【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開涉及氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。
技術(shù)介紹
1、以往，已知有射出藍色光的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件(例如參照專利文獻1等)，但是要求有射出更短波長的光(即，波長為390nm以下的光)的高輸出且高效率的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。以下，將射出波長為390nm以下的光的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件也稱作短波長氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開2002－335052號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
0、專利技術(shù)概要
1、專利技術(shù)要解決的課題
2、在射出藍色光的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件中，例如，在光導(dǎo)引層中使用ingan類材料。相對于此，在短波長氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件中，在光導(dǎo)引層中使用帶隙能量比ingan大的algan類材料，因此短波長氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的電阻比射出藍色光的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的電阻大。此外，在p型algan層中作為受主雜質(zhì)而被添加的mg的活化率隨著al組分比的增加而降低，因此在al組分比高的p型algan層中向發(fā)光層的空穴的注入效率降低。若為了提高從p型algan層向發(fā)光層的空穴的注入效率而將mg添加到發(fā)光層的附近，則mg通過熱擴散而混入到發(fā)光層中。因此，發(fā)光層中的非發(fā)光復(fù)合中心增加，發(fā)光效率降低。
3、
技術(shù)實現(xiàn)思路
4、本公開為了解決這樣的課題，目的在于提供氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其能夠抑制mg通過熱擴散而向發(fā)光層的混入，并且提高空穴向發(fā)光層的注入效率。
5、用于解
6、為了解決上述課題，本公開的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的一實施方式，具備：n側(cè)半導(dǎo)體層；1個以上的發(fā)光層，配置在上述n側(cè)半導(dǎo)體層的上方；第1阻擋層，配置在上述1個以上的發(fā)光層的上方，含有al；第2阻擋層，配置在上述第1阻擋層的上方，含有al；p側(cè)導(dǎo)引層，配置在上述第2阻擋層的上方，與第2阻擋層相比al組分比小；電子阻擋層，配置在上述p側(cè)導(dǎo)引層的上方，含有mg，與上述第2阻擋層相比al組分比大；以及p側(cè)半導(dǎo)體層，配置在上述電子阻擋層的上方。
7、專利技術(shù)效果
8、根據(jù)本公開，能夠提供能夠抑制mg通過熱擴散而向發(fā)光層混入并且提高空穴向發(fā)光層的注入效率的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。
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1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，
5.如權(quán)利要求1...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：川口靖利，吉田真治，岡口貴大，中澤崇一，林茂生，畑雅幸，
申請(專利權(quán))人：新唐科技日本株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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