【技術實現步驟摘要】
本申請涉及數字電子，尤其涉及一種邏輯電路、數字電路和電子設備。
技術介紹
1、隨著數字電子技術的飛速發展，互補場效應晶體管(complementary?field-effect-transistor，cfet)得到了廣泛的應用。cfet可以包括堆疊設置的電子型場效應晶體管(n-type?field?effect?transistor，nfet)和空穴型場效應晶體管(p-type?fieldeffect?transistor，pfet)。相關技術提供的邏輯電路通常采用非共柵互補場效應晶體管(可以簡稱為非共柵cfet)。具體是在nfet的柵極和pfet的柵極之間增加介質層，以將nfet的柵極和pfet的柵極隔離。但是，非共柵cfet的制造工藝難度大，且制造成本也較高。
2、因此，需要一種制造工藝難度小且制造成本低的技術方案。
技術實現思路
1、本申請提供了一種邏輯電路、數字電路和電子設備，通過處理模塊中的第一共柵互補場效應晶體管(可以簡稱為第一共柵cfet)和第二共柵互補場效應晶體管(可以簡稱為第二共柵cfet)，減小了邏輯電路制造工藝的難度，且大大降低了邏輯電路的制造成本。
2、第一方面，本申請提供了一種邏輯電路，可以包括控制模塊、處理模塊和輸出模塊。其中，處理模塊可以包括第一共柵cfet和第二共柵cfet。
3、進一步地，控制模塊可以用于：根據第一輸入信號確定第一控制信號并傳輸給處理模塊。
4、處理模塊可以用于：根據第一控制信號和第二
5、輸出模塊可以用于：根據第二控制信號輸出第三控制信號。其中，第三控制信號用于指示邏輯電路的輸出信號。
6、本申請根據第一輸入信號和第二輸入信號，并通過處理模塊中的第一共柵cfet和第二共柵cfet得到了邏輯電路的輸出信號，不僅減小了邏輯電路制造工藝的難度，而且大大降低了邏輯電路的制造成本。
7、在一種可能的實現方式中，控制模塊可以包括第三共柵互補場效應晶體管(可以簡稱為第三共柵cfet)。
8、進一步地，第三共柵cfet可以包括第三空穴型場效應晶體管(可以簡稱為第三pfet)和第三電子型場效應晶體管(可以簡稱為第三nfet)。
9、其中，第三pfet的柵極和第三nfet的柵極電連接，也就是說，第三pfet和第三nfet共柵。第三pfet的柵極和第三nfet的柵極可以分別與第一輸入端電連接。其中，第一輸入端可以用于為邏輯電路提供第一輸入信號。第三pfet的第一極可以與第一供電電源電連接。其中，第一供電電源可以用于為邏輯電路提供工作電壓。第三pfet的第二極和第三nfet的第一極可以分別與處理模塊電連接。第三nfet的第二極與第一公共接地端電連接。第一公共接地端可以用于為邏輯電路提供公共接地電壓。
10、本申請根據第一輸入信號，通過第三pfet和第三nfet可以得到第一控制信號，以用于控制第一共柵cfet，也就是用于控制第一pfet和第一nfet。
11、在另一種可能的實現方式中，第一共柵cfet包括第一pfet和第一nfet。類似的，第二共柵cfet可以包括第二空穴型場效應晶體管(可以簡稱為第二pfet)和第二電子型場效應晶體管(可以簡稱為第二nfet)。
12、進一步地，第一pfet的柵極和第一nfet的柵極可以電連接，也就是說，第一pfet和第一nfet共柵。第一pfet的柵極和第一nfet的柵極可以分別與控制模塊(可以是控制模塊中第三pfet的第二極和第三nfet的第一極)電連接。第二pfet的柵極和第二nfet的柵極可以電連接。也就是說，第二pfet和第二nfet共柵。第二pfet的柵極和第二nfet的柵極可以分別與第一輸入端電連接。第一pfet、第二nfet、第二pfet和第一nfet各自的第一極可以分別與第二輸入端電連接。其中，第二輸入端可以用于為邏輯電路提供第二輸入信號。第一pfet、第二nfet、第二pfet和第一nfet各自的第二極可以分別與輸出模塊電連接。
13、可以想到的是，在第一控制信號的控制下，第一pfet和第二nfet可以同時導通且第二pfet和第一nfet可以同時關斷。或者，在第一控制信號的控制下，第一pfet和第二nfet可以同時關斷且第二pfet和第一nfet可以同時導通。
14、于是，同時導通的第一pfet和第二nfet可以根據第二輸入信號輸出第二控制信號，或者，同時導通的第二pfet和第一nfet可以根據第二輸入信號輸出第二控制信號。
