【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及emi電磁屏蔽材料領域，具體涉及一種雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料及其制備方法。
技術介紹
1、隨著電子器件向高集成度、高頻率方向快速發展，電子元件之間的電磁干擾(emi)問題已經顯現出來，積累熱量的快速消散和有效的電磁干擾(emi)屏蔽引起了廣泛的關注，賦予熱管理材料emi屏蔽性能是同時克服散熱和emi問題的有效途徑?，F有的金屬或非金屬導電粉體具有較高的導熱系數和優異的電性能，適合用于制備emi屏蔽熱管理材料，通過建立連續的導電和導熱網絡，可以獲得優異的emi屏蔽性能和較高的導熱系數。但是現有的導電填料不可避免地會影響電絕緣性能，導致電路等電氣結構短路。
2、為了解決上述問題，研究人員嘗試通過在導熱屏蔽材料表面引入絕緣涂層，或者與導熱絕緣材料多層復合制備電絕緣emi屏蔽熱管理材料，這些方法可以有效地提高emi屏蔽材料的電絕緣性能并保持其屏蔽性能，如專利申請cn103722832?a，公開了一種絕緣聚合物基電磁屏蔽材料及其制備方法。然而這種方法工藝復雜，且只適合用于制作片材，不適合用于制作具有復雜形貌的3d材料和異型材料，而片材不利于后續加工和進一步的利用。相比，復雜形貌的電磁屏蔽材料更便于加工，有利于提升電磁屏蔽材料的推廣和利用。
3、此外，現有的emi屏蔽材料由于導熱粉體無法大量添加，還存在導熱性能和電磁屏蔽性能不夠優異的問題。
技術實現思路
1、為了解決現有導熱屏蔽材料電氣絕緣性能不夠優異，現有絕緣改性方法只適合改性片材以及導熱性能和電磁屏
2、本專利技術的第一個方面，提供了一種雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料，其原料包括a組份和b組份；
3、按重量份計，所述a組分包括：
4、雙端乙烯基聚硅氧烷3.8～42.5份、改性絕緣金屬粉體57～96份和催化劑0.05～1份；
5、按重量份計，所述b組分包括：
6、雙端乙烯基聚硅氧烷1.6～31.5份、雙端含氫聚硅氧烷0.2～10份、側鏈含氫聚硅氧烷0.1～5.2份、改性絕緣金屬粉體57～96份和抑制劑0.0005～0.02份。
7、具體的，所述a組分和b組分中雙端乙烯基聚硅氧烷的運動粘度均為50～20000cps。
8、具體的，所述a組分和b組分中改性絕緣金屬粉體均為金屬粉體及其合金的改性粉體，所述金屬粉體均選自al、mn、mg、cr、ni、nb、mo、cu、fe、w、zn、sn、pb、ag、ti、zr、ta、pt和sb中的至少一種；
9、具體的，所述a組分和b組分中改性絕緣金屬粉體表面均有絕緣層，所述絕緣層的厚度均為50～1000nm，所述絕緣層的成分均為金剛石、α相氧化鋁和β相氮化硅中的一種。
10、本專利技術的第二個方面，提供了一種雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料的制備方法，包括以下步驟：
11、將a組分和b組分按質量比1:1混合后反應，即得到所述雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料；本專利技術采用雙組份，當a組分和b組份混合時可以從半流動態固化成彈性體；
12、具體的，所述a組分的制備方法包括以下步驟：
13、在真空條件下，以雙端乙烯基聚硅氧烷和不同粒徑的改性絕緣金屬粉體和催化劑為原料制備a組分。
14、更具體的，所述a組分的制備方法為：
15、①將雙端乙烯基聚硅氧烷和0.2～5μm改性絕緣金屬粉體混勻，在1000～2000rpm下進行分散，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min；
16、②將7～20μm改性絕緣金屬粉體加入步驟①所得混合物中混勻，在800～1200rpm下進行分散，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min；
17、③將40～200μm改性絕緣金屬粉體加入步驟②所得混合物中混勻，在300～1000rpm下進行分散，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min；
18、④加熱攪拌步驟③中所得混合物至溫度為100～120℃，在20～60rpm下攪拌，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌30～60min；
19、⑤將步驟④中所得混合物冷卻至室溫，加入催化劑混勻，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min，即得到所述的a組分。
20、在制備a組分的過程中，將不同粒徑范圍的改性絕緣金屬粉體分批次加入，有利于實現更多改性絕緣金屬粉體的填充，并且有利于改性絕緣金屬粉體的分散；
