【技術實現步驟摘要】
本技術涉及功率放大領域，尤其涉及一種低噪聲功率放大電路、電子電路及電子設備。
技術介紹
1、傳統的低噪聲放大器(low?noise?amplifier，簡稱為lna)的核心電路中，通常會在低位晶體管的源級和地端之間串聯一個電感，通過調節該電感，以對lna的輸入阻抗進行匹配，并通過負載的lc并聯諧振網絡提升lna的增益。
2、但現有技術的lna對晶體管進行線性度優化通常是調節晶體管的偏置點，使晶體管工作在線性放大區，但該種方法容易收到pvt(process、voltage、temperature)的影響導致出現較大偏差。同時，現有技術lna的輸出阻抗也非常高?，F需要一種在協調增益和輸入阻抗的基礎上，協調線性度和輸出阻抗的lna。
技術實現思路
1、本技術提供了一種低噪聲功率放大電路、電子電路及電子設備，以實現協調增益和輸入阻抗的基礎上，協調電路的線性度和輸出阻抗。
2、根據本技術的第一方面，提供了一種低噪聲功率放大電路，用于對輸入信號進行功率放大，該電路包括：
3、第一cascode單元，用于對所述輸入信號進行功率放大，并輸出第一功率信號；其中，所述第一cascode單元包括第一mos管和第二mos管；所述第一mos管的柵極接收所述輸入信號和第一偏置電壓，所述第一mos管的第二端接所述第二mos管的第一端，所述第一mos管的第一端接地；所述第二mos管的柵極接電源端，所述第二mos管的第二端作為所述第一cascode單元的輸出端；其中，所述第一偏置
4、非線性補償單元，分別耦接至所述第一mos管的柵極和所述第一mos管的第二端；所述非線性補償單元用于對所述第一mos管的漏極電流的n階非線性系數進行補償；其中，n為正整數，且n≥1；
5、第一電感，耦接至所述第一mos管的第一端和地端之間及耦接至所述非線性補償單元和地端之間；所述第一電感用于匹配所述第一cascode單元和所述非線性補償單元的輸入阻抗；
6、濾波單元，耦接至所述第一cascode單元的輸出端和所述電源端之間，所述濾波單元用于對所述第一功率信號進行濾波；
7、緩沖單元，耦接至所述第一cascode單元的輸出端；所述緩沖單元用于匹配所述第一cascode單元的輸出阻抗；所述緩沖單元還用于對所述第一功率信號進行緩沖，并輸出輸出信號。
8、可選的，所述第一cascode單元還包括第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第二電感；
9、所述第一電阻耦接至所述第一偏置電壓和所述第一mos管的柵極之間；所述第二電阻耦接至所述電源端和所述第二mos管的柵極之間；所述第一電阻和所述第二電阻分別用于對所述第一偏置電壓和所述電源電壓進行緩沖；
10、所述第二電感的第一端接所述輸入信號，所述第一電容耦接至所述第二電感和所述第一mos管的柵極之間；所述第二電容耦接至所述第一mos管的柵極和所述第一mos管的第一端之間；所述第二電感、所述第二電容均用于輔助所述第一電感對所述第一cascode單元的輸入阻抗進行匹配；所述第一電容還用于阻隔所述第一偏置電壓流向所述輸入信號。
11、可選的，所述非線性補償單元包括第三mos管和第四mos管；
12、所述第三mos管的柵極耦接至所述第一mos管的柵極，所述第三mos管的第一端耦接至所述第一mos管的第二端，所述第三mos管的第二端通過所述第一電感接地端；
13、所述第四mos管的第二端接所述第三mos管的第一端，所述第四mos管的柵極接第二偏置電壓，所述第四mos管的第一端接地端；其中，所述第二偏置電壓用于對所述第四mos管進行偏置。
14、可選的，所述第一mos管、第二mos管、第四mos管均為nmos管；所述第三mos管為pmos管。
15、可選的，所述非線性補償單元包括第三mos管和第四mos管；
16、所述第三mos管的柵極耦接至所述第一mos管的柵極，所述第三mos管的第一端耦接至所述第一mos管的第二端，所述第三mos管的第二端通過所述第一電感接地端；
17、所述第四mos管的第一端接所述第三mos管的第一端，所述第四mos管的柵極接第二偏置電壓，所述第四mos管的第二端接地端；其中，所述第二偏置電壓用于對所述第四mos管進行偏置。
18、可選的，所述第一mos管、第二mos管均為nmos管；所述第三mos管和所述第四mos管均為pmos管。
19、可選的，所述緩沖單元包括第五mos管和第三電阻；
20、所述第五mos管的柵極耦接至所述第二mos管的第二端，并接收第三偏置電壓；其中，所述第三偏置電壓用于對所述第五mos管進行偏置，所述第五mos管的第一端耦接至所述電源端，所述第五mos管的第二端耦接至所述第三電阻的第一端，并作為所述緩沖單元的輸出端；
21、所述第三電阻的第二端接地端。
22、可選的，所述緩沖單元包括第五mos管和第六mos管；
23、所述第五mos管的柵極耦接至所述第二mos管的第二端，并接收第三偏置電壓；其中，所述第三偏置電壓用于對所述第五mos管進行偏置，所述第五mos管的第一端耦接至所述電源端，所述第五mos管的第二端耦接至所述第六mos管的第二端，并作為所述緩沖單元的輸出端；
24、所述第六mos管的柵極接第四偏置電壓，所述第六mos管的第一端接地端；所述第四偏置電壓用于對所述第六mos管進行偏置。
