【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體，特別地涉及一種智能功率模塊。
技術介紹
1、智能功率模塊適用于驅動電機的變頻器和各種逆變電源，是變頻調速、電力牽引、變頻家電的一種理想的電子器件。智能功率模塊往往為高壓大電流的功率器件，其通常的散熱方法是安裝散熱器，利用散熱器將熱量傳遞到周圍的空氣中去。例如現有的一種功率半導體器件的散熱器裝配工藝，通過設置散熱器、導熱硅脂和導熱基板等對功率半導體器件進行散熱，功率半導體器件與導熱基板之間還需要設置用以絕緣的陶瓷基片或絕緣膜，結構復雜且需要額外采購散熱器并設置散熱器的安裝工序，不利于控制生產成本。
技術實現思路
1、本技術提供一種智能功率模塊，結構簡單，其直接在陶瓷基板上固定連接散熱層，散熱層上形成有多個散熱結構，無需再設置散熱器，具有生產成本低的優勢。
2、本技術提供一種智能功率模塊，包括芯片、陶瓷基板和散熱層，所述芯片和所述散熱層分別設置于所述陶瓷基板的兩側，所述散熱層與所述陶瓷基板固定相連，所述散熱層背離所述陶瓷基板的一面為多個散熱結構，相鄰兩個所述散熱結構之間形成凹槽。
3、在一個實施方式中，所述凹槽的橫截面為三角形、四邊形或弓形。
4、在一個實施方式中，所述凹槽的橫截面為三角形，所述散熱結構為三棱柱狀的散熱筋。
5、在一個實施方式中，所述散熱結構的橫截面為等腰三角形，所述等腰三角形的頂角角度小于60度。
6、在一個實施方式中，所述散熱結構上設有沿其長度方向開設的散熱孔，所述散熱孔貫穿所述散熱結構。
7、在一個實施方式中，所述散熱孔的橫截面形狀與所述散熱結構的橫截面形狀相似。
8、在一個實施方式中，多個所述散熱結構之間相互平行或不平行。
9、在一個實施方式中，所述凹槽包括多個相互平行的第一凹槽和多個相互平行的第二凹槽，所述第一凹槽與所述第二凹槽不平行，所述散熱結構為長方體狀的散熱塊。
10、在一個實施方式中，所述散熱層的厚度為3-7mm。
11、在一個實施方式中，所述凹槽的深度大于所述散熱層厚度的一半。
12、與現有技術相比，本技術的優點在于，散熱層直接與陶瓷基板固定相連，結構簡單，芯片產生的熱量容易傳遞到散熱層上。散熱層背離陶瓷基板的一面為多個散熱結構，相鄰兩個散熱結構之間形成凹槽，能增加散熱層與空氣的接觸面積，提高散熱效果，因而不需要另外再設置散熱器，降低了智能功率模塊的制造成本。
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1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括芯片、陶瓷基板和散熱層，所述芯片和所述散熱層分別設置于所述陶瓷基板的兩側，所述散熱層與所述陶瓷基板固定相連，所述散熱層背離所述陶瓷基板的一面為多個散熱結構，相鄰兩個所述散熱結構之間形成凹槽，所述散熱結構上設有沿其長度方向開設的散熱孔，所述散熱孔貫穿所述散熱結構。
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述凹槽的橫截面為三角形、四邊形或弓形。
3.根據權利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，所述凹槽的橫截面為三角形，所述散熱結構為三棱柱狀的散熱筋。
4.根據權利要求3所述的智能功率模塊，其特征在于，所述散熱結構的橫截面為等腰三角形，所述等腰三角形的頂角角度小于60度。
5.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述散熱孔的橫截面形狀與所述散熱結構的橫截面形狀相似。
6.根據權利要求1-5任一項所述的智能功率模塊，其特征在于，多個所述散熱結構之間相互平行或不平行。
7.根據權利要求6所述的智能功率模塊，其特征在于，所述凹槽包括多個相互平行的第一凹槽和多個
8.根據權利要求1-5任一項所述的智能功率模塊，其特征在于，所述散熱層的厚度為3-7mm。
9.根據權利要求8所述的智能功率模塊，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述散熱層厚度的一半。
...【技術特征摘要】
1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括芯片、陶瓷基板和散熱層，所述芯片和所述散熱層分別設置于所述陶瓷基板的兩側，所述散熱層與所述陶瓷基板固定相連，所述散熱層背離所述陶瓷基板的一面為多個散熱結構，相鄰兩個所述散熱結構之間形成凹槽，所述散熱結構上設有沿其長度方向開設的散熱孔，所述散熱孔貫穿所述散熱結構。
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述凹槽的橫截面為三角形、四邊形或弓形。
3.根據權利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，所述凹槽的橫截面為三角形，所述散熱結構為三棱柱狀的散熱筋。
4.根據權利要求3所述的智能功率模塊，其特征在于，所述散熱結構的橫截面為等腰三角形，所述等腰三角形的頂角...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王新穎，李春艷，廖勇波，吳佳蒙，馬穎江，
申請(專利權)人：珠海零邊界集成電路有限公司，
類型：新型
國別省市：
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