15、本申請可以根據來自第一輸入端的第一輸入信號、來自第二輸入端的第二輸入信號和來自控制模塊的第一控制信號，通過第一共柵cfet中的第一pfet和第一nfet以及第二共柵cfet中的第二pfet和第二nfet，可以得到第二控制信號，以用于控制輸出模塊。
16、在又一種可能的實現方式中，輸出模塊可以包括第四共柵互補場效應晶體管(可以簡稱為第四共柵cfet)。
17、進一步地，第四共柵cfet可以包括第四空穴型場效應晶體管(可以簡稱為第四pfet)和第四電子型場效應晶體管(可以簡稱為第四nfet)。
18、其中，第四pfet的柵極和第四nfet的柵極可以電連接。也就是說，第四pfet和第四nfet共柵。第四pfet的柵極和第四nfet的柵極分別與處理模塊(可以是處理模塊中第一pfet、第二nfet、第二pfet和第一nfet各自的第二極)電連接。第四pfet的第一極可以與第一供電電源電連接。第四pfet的第二極和第四nfet的第一極可以分別與第一輸出端電連接。其中，第一輸出端用于輸出第三控制信號。第四nfet的第二極可以與第一公共接地端電連接。
19、本申請根據第二控制信號，通過第四pfet和第四nfet可以得到第三控制信號，也就是得到邏輯電路的輸出信號。
20、在本申請的又一種可能實現的方式中，邏輯電路還可以包括輸入模塊。輸入模塊可以與第二輸入端電連接，還可以與處理模塊電連接。
21、可選的，輸入模塊可以用于：將第二輸入信號傳輸給處理模塊。
22、進一步地，輸入模塊可以包括第五共柵互補場效應晶體管(可以簡稱為第五共柵cfet)和第六共柵互補場效應晶體管(可以簡稱為第六共柵cfet)。
23、其中，第五共柵cfet與可以與第二輸入端電連接，第五共柵cfet還可以與處理模塊電連接。類似的，第六共柵cfet可以與第五共柵cfet電連接，第六共柵cfet還可以與處理模塊電連接。
24、進一步地，第五共柵cfet包括第五空穴型場效應晶體管(可以簡稱為第五pfet)和第五電子型場效應晶體管(可以簡稱第五nfet)。類似的，本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種邏輯電路，其特征在于，包括控制模塊、處理模塊和輸出模塊；所述處理模塊包括第一共柵互補場效應晶體管和第二共柵互補場效應晶體管；
2.根據權利要求1所述的邏輯電路，其特征在于，所述第一共柵互補場效應晶體管包括第一空穴型場效應晶體管PFET和第一電子型場效應晶體管NFET，所述第一PFET的柵極和所述第一NFET的柵極電連接；
3.根據權利要求2所述的邏輯電路，其特征在于，所述第一PFET的柵極和所述第一NFET的柵極電連接，且所述第一PFET的柵極和所述第一NFET的柵極分別與所述控制模塊電連接，所述第二PFET的柵極和所述第二NFET的柵極電連接，且所述第二PFET的柵極和所述第二NFET的柵極分別與第一輸入端電連接，其中，所述第一輸入端用于為所述邏輯電路提供所述第一輸入信號；所述第一PFET、所述第二NFET、所述第二PFET和所述第一NFET各自的第一極分別與第二輸入端電連接，其中，所述第二輸入端用于為所述邏輯電路提供所述第二輸入信號；所述第一PFET、所述第二NFET、所述第二PFET和所述第一NFET各自的第二極分別與所述輸出模塊電連接。p>
4.根據權利要求3所述的邏輯電路，其特征在于，所述控制模塊包括第三共柵互補場效應晶體管；
5.根據權利要求4所述的邏輯電路，其特征在于，所述輸出模塊包括第四共柵互補場效應晶體管；
6.根據權利要求4或5所述的邏輯電路，其特征在于，所述邏輯電路還包括輸入模塊；所述輸入模塊與所述第二輸入端電連接，所述輸入模塊還與所述處理模塊電連接；
7.根據權利要求6所述的邏輯電路，其特征在于，所述輸入模塊包括第五共柵互補場效應晶體管和第六共柵互補場效應晶體管；
8.根據權利要求7所述的邏輯電路，其特征在于，所述第五共柵互補場效應晶體管包括第五PFET和第五NFET；所述第六共柵互補場效應晶體管包括第六PFET和第六NFET；
9.根據權利要求8所述的邏輯電路，其特征在于，所述第五PFET的第二極、所述第五NFET的第一極、所述第六PFET的柵極和所述第六NFET的柵極分別與所述第二PFET的第一極電連接；所述第六PFET的第二極和所述第六NFET的第一極分別與所述第一PFET的第一極電連接。