21、更具體的，步驟①、步驟②和步驟③中加入的所述改性絕緣金屬粉體的質量比為1:2:3；
22、更具體的，步驟⑤中所述催化劑選自卡斯特催化劑，成分為鉑(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷絡合物，鉑含量1000～20000pp；鉑含量太高不利于精準添加和均勻分散，含量太低會引入過多聚硅氧烷；
23、具體的，所述b組分的制備方法為：
24、在真空條件下，以雙端乙烯基聚硅氧烷、不同粒徑的改性絕緣金屬粉體、側鏈含氫聚硅氧烷、雙端含氫聚硅氧烷和抑制劑為原料制備得到b組分。
25、更具體的，所述b組分的制備方法為：
26、(1)將雙端乙烯基聚硅氧烷和0.2～5μm改性絕緣金屬粉體混勻，在1000～2000rpm下分散，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min；
27、(2)將7～20μm改性絕緣金屬粉體加入步驟(1)所得混合物中混勻，在800～1200rpm下分散，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min；
28、(3)將40～200μm改性絕緣金屬粉體加入步驟(2)所得混合物中混勻，在300～1000rpm下分散，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min；
29、(4)加熱攪拌步驟(3)中所述混合物至100～120℃，在20～60rpm下攪拌，再在真空度為-0.095mpa以下攪拌30～60min；
30、(5)將步驟(4)中混合物冷卻至室溫，加入側鏈含氫聚硅氧烷、雙端含氫聚硅氧烷和抑制劑，在真空度為-0.095mpa以下攪拌10～15min，即得到所述的b組分。
31、更具體的，步驟(1)、步驟(2)和步驟(3)中加入的所述改性絕緣金屬粉體的質量比為1:2:3；
32、更具體的，所述側鏈含氫聚硅氧烷的運動粘度為20～500cps；
33、更具體的，所述雙端含氫聚硅氧烷的運動粘度為10～500cps；
34、更具體的，所述抑制劑選自3-甲基-1-十二炔-3-醇、1-乙炔基-1-環己醇、四甲本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種雙組份導熱絕緣EMI屏蔽材料，其特征在于，其原料包括A組份和B組份；
2.如權利要求1所述的雙組份導熱絕緣EMI屏蔽材料，其特征在于，所述改性絕緣金屬粉體為金屬粉體及其合金的改性粉體，所述金屬粉體選自Al、Mn、Mg、Cr、Ni、Nb、Mo、Cu、Fe、W、Zn、Sn、Pb、Ag、Ti、Zr、Ta、Pt和Sb中的至少一種。
3.如權利要求2所述的雙組份導熱絕緣EMI屏蔽材料，其特征在于，所述改性絕緣金屬粉體表面有絕緣層，所述絕緣層成分為金剛石、α相氧化鋁和β相氮化硅中的一種。
4.一種如權利要求1所述的雙組份導熱絕緣EMI屏蔽材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
5.如權利要求4所述的雙組份導熱絕緣EMI屏蔽材料的制備方法，其特征在于，所述A組分的制備方法為：
6.如權利要求4所述的雙組份導熱絕緣EMI屏蔽材料的制備方法，其特征在于，所述B組分的制備方法包括以下步驟：
7.如權利要求5～6任一項所述雙組份導熱絕緣EMI屏蔽材料的制備方法，其特征在于，所述改性絕緣金屬粉體的制備方法均為：
<...【技術特征摘要】
1.一種雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料，其特征在于，其原料包括a組份和b組份；
2.如權利要求1所述的雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料，其特征在于，所述改性絕緣金屬粉體為金屬粉體及其合金的改性粉體，所述金屬粉體選自al、mn、mg、cr、ni、nb、mo、cu、fe、w、zn、sn、pb、ag、ti、zr、ta、pt和sb中的至少一種。
3.如權利要求2所述的雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料，其特征在于，所述改性絕緣金屬粉體表面有絕緣層，所述絕緣層成分為金剛石、α相氧化鋁和β相氮化硅中的一種。
4.一種如權利要求1所述的雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
5.如權利要求4所述的雙組份導熱絕緣emi屏蔽材料的制備方法，其特征在于，所述a組分的制備方法為：
6.如權利要求4所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：謝琦林，張創，
申請(專利權)人：武漢中科先進材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。