【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及零件再生，具體涉及靜電吸盤的再生清洗方法。
技術介紹
1、靜電吸盤是半導體加工設備(如等離子蝕刻室)的核心部件之一，主要用于吸附晶圓薄片，調節晶圓溫度，以及保持其表面平坦度的作用。由于在刻蝕腔室中需要和晶圓直接接觸，因此在刻蝕工藝中對靜電吸盤的穩定性，精確性和準確性提出了更高的要求。靜電吸盤的使用壽命通常較短，在刻蝕過程中，靜電吸盤易出現表面聚合物沉積不均勻，造成晶圓背面顆粒度增加的問題，而部件本身價格昂貴，因此需要通過清洗進行再生，重復投入使用。
2、現階段靜電吸盤的洗凈再生工藝以濕法清洗為主。us07052553公開了一種對靜電吸盤的濕法清洗工藝，依次使用異丙醇，雙氧水對部件進行浸泡，再依次使用硝酸氟酸的混合溶液，鹽酸雙氧水的混合溶液，四甲基氫氧化銨(tmah)對部件表面進行擦拭，再依次使用雙氧水氨水，鹽酸雙氧水進行浸泡，得到清洗后產品。該方法步驟繁瑣，酸耗較高，操作環境和清潔性都較差。此外，還存有表面仍然存在沉積，清洗效果不理想的問題。
3、因此，開發一種清潔程度高，程序簡易的新型濕法清洗工藝具有重要的意義。
技術實現思路
1、針對現有技術存在的問題，本專利技術提供一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，已解決上述至少一個技術問題。
2、本專利技術提供了一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，包括如下步驟：
3、步驟一，氟化銨浸泡；
4、用膠帶保護靜電吸盤的陽極氧化面，將部件浸泡在氟化銨藥液中，總浸泡時間為
5、步驟二，熱水浸泡；
6、將靜電吸盤放置于固定平臺上，用60℃的熱水浸泡2-5小時；
7、步驟三，打磨；
8、將工作面的氦氣孔與提拉孔用圓形膠帶進行保護，將部件固定于打磨機上，打磨機轉速設置為80-120rpm，總打磨時間為2-10小時；
9、步驟四，高壓水清洗；
10、去除保護，將打磨后的靜電吸盤用高壓水整體沖洗，沖洗壓力設定在2-6mpa。
11、步驟五，超聲波清洗；
12、將部件搬運至100級無塵室進行超聲波清洗，超聲頻率為4-10w/in，超聲時間為5-15min，最后用氮氣吹干；
13、步驟六，干燥；
14、吹干后的部件放至無塵烘箱內進行加熱干燥。
15、進一步優選的，步驟一中，所述膠帶為防酸膠帶，優選為pet，pi，pvc中的一種或多種。
16、進一步優選的，步驟一中，氟化銨藥液為氟酸和氟化銨的混合溶液。混合溶液包括質量百分比含量為5％～10％氟酸、質量百分比含量為25％～40％的氟化銨，余量為去離子水。
17、進一步優選的，步驟二中，熱水浸泡需要在水溫低于50℃時取放部件。
18、進一步優選的，步驟三中，打磨膏為3m研磨膏。
19、進一步優選的，步驟五中，超聲波清洗槽的純水溢流量大于250l/h，純水電阻大于2mω。
20、進一步優選的，步驟六中，所述無塵烘箱的隔板上放置特氟龍棒，再用無紡布墊蓋，部件上端與隔板距離應大于5cm，擺放完成后開啟烘烤程序。
21、進一步優選的，步驟六中，烘箱溫度設定為60-80℃，恒溫時間設定為5-10小時，程序結束后在40℃以下開烘箱進行無塵包裝。
22、一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，包括如下步驟：
23、步驟一，氟化銨浸泡；
24、用膠帶保護靜電吸盤的陽極氧化面，將部件浸泡在氟化銨藥液中，總浸泡時間為3小時；氟化銨藥液為氟酸和氟化銨的混合溶液，混合溶液包括質量百分比含量為6％氟酸、質量百分比含量為30％的氟化銨，余量為去離子水。
25、步驟二，熱水浸泡；
26、將靜電吸盤放置于固定平臺上，用60℃的熱水浸泡2小時；
27、步驟三，打磨；
28、將工作面的氦氣孔與提拉孔用圓形膠帶進行保護，將部件固定于打磨機上，打磨機轉速設置為90rpm，總打磨時間為2小時；
29、步驟四，高壓水清洗；
30、去除保護，將打磨后的靜電吸盤用高壓水整體沖洗，沖洗壓力設定在3mpa。
31、步驟五，超聲波清洗；
32、將部件搬運至100級無塵室進行超聲波清洗，超聲波清洗槽的純水溢流量大于250l/h，純水電阻大于2mω，超聲頻率為5w/in，超聲時間為5min，最后用氮氣吹干；
33、步驟六，干燥；
34、吹干后的部件放至無塵烘箱內進行加熱干燥；所述無塵烘箱的隔板上放置特氟龍棒，再用無紡布墊蓋，部件上端與隔板距離應大于5cm，擺放完成后開啟烘烤程序；
35、烘箱溫度設定為65℃，恒溫時間設定為6小時，程序結束后在40℃以下開烘箱進行無塵包裝。
36、本專利技術提供了一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，有益效果在于：
37、通過化學清洗的方法，使靜電吸盤表面金屬沉積膜轉化為可溶解的金離子，再采用物理研磨的方式去除結合力較強的沉積區域，和現有方法相比，本專利技術使用化學-物理交替使用的方法，有效的去除了表面沉積，提高了清潔程度，增加了部件的重復使用次數，減少了部件采購成本，具有較高的工業應用價值。
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1.一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟一中，所述膠帶為防酸膠帶。
3.根據權利要求2所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟一中，所述膠帶為PET，PI，PVC中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟一中，氟化銨藥液為氟酸和氟化銨的混合溶液，混合溶液包括質量百分比含量為5％～10％的氟酸、質量百分比含量為25％～40％的氟化銨，余量為去離子水。
5.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟二中，熱水浸泡需要在水溫低于50℃時取放部件。
6.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟三中，打磨膏為3M研磨膏。
7.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟五中，超聲波清洗槽的純水溢流量大于250L/h，純水電阻大于2MΩ。
8.根據
9.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟六中，烘箱溫度設定為60-80℃，恒溫時間設定為5-10小時，程序結束后在40℃以下開烘箱進行無塵包裝。
10.一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，包括如下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟一中，所述膠帶為防酸膠帶。
3.根據權利要求2所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟一中，所述膠帶為pet，pi，pvc中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟一中，氟化銨藥液為氟酸和氟化銨的混合溶液，混合溶液包括質量百分比含量為5％～10％的氟酸、質量百分比含量為25％～40％的氟化銨，余量為去離子水。
5.根據權利要求1所述的一種半導體設備靜電吸盤的濕法清潔工藝，其特征在于：步驟二中，熱水浸泡需要在水溫低于50℃時取放部件。
6.根據權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐憶濛，賀賢漢，楊煒，蔣立峰，王成明，
申請(專利權)人：上海富樂德智能科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
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