【技術實現步驟摘要】
本公開屬于顯示，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
技術介紹
1、隨著顯示技術的發展，人們對顯示裝置的要求也越來越高，例如，基于發光二極管(light-emitting?diode，led)的微縮化和矩陣化技術的微米發光二極管micro?led，在亮度、分辨率、對比度、能耗、使用壽命、響應速度和熱穩定性等方面相比于有機電致發光器件(organic?electroluminescence?display，oled)具有更大的優勢，因此micro?led在高清顯示領域被廣泛應用。
技術實現思路
1、本公開旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
2、第一方面，解決本公開技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，其包括襯底基板，以及設置在襯底基板上的像素單元；所述像素單元包括像素驅動電路和與所述像素驅動電路電連接的微米發光二極管；其中，所述像素驅動電路至少包括驅動晶體管；所述驅動晶體管的有源層的材料為碳納米管。
3、在一些實施例中，所述有源層的材料為取向一致的多根碳納米管。
4、在一些實施例中，所述有源層包括單層碳納米管；所述單層碳納米管的密度范圍為1根/μm～1000根/μm；所述有源層的厚度范圍為0.5nm～3nm。
5、在一些實施例中，所述襯底基板的材料包括硅或二氧化硅。
6、在一些實施例中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層背離所述襯底基板的一側，且所述源極與所述有
7、所述驅動晶體管的柵極位于所述源極和所述漏極所在層背離所述有源層所在層的一側。
8、在一些實施例中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側，且所述源極與所述源極有源層的接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏極接觸區電連接；
9、所述驅動晶體管的柵極位于所述有源層所在層背離所述源極和所述漏極所在層的一側。
10、在一些實施例中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側，且所述源極與所述有源層的源極接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏極接觸區電連接；
11、所述驅動晶體管的柵極位于所述源極和所述漏極所在層背離所述有源層所在層的一側。
12、在一些實施例中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層背離所述襯底基板的一側，且所述源極與所述有源層的源極接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏極接觸區電連接；
13、所述驅動晶體管的柵極位于所述有源層所在層背離所述源極和所述漏極所在層的一側。
14、第二方面，本公開實施例還提供了一種陣列基板的制備方法，其中，包括：
15、提供一襯底基板；
16、在所述襯底基板上形成像素單元；所述像素單元包括像素驅動電路和與所述像素驅動電路電連接的微米發光二極管；所述像素驅動電路至少包括驅動晶體管；所述驅動晶體管的有源層的材料為碳納米管。
17、在一些實施例中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
18、形成碳納米管溶液；所述碳納米管溶液中包含碳納米管；
19、將所述襯底基板或所述像素單元的限定圖形層放入所述碳納米管溶液中，沉積形成所述有源層；所述限定圖形層包括以下至少部分結構所述驅動晶體管的源極、漏極、柵極，以及所述陣列基板的柵極絕緣層。
20、在一些實施例中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
21、在所述襯底基板上形成碳納米管催化劑；
22、在密閉容器內，利用碳源所噴射的含碳氣體，在所述碳納米管催化劑的催化下，在所述襯底基板上生長出取向一致的多根碳納米管，以形成所述有源層。
23、在一些實施例中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
24、將所述襯底基板或所述像素單元的限定圖形層放入疏水體系溶液中，并對所述襯底基板或所述像素單元的限定圖形層所在區域的疏水體系溶液進行固化，得到疏水溶液層；所述限定圖形層包括以下至少部分結構所述驅動晶體管的源極、漏極、柵極，以及所述陣列基板的柵極絕緣層；
25、在所述疏水溶液層上形成親水區，得到疏水溶液圖案；
26、對所述疏水溶液圖案沉積取向一致的多根碳納米管，并剝離所述疏水溶液圖案，以形成所述有源層。
27、在一些實施例中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
28、將碳納米管材料與聚合物聚合，形成碳納米管；
29、將所述碳納米管放入有機溶劑中，形成碳納米管溶液；
30、將所述襯底基板或所述像素單元的限定圖形層放入所述碳納米管溶液中按照預設速度提拉，形成取向一致的多根碳納米管，以形成所述有源層。
31、第三方面，本公開實施例還提供了一種顯示設備，其中，包括如上述實施例中任一項所述的陣列基板。
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1.一種陣列基板，其包括襯底基板，以及設置在襯底基板上的像素單元；所述像素單元包括像素驅動電路和與所述像素驅動電路電連接的微米發光二極管；其中，所述像素驅動電路至少包括驅動晶體管；所述驅動晶體管的有源層的材料為碳納米管。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層的材料為取向一致的多根碳納米管。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層包括單層碳納米管；所述單層碳納米管的密度范圍為1根/μm～1000根/μm；所述有源層的厚度范圍為0.5nm～3nm。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述襯底基板的材料包括硅或二氧化硅。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的陣列基板，其中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層背離所述襯底基板的一側，且所述源極與所述有源層的源極接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏極接觸區電連接；
6.根據權利要求1～4中任一項所述的陣列基板，其中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側，且所述源極與所述源極有源層的接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的
7.根據權利要求1～4中任一項所述的陣列基板，其中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側，且所述源極與所述有源層的源極接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏極接觸區電連接；
8.根據權利要求1～4中任一項所述的陣列基板，其中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層背離所述襯底基板的一側，且所述源極與所述有源層的源極接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏極接觸區電連接；
9.一種陣列基板的制備方法，其中，包括：
10.根據權利要求9所述的陣列基板的制備方法，其中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
11.根據權利要求9所述的陣列基板的制備方法，其中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
12.根據權利要求9所述的陣列基板的制備方法，其中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
13.根據權利要求9所述的陣列基板的制備方法，其中，形成所述驅動晶體管的有源層的步驟包括：
14.一種顯示設備，其中，包括如權利要求1～8中任一項所述的陣列基板。
...【技術特征摘要】
1.一種陣列基板，其包括襯底基板，以及設置在襯底基板上的像素單元；所述像素單元包括像素驅動電路和與所述像素驅動電路電連接的微米發光二極管；其中，所述像素驅動電路至少包括驅動晶體管；所述驅動晶體管的有源層的材料為碳納米管。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層的材料為取向一致的多根碳納米管。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層包括單層碳納米管；所述單層碳納米管的密度范圍為1根/μm～1000根/μm；所述有源層的厚度范圍為0.5nm～3nm。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其中，所述襯底基板的材料包括硅或二氧化硅。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的陣列基板，其中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層背離所述襯底基板的一側，且所述源極與所述有源層的源極接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏極接觸區電連接；
6.根據權利要求1～4中任一項所述的陣列基板，其中，所述驅動晶體管的源極和漏極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側，且所述源極與所述源極有源層的接觸區電連接，所述漏極與所述有源層的漏...
【專利技術屬性】
技術研發人員：段正，郭康，陳宏，宋夢亞，李多輝，張笑，顧鵬飛，王浩然，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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