【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件，尤其涉及micro?led顯示模塊的制作。
技術介紹
1、隨著顯示技術的進步，市場對lcd(liquid?crystal?display，液晶顯示器)的低對比度、低色域、低響應速度等缺點，以及oled(organic?lightemitting?display，有機發光顯示器)的燒屏、顆粒感重、偏色、光舒適度差等缺點越發不滿。micro?led顯示技術作為下一代顯示技術，具有高對比度、高色域、高響應速度、超高分辨率和壽命長等優點，其兼有lcd及oled的優點的同時又沒有其缺點。micro?led還具有可柔性顯示及低能耗的優點，被譽為一種終極顯示技術。
2、制作micro?led顯示器需要將百萬顆的微米級led轉移至背板上，即巨量轉移?，F有巨量轉移有以下幾種方法，如靜電力轉移技術、范德華力轉移技術、磁場力轉移技術、自對準滾輪轉印技術、自組裝轉移技術和激光轉移技術，但均有優缺點。如范德華力轉移技術，難以做到拾取與釋放的一致性；自組裝轉移技術組裝后的micro?led推拉力差，修復困難，且在轉移后剝離襯底時led上的電極極易碎裂。
3、故，急需一種可解決上述問題的micro?led顯示模塊的制作方法及micro?led顯示模塊。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種micro?led顯示模塊的制作方法及micro?led顯示模塊，可穩定轉移micro?led，且轉移時結構穩定，不易損壞。
2、為了實現上述目的，本專利技
3、與現有技術相比，本專利技術的封裝結構直接將多個發光單元連成一體，且可以有效保護發光單元，使得該micro?led可以結構穩定地進行區塊轉移。再者，本專利技術的封裝結構將第一電極在發光單元側部的部分區域保護于內，光學單元將第一電極在發光單元頂部的部分區域保護于內，有效防止在剝離襯底時第一電極斷裂。
4、較佳地，提供生長有多個發光單元的襯底包括以下步驟：提供一外延片，所述外延片包括襯底和形成于所述襯底上的外延層；分割所述外延層以形成多個獨立的發光結構；在所述發光結構的側壁上形成絕緣層，并使所述絕緣層的上側包裹所述發光結構頂部的周沿。
5、具體地，在所述發光結構的側壁上形成絕緣層之前，還包括步驟：在所述發光結構的頂部形成透明導電層；在所述發光結構的側壁上形成絕緣層時，所述絕緣層的上側還延伸至所述發光單元的頂部并包裹所述透明導電層的周沿。其中，該透明導電層沉積于所述發光結構的頂部。具體地，該透明導電層為ito層。
6、具體地，所述光學結構的周沿覆蓋至所述絕緣層的上側的部分位置，所述第一電極在所述發光單元的頂部延伸至所述絕緣層未包裹的區域，并與透明導電層接觸，該方案使得封裝結構通過絕緣層將發光單元連接在一起。
7、較佳地，所述光學結構和所述封裝結構通過旋涂su8光刻膠一步形成，工藝簡單，加工效率高。
8、較佳地，去除所述臨時載板后還包括步驟：在所述第一電極位于所述發光單元的側壁且未被所述封裝結構包裹的區域上形成導電線路，所述導電線路與所述電路載板電連接；所述發光單元臨近所述襯底的一側還形成有第二電極，將一電路載板鍵合到所述發光單元遠離臨時載板的一側時還將所述電路載板的第一焊盤與所述第二電極焊接。
9、具體地，所述光學結構的面積小于所述發光單元頂部的面積，所述導電線路還延伸至所述第一電極位于所述發光單元頂部且未被所述光學結構覆蓋的區域上。
10、較佳地，所述發光單元臨近所述襯底的一側還形成有第二電極，形成第一電極時第一電極沿所述發光單元的側部延伸至所述襯底上，并沿所述襯底向外延伸形成電極焊盤，將一電路載板鍵合到所述發光單元上時還將所述電路載板的第一焊盤與所述第二電極焊接，將所述電路載板的第二焊盤與所述電極焊盤焊接。
11、較佳地，所述發光單元的橫截面從下至上逐漸變小，并使所述發光單元的側邊為傾斜狀，且便于絕緣層的形成。
12、本專利技術還公開了一種micro?led顯示模塊，由上述micro?led顯示模塊的制作方法制成。
13、本專利技術還公開了一種micro?led顯示模塊，包括電路載板、鍵合于所述電路載板上的多個發光單元、形成于每一所述發光單元頂部的第一電極、光學結構，以及形成于多個所述發光單元之間并接觸所述電路載板的封裝結構，所述第一電極還延伸至所述發光單元的側壁上，所述光學結構覆蓋所述第一電極位于發光單元的頂部區域的部分，所述封裝結構包裹所述第一電極延伸至所述發光單元的側壁區域的部分。
14、與現有技術相比，本專利技術的所述光學結構覆蓋所述第一電極位于發光單元的頂部上區域的部分，所述封裝結構包裹所述第一電極延伸至所述發光單元的側壁上區域的部分，使得封裝結構直接將多個發光單元連成一體，可實現microled的區塊轉移，而光學單元將第一電極在發光單元頂部的部分區域保護于內，有效防止在剝離襯底時第一電極斷裂。
