【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電子電路，尤其涉及一種溫度傳感電路。
技術介紹
1、溫度是生活中常見的測量變量之一，溫度傳感電路廣泛應用在電子設備中，以檢測當前的工作環境溫度，進而對電子設備中的某些參數(如振蕩器的振蕩頻率等)進行相應的調整。
2、現有技術中，溫度傳感器通常通過溫敏電阻來感知溫度，通過模數轉換器來實現溫度的模數轉換，電路結構、工藝較為復雜。
技術實現思路
1、本專利技術解決的是溫度傳感電路的電路結構、工藝復雜的技術問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供了一種溫度傳感電路，包括：溫度電流轉換模塊，適于生成與當前所處環境的溫度對應的目標電流，并將所述目標電流輸出；電流頻率轉換模塊，適于將所述目標電流轉換成對應頻率的目標振蕩信號；電平轉換模塊，適于將所述目標振蕩信號對應的電平轉換為電源電壓；測頻譯碼模塊，適于將經過電平轉換的目標振蕩信號的頻率轉換為目標溫度并輸出。
3、可選的，所述溫度電流轉換模塊包括：電流源、第一電阻、第二電阻、溫度采集單元、運算放大器以及電流鏡單元，其中：所述電流源，其第一端輸入所述電源電壓，其第二端與所述第一電阻的第一端耦接；所述第一電阻，其第二端與所述溫度采集單元的第一端耦接；所述第一電阻的阻值可調；所述溫度采集單元，其第二端接地；所述溫度采集單元的導通電壓隨溫度變化；所述運算放大器，其反向輸入端與所述第一電阻的第一端耦接，其正向輸入端與所述第二電阻的第一端耦接，其輸出端與所述電流鏡的控制端耦接；所述第二電阻，其第二端接地
4、可選的，所述電流鏡包括第十一pmos管以及第十二pmos管，其中：所述第十一pmos管，其源極輸入所述電源電壓，其柵極與所述運算放大器的輸出端耦接，其漏極與所述第二電阻的第一端耦接；所述第十二pmos管，其源極輸入所述電源電壓，其柵極與所述運算放大器的輸出端耦接，其漏極輸出所述目標電流。
5、可選的，所述溫度采集單元包括如下任一種：mos管連接成的二極管、pnp型三極管連接成的二極管、npn型三級管連接成的二極管、二極管。
6、可選的，所述電流頻率轉換模塊包括：環形振蕩單元；所述環形振蕩單元包括2n+1個級聯的反相器，且第一個反相器的輸入端與第2n+1個反相器的輸出端耦接；n為正整數。
7、可選的，所述環形振蕩單元包括：第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第一nmos管、第二nmos管以及第三nmos管，其中：所述第一pmos管，其源極輸入所述目標電流，其柵極與所述第一nmos管的柵極耦接，其漏極與所述第一nmos管的漏極耦接；所述第一nmos管，其源極接地；所述第一pmos管與所述第一nmos管組成第一反相器，所述第一pmos管的柵極與所述第一反相器的輸入端耦接，所述第一pmos管的漏極與所述第一反相器的輸出端耦接；所述第二pmos管，其源極輸入所述目標電流，其柵極與所述第二nmos管的柵極、所述第一反相器的輸出端耦接，其漏極與所述第二nmos管的漏極耦接；所述第二nmos管，其源極接地；所述第二pmos管與所述第二nmos管組成第二反相器，所述第二pmos管的柵極與所述第二反相器的輸入端耦接，所述第二pmos管的漏極與所述第二反相器的輸出端耦接；所述第三pmos管，其源極輸入所述目標電流，其柵極與所述第三nmos管的柵極、所述第二反相器的輸出端耦接，其漏極與所述第三nmos管的漏極、所述第一反相器的輸入端耦接；所述第三nmos管，其源極接地；所述第三pmos管與所述第三nmos管組成第三反相器，所述第三pmos管的柵極與所述第三反相器的輸入端耦接，所述第三pmos管的漏極與所述第三反相器的輸出端耦接。
8、可選的，所述電流頻率轉換模塊還包括：驅動單元，用于驅動所述電平轉換模塊；所述驅動單元包括m個級聯的反相器，m為正整數。
9、可選的，所述驅動單元包括：第四pmos管、第五pmos管、第四nmos管以及第五nmos管，其中：所述第四pmos管，其源極輸入所述目標電流，其柵極與所述第四nmos管的柵極、所述環形振蕩單元的輸出端耦接，其漏極與所述第四nmos管的漏極耦接；所述第四nmos管，其源極接地；所述第五pmos管，其源極輸入所述目標電流，其柵極與所述第五nmos管的柵極、所述第四pmos管的漏極耦接，其漏極與所述第五nmos管的漏極耦接；所述第五nmos管，其源極接地。
10、可選的，所述電平轉換模塊包括：第六pmos管、第七pmos管、第八pmos管、第九pmos管、第十pmos管、第六nmos管、第七nmos管以及第八nmos管，其中：所述第六pmos管，其源極與所述第九pmos管的漏極耦接，其柵極與所述第六nmos管的柵極、所述電流頻率轉換模塊的第一輸出端耦接，其漏極與所述第六nmos管的漏極、所述第十pmos管的柵極耦接；所述第六nmos管，其源極接地；所述第七pmos管，其源極與所述第十pmos管的漏極耦接，其柵極與所述第七nmos管的柵極、所述電流頻率轉換模塊的第二輸出端耦接，其漏極與所述第七nmos管的漏極、所述第九pmos管的柵極耦接；所述第七nmos管，其源極接地；所述第八pmos管，其源極輸入所述電源電壓，其柵極與所述第七pmos管的漏極、所述第八nmos管的柵極耦接，其漏極與所述第八nmos管的漏極耦接；所述第八pmos管的漏極和第八nmos管的漏極與所述測頻譯碼模塊的輸入端耦接；所述第八nmos管，其源極接地；所述第九pmos管，其源極輸入所述電源電壓；所述第十pmos管，其源極輸入所述電源電壓。