25、可選的，所述緩沖單元還包括第四電容、第四電阻；
26、所述第四電阻耦接至所述第四偏置電壓和所述第六mos管的柵極之間；所述第四電阻用于對第四偏置電壓進行緩沖；
27、所述第四電容耦接至所述第六mos管的柵極和地端之間；所述第四電容用于對所述第四偏置電壓進行濾波。
28、可選的，所述緩沖單元還包括第五電容、第六電容、第五電阻；
29、所述第五電容耦接至所述第二mos管的第二端和所述第五mos管的柵極之間；所述第五電容用于阻隔所述第三偏置電壓流向所述第二mos管；
30、所述第六電容耦接至所述第五mos管的柵極和地端之間；所述第六電容用于對所述第一功率信號進行濾波；
31、第五電阻耦接至所述第三偏置電壓和所述第五mos管的柵極之間；所述第五電阻用于對第三偏置電壓進行緩沖。
32、根據本技術的第二方面，提供一種電子電路，包括本技術第一方面及可選方案所提供的所述低噪聲功率放大電路。
33、根據本技術的第三方面，提供一種電子設備，包括本技術第二方面所述的電子電路。
34、本技術提供的低噪聲功率放大電路，通過所述非線性補償單元對所述第一mos管的漏極電流的n階非線性系數進行補償，以對所述第一cascode單元的線本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種低噪聲功率放大電路，用于對輸入信號進行功率放大，其特征在于，該電路包括：
2.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述第一cascode單元還包括第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第二電感；
3.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述非線性補償單元包括第三MOS管和第四MOS管；
4.根據權利要求3所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第四MOS管均為NMOS管；所述第三MOS管為PMOS管。
5.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述非線性補償單元包括第三MOS管和第四MOS管；
6.根據權利要求5所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管均為NMOS管；所述第三MOS管和所述第四MOS管均為PMOS管。
7.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述濾波單元包括第三電感和第三電容；
8.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述緩沖單元包括第五
9.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述緩沖單元包括第五MOS管和第六MOS管；
10.根據權利要求9所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述緩沖單元還包括第四電容、第四電阻；
11.根據權利要求8或10所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述緩沖單元還包括第五電容、第六電容、第五電阻；
12.一種電子電路，其特征在于，所述電子電路包括權利要求1至11任一項所述的低噪聲功率放大電路。
13.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括權利要求12所述的電子電路。
...【技術特征摘要】
1.一種低噪聲功率放大電路，用于對輸入信號進行功率放大，其特征在于，該電路包括：
2.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述第一cascode單元還包括第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第二電感；
3.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述非線性補償單元包括第三mos管和第四mos管；
4.根據權利要求3所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述第一mos管、第二mos管、第四mos管均為nmos管；所述第三mos管為pmos管。
5.根據權利要求1所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述非線性補償單元包括第三mos管和第四mos管；
6.根據權利要求5所述的低噪聲功率放大電路，其特征在于，所述第一mos管、第二mos管均為nmos管；所述第三mos管和所述第四mos管...
【專利技術屬性】
技術研發人員：田葉，
申請(專利權)人：杭州靈芯微電子有限公司，
類型：新型
國別省市：
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