【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開總體上涉及使用濾波器的無線收發器和其他組件，更具體地涉及一種具有補償層的表面聲波(saw)濾波器，該補償層具有多個密度。
技術介紹
1、電子設備使用射頻(rf)信號來傳送信息。這些射頻信號使得用戶能夠與朋友交談，下載信息，共享圖片，遠程控制家用設備并且接收全球定位信息。為了在給定頻帶內發射或接收射頻信號，電子設備可以使用濾波器來傳遞頻帶內的信號，并且抑制(例如衰減)具有頻帶外的頻率的干擾或噪聲。然而，設計一種為高頻應用提供濾波的濾波器可能是具有挑戰性的，包括利用2千兆赫(ghz)以上頻率的那些應用，同時防止或減少跨濾波器的頻率響應的雜散模式。
技術實現思路
1、公開了一種實現具有補償層的表面聲波(saw)濾波器的裝置，該補償層具有多個密度。在示例實現方式中，表面聲波濾波器包括被定位在壓電層和襯底層之間的補償層。補償層的不同部分具有不同的密度。接近壓電層的部分具有比接近襯底層的另一部分低的密度。這些密度抑制了由于表面邊界處的反射而在壓電層、補償層和襯底層之間諧振的雜散模式的激勵。通過定制(tailor)補償層的多個密度，可以抑制至少一種雜散模式，而不會顯著增加另一雜散模式的激勵。利用直接抑制雜散模式中的一種雜散模式的能力，設計者具有在表面聲波濾波器的頻率響應上抑制雜散模式的更多靈活性和選項。
2、在示例方面中，公開了一種用于濾波的裝置。該裝置包括至少一個表面聲波(saw)濾波器，該saw濾波器具有壓電層、襯底層和被定位在壓電層和襯底層之間的補償層。補償層包括具有第一
3、在示例方面中，公開了一種用于濾波的裝置。該裝置包括具有壓電層和襯底層的至少一個表面聲波(saw)濾波器。表面聲波濾波器還包括補償部件，用于抑制由補償部件的第一表面處的反射和補償部件的第二表面處的反射引起的表面聲波濾波器的雜散模式。補償部件在第一表面處具有第一密度，并且在第二表面處具有第二密度。第二密度比第一密度大。補償部件被定位在壓電層與襯底層之間，使得第一表面接近壓電層，并且第二表面接近襯底層。
4、在示例方面中，公開了一種制造表面聲波濾波器的方法。該方法包括提供襯底層。該方法還包括在襯底層的表面上提供補償層。補償層具有第一表面和與第一表面相對的第二表面。補償層的提供包括形成補償層，使得補償層的密度相對于第一表面在第二表面處更高。
5、在示例方面中，公開了一種裝置。該裝置包括襯底層和被設置在襯底層的一側的補償層。補償層包括在補償層的相對側上的兩個表面。該兩個表面包括第一表面和第二表面。第一表面具有第一密度。第二表面具有比第一密度大的第二密度。與第一表面相比，第二表面更靠近襯底層。
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1.一種裝置，包括：
2.根據權利要求1所述的裝置，其中：
3.根據權利要求2所述的裝置，其中所述補償層包括被定位在所述第一子層與所述第二子層之間的第三子層，所述第三子層具有比所述第一密度大并且比所述第二密度小的第三密度。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中：
5.根據權利要求1所述的裝置，其中：
6.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少20％。
7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少40％。
8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層的所述第一部分和所述補償層的所述第二部分包括相同的材料。
9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層的所述第一部分和所述補償層的所述第二部分包括不同的材料。
10.根據權利要求1所述的裝置，其中：
11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層包括氧化硅材料。
12.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層包括氮氧化硅材料。
13.根據權利要求1所述
14.根據權利要求1所述的裝置，其中所述襯底層包括硅材料。
15.根據權利要求1所述的裝置，其中：
16.根據權利要求1所述的裝置，還包括：
17.根據權利要求1所述的裝置，其中所述表面聲波濾波器包括薄膜表面聲波濾波器。
18.一種裝置，包括：
19.根據權利要求18所述的裝置，其中所述補償部件包括用于使得所述表面聲波濾波器能夠實現目標頻率溫度系數的部件。
20.根據權利要求18所述的裝置，其中所述第一密度和所述第二密度比所述壓電層的密度小。
21.根據權利要求18所述的裝置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少20％。
22.一種制造表面聲波濾波器的方法，所述方法包括：
23.根據權利要求22所述的方法，其中所述補償層的所述形成包括形成所述補償層的多個子層，所述多個子層與不同密度相關聯。
24.根據權利要求22所述的方法，其中所述補償層的所述形成包括使所述補償層具有梯度密度，所述梯度密度跨所述補償層的厚度從所述第二表面到所述第一表面減小。
25.根據權利要求22所述的方法，其中所述補償層的所述形成包括執行以下至少一項：
26.根據權利要求22所述的方法，還包括：
27.一種裝置，包括：
28.根據權利要求27所述的裝置，其中：
29.根據權利要求28所述的裝置，其中：
30.根據權利要求27所述的裝置，還包括表面聲波濾波器，所述表面聲波濾波器包括：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種裝置，包括：
2.根據權利要求1所述的裝置，其中：
3.根據權利要求2所述的裝置，其中所述補償層包括被定位在所述第一子層與所述第二子層之間的第三子層，所述第三子層具有比所述第一密度大并且比所述第二密度小的第三密度。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中：
5.根據權利要求1所述的裝置，其中：
6.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少20％。
7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少40％。
8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層的所述第一部分和所述補償層的所述第二部分包括相同的材料。
9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層的所述第一部分和所述補償層的所述第二部分包括不同的材料。
10.根據權利要求1所述的裝置，其中：
11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層包括氧化硅材料。
12.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層包括氮氧化硅材料。
13.根據權利要求1所述的裝置，其中所述補償層包括氮化硅材料。
14.根據權利要求1所述的裝置，其中所述襯底層包括硅材料。
15.根據權利要求1所述的裝置，其中：
16.根據權利要求1所述的裝置，還...
【專利技術屬性】
技術研發人員：M·K·迪特里希，I·布萊爾，M·納普，G·沙恩巴赫，B·布拉施克，
申請(專利權)人：RF三六零新加坡私人有限公司，
類型：發明
國別省市：
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