11、可選的，所述測頻譯碼模塊包括測頻單元以及溫度譯碼單元，其中：所述測頻單元，用于獲取所述經過電平轉換的目標振蕩信號的頻率；所述溫度譯碼單元，用于基于所述測頻單元獲取到的頻率，譯碼得到所述目標溫度。
12、通過溫度電流轉換模塊，將當前所處環境的溫度轉換成對應的目標電流。通過電流頻率轉換模塊，將目標電流轉換成對應頻率的目標振蕩信號。通過電平轉換模塊對目標振蕩信號的電平進行轉換，并通過測頻譯碼模塊對經過電平轉換的目標振蕩信號進行譯碼，得到目標溫度。可見，本專利技術提供的溫度傳感電路，并沒有使用傳統的模數轉換器，故能夠簡化電路結構和工藝，并能夠降低電路成本。
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1.一種溫度傳感電路，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述溫度電流轉換模塊包括：電流源、第一電阻、第二電阻、溫度采集單元、運算放大器以及電流鏡單元，其中：
3.如權利要求2所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述電流鏡包括第十一PMOS管以及第十二PMOS管，其中：
4.如權利要求2所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述溫度采集單元包括如下任一種：MOS管連接成的二極管、三極管連接成的二極管、二極管。
5.如權利要求1所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述電流頻率轉換模塊包括：環形振蕩單元；所述環形振蕩單元包括2N+1個級聯的反相器，且第一個反相器的輸入端與第2N+1個反相器的輸出端耦接；N為正整數。
6.如權利要求5所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述環形振蕩單元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管以及第三NMOS管，其中：
7.如權利要求5所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述電流頻率轉換模塊還包括：驅動單元，用于驅動所述電平轉換模
8.如權利要求7所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述驅動單元包括：第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管以及第五NMOS管，其中：
9.如權利要求1、5～8任一項所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述電平轉換模塊包括：第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管以及第八NMOS管，其中：
10.如權利要求1所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述測頻譯碼模塊包括測頻單元以及溫度譯碼單元，其中：
...【技術特征摘要】
1.一種溫度傳感電路，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述溫度電流轉換模塊包括：電流源、第一電阻、第二電阻、溫度采集單元、運算放大器以及電流鏡單元，其中：
3.如權利要求2所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述電流鏡包括第十一pmos管以及第十二pmos管，其中：
4.如權利要求2所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述溫度采集單元包括如下任一種：mos管連接成的二極管、三極管連接成的二極管、二極管。
5.如權利要求1所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述電流頻率轉換模塊包括：環形振蕩單元；所述環形振蕩單元包括2n+1個級聯的反相器，且第一個反相器的輸入端與第2n+1個反相器的輸出端耦接；n為正整數。
6.如權利要求5所述的溫度傳感電路，其特征在于，所述環形振蕩單元包括：第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：雷宇超，呂潔潔，張旭，陳光勝，
申請(專利權)人：上海東軟載波微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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