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1.一種Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：包括：
2.如權利要求1所述的Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：提供生長有多個發光單元的襯底包括以下步驟：
3.如權利要求2所述的Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：在所述發光結構的側壁上形成絕緣層之前，還包括步驟：在所述發光結構的頂部形成透明導電層；在所述發光結構的側壁上形成絕緣層時，所述絕緣層的上側還延伸至所述發光單元的頂部并包裹所述透明導電層的周沿，所述第一電極在所述發光單元的頂部延伸至所述絕緣層未包裹的區域，并與所述透明導電層接觸。
4.如權利要求1所述的Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：所述光學結構和所述封裝結構通過旋涂SU8光刻膠一步形成。
5.如權利要求1所述的Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：去除所述臨時載板后還包括步驟：在所述第一電極位于所述發光單元的側壁且未被所述封裝結構包裹的區域上形成導電線路，所述導電線路與所述電路載板電連接；所述發光單元臨近所述襯底的一側還形成有第二電極，將一電路載板鍵合到
6.如權利要求5所述的Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：所述光學結構的面積小于所述發光單元頂部的面積，所述導電線路還延伸至所述第一電極位于所述發光單元頂部且未被所述光學結構覆蓋的區域上。
7.如權利要求1所述的Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：所述發光單元臨近所述襯底的一側還形成有第二電極，形成第一電極時第一電極沿所述發光單元的側部延伸至所述襯底上，并沿所述襯底向外延伸形成電極焊盤，將一電路載板鍵合到所述發光單元上時還將所述電路載板的第一焊盤與所述第二電極焊接，將所述電路載板的第二焊盤與所述電極焊盤焊接。
8.如權利要求1所述的Micro?LED顯示模塊的制作方法，其特征在于：所述發光單元的橫截面從下至上逐漸變小，并使所述發光單元的側邊為傾斜狀。
9.一種Micro?LED顯示模塊，其特征在于：由權利要求1－8中任一項所述Micro?LED顯示模塊的制作方法制成。
10.一種Micro?LED顯示模塊，其特征在于：包括電路載板、鍵合于所述電路載板上的多個發光單元、形成于每一所述發光單元頂部的第一電極、光學結構，以及形成于多個所述發光單元之間并接觸所述電路載板的封裝結構，所述第一電極還延伸至所述發光單元的側壁上，所述光學結構覆蓋所述第一電極位于發光單元的頂部區域的部分，所述封裝結構包裹所述第一電極延伸至所述發光單元的側壁區域的部分。
...【技術特征摘要】
1.一種micro?led顯示模塊的制作方法，其特征在于：包括：
2.如權利要求1所述的micro?led顯示模塊的制作方法，其特征在于：提供生長有多個發光單元的襯底包括以下步驟：
3.如權利要求2所述的micro?led顯示模塊的制作方法，其特征在于：在所述發光結構的側壁上形成絕緣層之前，還包括步驟：在所述發光結構的頂部形成透明導電層；在所述發光結構的側壁上形成絕緣層時，所述絕緣層的上側還延伸至所述發光單元的頂部并包裹所述透明導電層的周沿，所述第一電極在所述發光單元的頂部延伸至所述絕緣層未包裹的區域，并與所述透明導電層接觸。
4.如權利要求1所述的micro?led顯示模塊的制作方法，其特征在于：所述光學結構和所述封裝結構通過旋涂su8光刻膠一步形成。
5.如權利要求1所述的micro?led顯示模塊的制作方法，其特征在于：去除所述臨時載板后還包括步驟：在所述第一電極位于所述發光單元的側壁且未被所述封裝結構包裹的區域上形成導電線路，所述導電線路與所述電路載板電連接；所述發光單元臨近所述襯底的一側還形成有第二電極，將一電路載板鍵合到所述發光單元遠離臨時載板的一側時還將所述電路載板的第一焊盤與所述第二電極焊接。
6.如權利要求5所述的micro?led顯示模塊的制作方法，其特征在于：...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉丹丹，趙龍，黃杰勤，黃燦強，
申請(專利權)人：東莞市中晶半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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