求3所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述信號處理單元的第三輸入端與所述反饋電路的第二輸出端連接，所述信號處理單元的所述第一輸出端與所述第一負載電路的第四輸入端連接；
5.如權利要求4所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述開關電路包括第一MOS管；
6.如權利要求5所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述第一負載電路包括第二MOS管和所述第一負載；
7.如權利要求6所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述反饋電路包括第一放大單元；
8.如權利要求7所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述第一放大單元包括NPN型三極管或N型MOS管。
9.如權利要求8所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述第二負載電路包括第三MOS管和所述第二負載；>
10.如權利要求9所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述檢測電路包括第二放大單元和比較單元；
...【技術特征摘要】
1.一種高邊開關芯片，其特征在于，所述高邊開關芯片包括開關電路和第一過流保護電路；
2.如權利要求1所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述高邊開關芯片還包括第二過流保護電路；
3.如權利要求2所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述高邊開關芯片還包括信號處理單元；
4.如權利要求3所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述信號處理單元的第三輸入端與所述反饋電路的第二輸出端連接，所述信號處理單元的所述第一輸出端與所述第一負載電路的第四輸入端連接；
5.如權利要求4所述的高邊開關芯片，其特征在于，所述開關電路...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王維鐵，肖余，肖明，
申請(專利權)人：上海貝嶺股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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