10.根據權利要求8所述的邏輯電路，其特征在于，所述第五PFET的第二極、所述第五NFET的第一極、所述第六PFET的柵極和所述第六NFET的柵極分別與所述第一PFET的第一極電連接；所述第六PFET的第二極和所述第六NFET的第一極分別與所述第二PFET的第一極電連接。
11.根據權利要求2所述的邏輯電路，其特征在于，所述控制模塊包括第一非門模塊和第二非門模塊；
12.根據權利要求11所述的邏輯電路，其特征在于，所述輸出模塊包括第三非門模塊和第四非門模塊；
13.根據權利要求12所述的邏輯電路，其特征在于，所述處理模塊還包括第五非門模塊；
14.根據權利要求13所述的邏輯電路，其特征在于，所述第三非門模塊的輸入端與所述第五非門模塊的輸出端電連接，所述第四非門模塊的輸入端與所述第五非門模塊的輸入端電連接。
15.根據權利要求13所述的邏輯電路，其特征在于，所述處理模塊還包括第七共柵互補場效應晶體管、第八共柵互補場效應晶體管和第六非門模塊；
16.根據權利要求14所述的邏輯電路，其特征在于，所述第三非門模塊的輸入端與所述第六非門模塊的輸出端電連接，所述第四非門模塊的輸入端與所述第六非門模塊的輸入端電連接。
17.一種邏輯電路，其特征在于，包括處理模塊和輸出模塊；
18.根據權利要求17所述的邏輯電路，其特征在于，所述處理模塊還包括第七非門模塊和第八非門模塊；
19.根據權利要求18所述的邏輯電路，其特征在于，所述第一共柵互補場效應晶體管包括第一空穴型場效應晶體管PFET和第一電子型場效應晶體管NFET；
20.根據權利要求19所述的邏輯電路，其特征在于，所述輸出模塊包括第九非門模塊；
21.一種數字電路，其特征在于，包括如權利要求1至20中任一項所述的邏輯電路。
22.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求21所述的數字電路。
...【技術特征摘要】
1.一種邏輯電路，其特征在于，包括控制模塊、處理模塊和輸出模塊；所述處理模塊包括第一共柵互補場效應晶體管和第二共柵互補場效應晶體管；
2.根據權利要求1所述的邏輯電路，其特征在于，所述第一共柵互補場效應晶體管包括第一空穴型場效應晶體管pfet和第一電子型場效應晶體管nfet，所述第一pfet的柵極和所述第一nfet的柵極電連接；
3.根據權利要求2所述的邏輯電路，其特征在于，所述第一pfet的柵極和所述第一nfet的柵極電連接，且所述第一pfet的柵極和所述第一nfet的柵極分別與所述控制模塊電連接，所述第二pfet的柵極和所述第二nfet的柵極電連接，且所述第二pfet的柵極和所述第二nfet的柵極分別與第一輸入端電連接，其中，所述第一輸入端用于為所述邏輯電路提供所述第一輸入信號；所述第一pfet、所述第二nfet、所述第二pfet和所述第一nfet各自的第一極分別與第二輸入端電連接，其中，所述第二輸入端用于為所述邏輯電路提供所述第二輸入信號；所述第一pfet、所述第二nfet、所述第二pfet和所述第一nfet各自的第二極分別與所述輸出模塊電連接。
4.根據權利要求3所述的邏輯電路，其特征在于，所述控制模塊包括第三共柵互補場效應晶體管；
5.根據權利要求4所述的邏輯電路，其特征在于，所述輸出模塊包括第四共柵互補場效應晶體管；
6.根據權利要求4或5所述的邏輯電路，其特征在于，所述邏輯電路還包括輸入模塊；所述輸入模塊與所述第二輸入端電連接，所述輸入模塊還與所述處理模塊電連接；
7.根據權利要求6所述的邏輯電路，其特征在于，所述輸入模塊包括第五共柵互補場效應晶體管和第六共柵互補場效應晶體管；
8.根據權利要求7所述的邏輯電路，其特征在于，所述第五共柵互補場效應晶體管包括第五pfet和第五nfet；所述第六共柵互補場效應晶體管包括第六pfet和第六nfet；
9.根據權利要求8所述的邏輯電路，其特征在于，所述第五pfet的第二極、所述第五nfet的第一極、所述第六pfet的柵極和所述第六nfet的柵極分別與...
【專利技術屬性】
技術研發人員：丁榮正，俞少峰，朱小娜，李駿康，吳穎，許俊豪，
申請(專利權)人：華為技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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